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[发明专利]用于非易失存储系统的电源管理数据块-CN201010173494.5无效
发明人：张钦泽;B·卡瓦米;F·萨比特-沙希;S·约丁 -专利权人： 三因迪斯克公司
申请日： 2003-10-28 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： G06F11/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于非易失存储系统的电源管理数据块，描述了使非易失存储器的开启电源过程能有效地发生的方法与装置。依照本发明的一个方面，利用具有带有至少一个保留存储区域非易失存储器存储系统的方法包括给存储系统提供电源，初始化非易失存储器，以及将第一签名写入保留存储区域。第一签名被安排表示存储系统被成功地初始化。在一个实施例中，这个方法还包括在存储系统上执行关闭电源过程，以及将表示关闭电源过程已经被执行的第二签名写入保留存储区域。
用于非易失存储系统电源管理数据

[发明专利]电子系统中对带有不同接口的小型电子电路卡的使用-CN200910165184.6有效
发明人：罗伯特·F.·沃莱斯;韦斯利·G.·布莱韦;尤斯·品托 -专利权人： 三因迪斯克公司
申请日： 2001-08-01 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G06K7/00 文献下载
摘要：诸如汽车无线电设备、便携式和其它计算设备、全球定位系统接收器的电气系统通常需要在使该系统全部或部分地可操作之前，或者在可以接收某些数据之前从可移动地插入到该系统的卡插槽中的小容量存储器卡输入正确的安全代码。相同类型的存储器卡还用于存储该系统在经该安全代码启动的功能中使用的数字数据，这些数据卡与含有该安全代码的卡一样可移动地插入到同一个卡插槽中。替代地，可在单个卡中包含应用数据和安全代码二者。一种应用的例子是汽车无线电设备，其中由第二卡提供的数据是通过该无线电设备的音频系统再现的音乐。
电子系统带有不同接口小型路卡使用

[发明专利]数据区段尺寸不同于存储器页面和/或区块尺寸之非易失性存储器系统的操作技术-CN01820902.5有效
发明人：卡罗斯·冈泽雷兹;凯文·M.·康利;伊利亚霍·哈莱利 -专利权人： 三因迪斯克公司
申请日： 2001-11-13 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本文公开的一种非易失性的存储器系统，比如一种闪速EEPROM系统，划分为多个区块，每个区块又划分为一个或多个页面，其中存放着数据区段，其尺寸既不同于页面，又不同于区块。一种特定的技术将多个区段装入一个区块，而不是装入为该区块提供的页面。优选情况下，许多用户数据区段的纠错码和其它属性数据，一起存放在与用户数据不同的页面和区块中。
数据区段尺寸不同于存储器页面区块非易失性存储器系统操作技术

[发明专利]降低非易失性存储器存储元件间耦合效应的方法-CN200710153755.5有效
发明人：陈健;田中智睛;方家荣;罕德克·N.·库德 -专利权人： 三因迪斯克公司;株式会社东芝
申请日： 2002-06-27 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种带有一列存储器单元的非易失性存储器系统，每一个存储器单元都有至少一个存储元件，该系统在每一个存储器元件多个存储等级下被操作。一种快擦写电可擦可编程只读存储器(EEPROM)是一个实例，其中的存储元件是电浮栅。该存储器减小了由于相邻浮栅之间耦合的电荷的影响，这是通过在相邻单元被编程之后对某些单元进行第二次编程来实现的。第二次编程步骤还在至少部分编程状态中压缩电荷等级分布。这样就提高了状态之间的分隔和/或允许在给定存储窗口中包括更多的状态。本发明所描述的具体实现形式是一种NAND型的快擦写EEPROM。
降低非易失性存储器存储元件耦合效应方法

[发明专利]非易失性存储器中可靠的数据拷贝操作的新颖方法和结构-CN200710110062.8有效
发明人：凯文·M.·康雷;丹尼尔·C.·古特曼;卡洛斯·J.·宫扎列兹 -专利权人： 三因迪斯克公司
申请日： 2001-08-16 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种改进的基于闪速EEPROM存储器的存储子系统，包括一个或多个闪存阵列，每一个都带有两个数据寄存器和一个控制器电路。当数据从闪存读入一个数据寄存器时，该数据拷贝到第二寄存器，所以在确保同一阵列的编程操作期间，该数据可以传递到控制器，以便检验该数据的有效性。这就产生了一种改进性能的系统，它在拷贝操作期间不造成数据传递等待，但是却能够保证这种操作中涉及之数据的有效性。
非易失性存储器可靠数据拷贝操作新颖方法结构

[发明专利]非易失性存储器系统及操作非易失性存储器系统的方法-CN200610142359.8有效
发明人：凯文·M·康利 -专利权人： 三因迪斯克公司
申请日： 2002-01-07 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：通过在同一或另一分块的未用分页中对新数据进行编程，更新非易失性存储分块的部分分页中的数据。为了防止必须将未变数据分页拷贝到新分块中，或者将标志编程到替换数据分页中，用与新数据所替换的数据分页相同的逻辑地址标识新数据分页，并且添加时间戳来表示写入每个分页的时间。当读取数据时，使用最新数据分页，并且忽略较旧替换数据分页。该投术还应用于包括来自若干不同存储阵列单元的各自一个分块的元分块，其中，将所有分页更新引导到其中一个单元内的单个未用分块。
非易失性存储器系统操作方法

[发明专利]编程和读取更新数据的非易失性存储器系统和方法-CN200610142358.3有效
发明人：凯文·M·康利 -专利权人： 三因迪斯克公司
申请日： 2002-01-07 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：通过在同一或另一分块的未用分页中对新数据进行编程，更新非易失性存储分块的部分分页中的数据。为了防止必须将未变数据分页拷贝到新分块中，或者将标志编程到替换数据分页中，用与新数据所替换的数据分页相同的逻辑地址标识新数据分页，并且添加时间戳来表示写入每个分页的时间。当读取数据时，使用最新数据分页，并且忽略较旧替换数据分页。该技术还应用于包括来自若干不同存储阵列单元的各自一个分块的元分块，其中，将所有分页更新引导到其中一个单元内的单个未用分块。
编程读取更新数据非易失性存储器系统方法

[发明专利]使用多进制存储器中的一些存储块作为二进制存储块的非易失性半导体存储器件-CN200480027371.3有效
发明人：永岛宏行;田中智晴;河合矿一;卡德科尔·N.·奎德尔 -专利权人：株式会社东芝;三因迪斯克公司
申请日： 2004-08-23 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：提供一种使用多进制存储器中的一些存储块作为二进制存储块的非易失性半导体存储器件。非易失性半导体存储器件包括存储单元阵列、接口和写入电路。写入电路可根据输入到接口的数据写入命令通过第一写入次序或第二写入次序选择性地将数据写入存储单元阵列中。当从接口输入根据第一写入次序的数据写入命令时，写入电路在标记数据具有第一值时执行命令，并在标记数据具有第二值时不执行命令。
使用多进制存储器中的一些存储作为二进制非易失性半导体器件

[发明专利]对每个存储块具有保护功能的非易失性半导体存储器件-CN200480027761.0有效
发明人：田中智晴;河合矿一;汉德克·N·卡迪尔 -专利权人：株式会社东芝;三因迪斯克公司
申请日： 2004-08-23 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：提供一种对每个存储块具有保护功能的非易失性半导体存储器件，该非易失性半导体存储器件包含：由多个存储块构成的存储单元阵列，接口，写入电路，和读取电路。保护标记被写入到存储块中。读出的保护标记可以通过接口输出到外部器件。由接口输入写入命令时，在被选择的块的保护标记具有第一值时写入电路执行写入命令，而保护标记具有第二值时不执行写入命令。
每个存储具有保护功能非易失性半导体器件

[发明专利]非易失性半导体存储器-CN200510116413.7有效
发明人：田中智晴;陈健(音译) -专利权人：株式会社东芝;三因迪斯克公司
申请日： 2002-02-28 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种非易失性半导体存储器，包括：非易失性存储单元；以及将数据写入上述存储单元的写入电路，用于对上述存储单元供给写入电压和写入控制电压，以变更上述存储单元的写入状态，改变上述写入控制电压的供给来减慢上述变更，以及在减慢上述变更的过程中禁止上述变更。
非易失性半导体存储器

[发明专利]从非易失性存储卡、致密盘或其他介质中回放记录音频、视频或其他内容的系统、方法和设备-CN01822009.6无效
发明人：巴哈曼·卡瓦米;法施德·萨柏特－沙基;罗伯特·C·常 -专利权人： 三因迪斯克公司
申请日： 2001-11-06 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： G11B20/00 文献下载
摘要：一种用于原始设备制造商的安全软件包，它在电子设备中运行，以便从存储设备如存储卡、光盘或硬盘中对加密音频、视频或其他内容进行访问和动态解密，从而使设备的用户接口只需发送简单的命令就输出解密内容。
非易失性存储致密其他介质回放记录音频视频内容系统方法设备

[发明专利]用于非易失存储器的高效数据验证操作的方法和结构-CN01822223.4有效
发明人：凯文·M·康利;丹尼尔·古特曼;卡洛斯·冈萨雷斯 -专利权人： 三因迪斯克公司
申请日： 2001-12-28 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：基于改进快擦写EEPROM存储器的存储子系统包含一或多个快擦写存储器阵列，其中每个快擦写存储器阵列具有3个数据寄存器和一个控制器电路。在快擦写编程操作期间，一个数据寄存器被用来控制编程操作，第二寄存器被用来保存目标数据数值，第三寄存器被用来加载下一扇区数据。在快擦写编程操作之后，扇区的数据被从快擦写存储器阵列读取到第一数据寄存器，并且与第二寄存器中存储的目标数据相比较。当数据验证成功时，来自第三寄存器的数据被复制到第一和第二寄存器以便进行下一编程操作。这产生了性能改进的系统，该系统在编程操作没有数据传送延迟，其中在编程操作完成之后需要数据验证。可选实施例使用2寄存器实现和单寄存器实现执行比较。写后检验可以被重复，并且使用不同偏置条件以该取数据。过程可以自动执行，或根据可以规定读取条件的命令执行。
用于非易失存储器高效数据验证操作方法结构

[发明专利]双存储单元读取和写入技术-CN02802252.1有效
发明人：劳尔－阿德利安·瑟尼 -专利权人： 三因迪斯克公司
申请日： 2002-05-29 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：存储单元阵列的存储单元是成对地进行编程的。这些对至少由一个存储单元分开，从而减少了编程期间对之间相互干扰的可能性。存储单元是通过向每个存储单元的其中一个位线施加相对较高的电压来单独地进行编程的，不管存储单元是否将要被编程，而向第二个位线施加较小的电压，具体情况取决于是否要对存储单元进行编程。这种编程电压分配提高了编程的速度。此外，成对的编程方案将所需要的高电压以只有以前的方案的一半的频率对阵列的所有存储单元进行编程，从而提高了存储系统的寿命。
存储单元读取写入技术

[发明专利]用于更新存储卡上固件的系统内编程的实现-CN02803634.4有效
发明人： R·张;P·李;F·萨比特－沙尔吉 -专利权人： 三因迪斯克公司
申请日： 2002-10-03 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：揭示了用于有效率地使与快闪存储卡有关的固件能够被更新的方法和装置。根据本发明的一个方面，用于更新与记忆存储设备有关的固件的一种方法包括：将新固件提供给主机，并将该新固件从主机发送到与主机进行通信的阅读器。该阅读器与包括所安装的固件的记忆存储设备连接。该方法也包括：将新固件从阅读器发送到记忆存储设备，并将新固件并入记忆存储设备，以便新固件至少局部取代所安装的固件。在一个实施例中，该方法还包括：将新固件嵌入第一个命令。在这种实施例中，将新固件从主机发送到阅读器包括：将第一个命令从主机发送到阅读器。
用于更新存储卡上固件系统编程实现

[发明专利]用于从非易失性应用程序和文件存储设备启动的系统和方法-CN02802692.6有效
发明人：罗伯特·C·张;郭炯;法西德·萨贝特－沙吉 -专利权人： 三因迪斯克公司
申请日： 2002-08-06 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：一种用于引导受微处理器控制的系统的系统，其特征在于，在处理器和外围设备之间的基本接口被从应用程序和文件存储设备复制到随机存取存储器，而需要非易失性代码存储设备时不必使用微处理器。
用于非易失性应用程序文件存储设备启动系统方法

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