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[发明专利]用于验证非易失存储器控制电路的验证装置、系统及方法-CN202111357654.6在审
发明人：李濛;成嵩;胡毅;杜鹏程;姜明刚 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京智芯半导体科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种用于验证非易失存储器控制电路的验证装置、系统及方法，属于集成电路技术领域。用于验证非易失存储器控制电路的验证装置基于FPGA芯片设计，且该验证装置包括通用读写接口模块和通用的非易失存储器的核心逻辑模块，所述通用读写接口基于预设的接口逻辑，将所述非易失存储器控制电路发送的操作指令发送至所述通用的非易失存储器的核心逻辑模块，以通过操作指令对所述非易失存储器控制电路进行模拟验证。在对于芯片数据逻辑验证的FPGA仿真系统中，对不同的非易失存储器控制电路进行验证时，不需要更换通用的非易失存储器的核心逻辑模块，仅需要重新设计通用读写接口模块的外围接口逻辑，可以支持全型号的非易失存储单元的仿真验证
用于验证非易失存储器控制电路装置系统方法

[发明专利]具有可缩放双端子纳米管开关的非易失性阻性存储器、闩锁电路和工作电路-CN200780035884.2有效
发明人： C·L·伯廷;T·鲁克斯;J·W·沃德;F·郭;S·L·孔瑟科;M·梅恩霍德 -专利权人：南泰若股份有限公司
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：提供了一种非易失性阻性存储器。该存储器包括至少一个非易失性存储单元和选择电路。每个存储单元都具有一双端子纳米管开关器件，其具有设置于导电端子之间且与导电端子电连接的纳米管结构制品。选择电路可用于选择该双端子纳米管开关器件进行读写操作。写入控制电路响应于控制信号向所选定存储单元供应写入信号以感生纳米管结构制品的电阻中的变化，该电阻对应于存储单元的信息状态。与选定存储单元连接的电阻读出电路读出纳米管结构制品的电阻并向写入控制电路提供控制信号。读取电路读取存储单元的相应信息状态。还提供了与多个非易失性寄存器堆一起使用的非易失性闩锁电路和非易失性寄存器堆配置电路。
具有缩放端子纳米开关非易失性阻性存储器电路工作

[发明专利]一种写入电压可调的非易失性阻变存储器及其制备方法-CN202011206255.5有效
发明人：刘举庆;聂毅杰;李银祥 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种写入电压可调的非易失性阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器件领域。该存储器件包括：衬底、底电极、阻变功能层和顶电极。通过改变混合溶液的旋涂条件，能够实现薄膜孔洞尺寸可调，进而实现器件写入电压的精确调控。本发明的存储器件结构简单、易于加工，展现出非易失性存储特性且能够实现对写入电压进行精确调控，在信息存储领域具有广阔的应用前景。
一种写入电压可调非易失性阻变存储器及其制备方法

[发明专利]非易失存储器的可靠性测试方法及装置-CN202210102045.4在审
发明人：谢元禄;季兰龙;呼红阳;霍长兴;张坤;习凯;卢年端 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C29/18 文献下载
摘要：本发明公开了非易失存储器的可靠性测试方法及装置，涉及非易失存储器技术领域。本发明反复循环擦除、编程、读取非易失存储器的指定地址，在每次擦除后记录当次的擦除时间，在每次编程后记录当次的编程时间，若某次循环中非易失存储器出错，则将最近一次记录的擦除时间和编程时间反馈给上位机，非易失存储器出错时向上位机反馈的最近一次记录的擦除时间便是非易失存储器的擦除时间最大值、最近一次记录的编程时间便是非易失存储器的编程时间最大值，实现了对非易失存储器可靠性的摸底测试。
非易失存储器可靠性测试方法装置

[发明专利]包括响应电源故障信号而刷新写入数据的电源故障电路的非易失性半导体存储器-CN201010533794.X有效
发明人： A·C·坎恩 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明涉及包括响应电源故障信号而刷新写入数据的电源故障电路的非易失性半导体存储器。公开一种非易失性半导体存储器，其包括第一存储器件，该第一存储器件具有包括多个存储段的存储器阵列和数据寄存器，所述数据寄存器用于在数据被写入其中一个存储段之前存储写入数据。存储器控制器包括执行从主机接收的存取命令的微处理器。接口电路生成控制信号，该控制信号使得微处理器能够与第一存储器件通信。电源故障电路响应电源故障信号，通过接口电路传输刷新命令到第一存储器件，其中第一存储器件通过将存储在数据寄存器中的写入数据转移到存储段来响应所述刷新命令。
包括响应电源故障信号刷新写入数据电路非易失性半导体存储器

[发明专利]以多个非易失性存储器为特征的高性能存储结构和系统-CN201180075716.2在审
发明人： S.N.特里卡;K.S.格林斯鲁德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： G06F13/14 文献下载
摘要：一种存储器存储系统，其包括至少存储控制器、第一非易失性固态存储器和第二非易失性固态存储器。该存储控制器具有用于从主机系统接收命令的接口。第一非易失性固态存储器与存储控制器耦合以至少存储从主机系统接收的数据。第二非易失性固态存储器与存储控制器耦合以存储上下文信息，其对应于存储在第一非易失性固态存储器装置中的数据。
非易失性存储器特征性能存储结构系统

[发明专利]应用非易失性铁电存储器的交错控制装置-CN03125562.0无效
发明人：姜熙福 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-07-31 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明公开了应用非易失性铁电存储器的交错控制装置。更具体地说，公开了一种应用非易失性铁电寄存器的存储器交错结构，所述非易失性铁电寄存器配置用于独立控制存储体的交错。在本发明的一个实施例中，通过应用单非易失性铁电存储器芯片，多存储体非易失性铁电存储器芯片或者多存储体交错非易失性铁电存储器芯片，可以独立控制每一存储体的交错部分。
应用非易失性铁电存储器交错控制装置

[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法-CN200710088470.8有效
发明人：鬼头杰;青地英明;胜又龙太;仁田山晃宽;木藤大;田中启安;福住嘉晃;松岡泰之;佐藤充 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-03-27 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：提出了一种具有新结构所述的非易失性半导体存储器件，其中存储单元以三维状态层叠，从而可以减小芯片面积。本发明的非易失性半导体存储器件是具有多个存储串的非易失性半导体存储器件，其中多个电可编程存储单元串联连接。该存储串包括柱状半导体；形成在该柱状半导体周围的第一绝缘膜；形成在该第一绝缘膜周围的电荷存储层；形成在该电荷存储层周围的第二绝缘膜；以及形成在该第二绝缘膜周围的第一至第n电极(n是不小于2的自然数)。其中该存储串的第一至第n电极以及其它存储串的第一至第n电极分别形成以二维状态伸展的第一至第n导体层。
非易失性半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]可规划的非易失性算术存储器运算子-CN202010099030.8有效
发明人：王立中 -专利权人：芯立嘉集成电路（杭州）有限公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F7/575 文献下载
摘要：本发明提供了可规划的非易失性算术存储器运算子用来对非易失性数据及易失性数据进行算术操作，且包含非易失性存储器装置，用以存储非易失性数据。本发明非易失性算术存储器运算子减少从存储器单元撷取数据的总量，以节省算术运算的功率，另外，本发明非易失性算术存储器运算子允许被多次规划以进行新的算术运算。位于算术逻辑单元的非易失性算术存储器运算子的架构可应用于数字信号处理器的运算以及深度神经网络的运算。
规划非易失性算术存储器运算子

[发明专利]测试内嵌多块非易失存储器的系统整合芯片的方法-CN200510111174.6无效
发明人：曾志敏;桑浚之 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种测试内嵌多块非易失存储器的系统整合芯片的方法，使用一套测试接口，在系统整合芯片中内置多块非易失存储器分时复用测试管脚模式和多块非易失存储器擦/写同时操作模式，通过模式选择，同时进行对多块非易失存储器的擦/写操作，分时进行对多块非易失存储器的读操作。本发明提供的方法可大大节省内嵌多块非易失存储器的系统整合芯片的测试时间和测试成本。
测试内嵌多块非易失存储器系统整合芯片方法

[发明专利]非易失性存储器件以及对其编程的方法-CN200610064370.7有效
发明人：朴晸壎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：公开了一种非易失性半导体存储器件以及对该非易失性半导体存储器件编程的方法。所述非易失性半导体存储器件包括被选字线和未选字线，所述未选字线包括至少一条被施加第一电压信号的未选字线。所述被选字线耦接到被选存储晶体管并且响应于编程电压使能信号而接收编程电压信号。将第一电压信号施加到至少一条未选字线。
非易失性存储器以及编程方法

[发明专利]对每个存储块具有保护功能的非易失性半导体存储器件-CN200480027761.0有效
发明人：田中智晴;河合矿一;汉德克·N·卡迪尔 -专利权人：株式会社东芝;三因迪斯克公司
申请日： 2004-08-23 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：提供一种对每个存储块具有保护功能的非易失性半导体存储器件，该非易失性半导体存储器件包含：由多个存储块构成的存储单元阵列，接口，写入电路，和读取电路。保护标记被写入到存储块中。读出的保护标记可以通过接口输出到外部器件。由接口输入写入命令时，在被选择的块的保护标记具有第一值时写入电路执行写入命令，而保护标记具有第二值时不执行写入命令。
每个存储具有保护功能非易失性半导体器件

[发明专利]一种低功耗非易失性阻变存储器系列及其制备方法-CN202011081743.8在审
发明人：刘举庆;聂毅杰;张泽圃 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功耗非易失性阻变存储器系列及其制备方法，属于阻变存储器件领域。该存储器件系列包括一系列存储器，其包括导电性能可调的底电极、表面含纳米孔洞的阻变功能层与顶电极。本发明的存储器件具有非易失性存储特性，该器件结构简单、易于制备、成本低廉，且具低功耗、高稳定性等优势，在新型存储器件与集成电路领域具有广阔的应用前景。
一种功耗非易失性阻变存储器系列及其制备方法

[发明专利]驱动非易失性半导体存储器件的方法-CN200810168078.9有效
发明人：藤木润 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-09-27 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于驱动易失性半导体存储器件的方法。该非易失性半导体存储器件具有在半导体衬底的表面部分中相互间隔开的源极/漏极扩散层，在源极/漏极扩散层之间的沟道上形成并包括电荷存储层的层压绝缘膜，以及在该层压绝缘膜上形成的栅极电极，该非易失性半导体存储器件通过电荷到电荷存储层中的注入来改变其数据存储状态该方法包括在将电荷注入到电荷存储层中以改变数据存储状态之前：注入具有与要注入的电荷相同的极性的电荷；以及进一步注入具有与所注入电荷相反的极性的电荷。
驱动非易失性半导体存储器件方法

[发明专利]数据储存设备和包括数据储存设备的数据处理系统-CN201410337185.5有效
发明人：申东才;朴承镇 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：一种数据处理系统包括：主机接口，其包括第一易失性存储器件；以及数据储存设备，其包括第二易失性存储器件和非易失性存储器件，并且适于储存要被主机设备访问的数据。在处于正常模式的数据储存设备进入节能模式之前，数据储存设备将储存在第二易失性存储器件中的数据上传至第一易失性存储器件。
数据储存设备包括数据处理系统