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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示图象-CN00800333.5有效
发明人： M·J·尼尔 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 2000-01-19 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： G06T15/70 文献下载
摘要：一种用于产生由电视接收机显示的图象的方法，包括a)提供每个位图形式的图象，b)将每个位图图象分解为动态可重定义字符(DRC)阵列，c)将每个组成要显示的图象的DRC存储到非挥发性存储器中，d)在微处理器控制下，将每个图象的DRC阵列依次从非挥发性存储器复制到显示RAM中，建立位图图象，和e)依次显示每个位图图象。
显示图象

[发明专利]利用无线通信的影像数据存储及显示方法-CN200510094145.3无效
发明人：许信 -专利权人：乐金电子（昆山）电脑有限公司
申请日： 2005-08-26 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H04L12/00 文献下载
摘要：本发明是关于利用无线通信的影像数据存储及显示方法，它是一项非常有价值的发明：在将无线通信模块安装在数字相机之类的数字影像装置内的同时，利用上述无线通信模块将装置内的非挥发性存储器内所存储的影像数据发送存储到网络存储器，包括以下步骤：通过无线通信与服务器连接；再通过与上述服务器的接口指定用于存储影像数据的网络存储器；将影像数据发送并存储到上述网络存储器内。或者接收从上述网络存储器中读取发送的影像数据显示在画面上。因此，与数字影像装置内安装的非挥发性存储器的记录容量无关，能够有效地存储管理大容量影像数据，并且能够把通过无线通信接收的影像数据显示在画面上。
利用无线通信影像数据存储显示方法

[发明专利]存储器存储装置及其电源管理方法-CN201610338976.9有效
发明人：周志杨;李首志;谢博钧;陈耘颉;蔡翼锺 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： G06F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器存储装置及其电源管理方法，其包括可复写式非挥发性存储器模块、第一与第二连接接口单元、电源管理电路与存储器控制电路单元。当外部电源供应装置电性连接至第二连接接口单元时，电源管理电路通过第二连接接口单元从外部电源供应装置接收第二电源供应电压并供应运作电压给存储器控制电路单元与可复写式非挥发性存储器模块，同时提供第二电源供应电压给主机装置
存储器存储装置及其电源管理方法

[发明专利]可共用存储器的电路结构与数字视频转换装置-CN201710362469.3有效
发明人：李建新;于冬娥;李汉军 -专利权人：扬智科技股份有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明提出一种可共用存储器的电路结构，包括第一挥发性存储器、系统芯片及信号处理芯片。系统芯片通过第一连接接口连接第一挥发性存储器。信号处理芯片通过第二连接接口连接系统芯片。系统芯片中设置有存储器控制器，其连接第一连接接口与第二连接接口。在信号处理芯片运作时，信号处理芯片通过第二连接接口传送第一存取指令至存储器控制器，存储器控制器根据第一存取指令通过第一连接接口存取第一挥发性存储器并通过第二连接接口传送第一存取指令的存取结果至信号处理芯片此外，本发明也提出一种数字视频转换装置，可提升挥发性存储器的使用效率。
共用存储器电路结构数字视频转换装置

[发明专利]一次可编程非挥发性存储器-CN201510621185.2在审
发明人：徐德训 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开一种一次可编程非挥发性存储器，包括基底、开关元件与熔丝结构。开关元件设置于基底上。熔丝结构包括导体层、间隙壁与插塞。导体层耦接至开关元件的端子。间隙壁设置于导体层的侧壁上。所述可编程非挥发性存储器可有效地降低烧断熔丝结构所需要的电流。
一次可编程挥发性存储器

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法-CN200610131866.1有效
发明人：赖升志;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-10-09 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器及其制造方法。非挥发性存储器包括一基材以及一堆栈结构。堆栈结构设置于基材上且位于基材的一源极区及一漏极区之间。堆栈结构至少包括一穿隧氧化层、一电荷陷入层及一介电层。
挥发性存储器及其制造方法

[发明专利]硬盘驱动器以及命令执行方法-CN200710198870.4无效
发明人：丸地康平;高仓晋司;吉田充伸;秋叶敏克;中村博昭 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：提供一种命令执行方法，该方法包括，探测非挥发性存储器的使用情形；当所述使用情形为“低”时，从若干写命令和读命令中选择能使所述磁盘磁头最快地定位在写或读的开始位置处的命令，假设所述磁盘磁头对所述写命令进行快速搜寻而对所述读命令进行慢速搜寻；当所述非挥发性存储器的使用情形为“高”时，从若干写命令和读命令中选择能使所述磁盘磁头最快地定位在写或读的开始位置处的命令，假设所述磁盘磁头进行慢速搜寻。
硬盘驱动器以及命令执行方法

[发明专利]非挥发性存储器的擦除方法和装置-CN202310254686.6在审
发明人：汪齐方;王子田 -专利权人：普冉半导体(上海)股份有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种非挥发性存储器的擦除方法，擦除循环步骤包括：步骤11、对非挥发性存储器件的区块中的选定擦除块进行一次擦除操作。步骤12、进行擦除验证操作。进行第一次过擦除操作，使选定擦除块的阈值电压分布的低边界点大于等于第一下限值；第一下限值保证在下一次的擦除循环步骤中完成步骤11的擦除操作后，阈值电压分布的低边界点大于等于第二下限值，第二下限值保证位于同一区块中的非选定擦除块不会产生读取失效本发明还提供一种非挥发性存储器的擦除装置。本发明能在擦除过程中产生异常中断或断电时保证重启后能避免同区块非擦除区域的读数据错误。
挥发性存储器擦除方法装置

[发明专利]存储器装置的存取控制方法、存储器装置以及控制器-CN202211230672.2在审
发明人：杨宗杰 -专利权人：慧荣科技股份有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种借助侵害位元资讯来进行存储器装置的存取控制的方法、存储器装置以及存储器装置的控制器。该方法包含：自主机装置接收第一主机读取命令；将第一读取命令传送至非挥发性存储器，以尝试自第一页面读取第一数据；将第二读取命令传送至非挥发性存储器，以取得软解码资讯并根据软解码资讯来进行第一软解码操作，以尝试自第一软解码操作取得第一数据
存储器装置存取控制方法以及控制器

[发明专利]具牺牲层的嵌入式非挥发性存储器的制造方法-CN03153080.X有效
发明人：黄仲仁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-08-12 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用一保护牺牲层以制造如掩模只读存储器(mask ROM)或SONOS存储器(SONOSmemory)等高密度非挥发性存储器的制造方法。这些高密度非挥发性存储器与高级外围逻辑组件(advanced peripheral logic)统合形成于单一芯片上。以一氮化硅牺牲层覆盖栅极介电层；在注入位线步骤中使用掩模定义该氮化硅牺牲层上的线结构图案；沉积一介电材料以填充该线结构间的间隙；平整化；除去所述氮化硅牺牲层并覆盖一多晶硅层；于所述数组区域中定义出字符线以及在所述非数组区域中定义出晶体管栅极构造
牺牲嵌入式挥发性存储器制造方法

[发明专利]防止嵌入式非挥发性存储器漏电流的方法-CN01142987.9有效
发明人：郭东政;黄守伟;刘建宏;潘锡树 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-12-04 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种防止嵌入式非挥发性存储器漏电流的方法。此嵌入式非挥发性存储器,在底材上包含一存储器阵列区以及一逻辑元件区,且一氧化层/氮化层/氧化层(ONO层)在存储器阵列区,一闸氧化层在逻辑元件区。本发明的方法是利用分开两次微影制程条件,使得在存储器阵列区以及逻辑元件区的晶体管可以分别形成。在存储器阵列区,其闸极之间具有相等的间距宽度以及较宽的间隙壁宽度；而在逻辑元件区,在闸极之间的间距并不相等,其中,其宽度具有最佳的间隙壁宽度。根据本发明,在存储器阵列区以及逻辑元件区通过分离式间隙壁宽度可以避免在自行对准硅化物步骤时在位元线之间发生漏电流路径。
防止嵌入式挥发性存储器漏电方法

[发明专利]带有水印功能的便携数据载体-CN200680001851.1有效
发明人：阿明·巴奇 -专利权人：德国捷德有限公司
申请日： 2006-01-03 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： G11B20/00 文献下载
摘要：公开了一种便携数据载体(1)，其包括非挥发性存储器(11)、处理器(15)和可以由所述处理器(15)执行的水印应用程序(131)，该水印应用程序也存储在数据载体(1)上。所述水印应用程序(131)被设置为检查(152)存储在数据载体(1)上的数据(110、140)或者想要存储在数据载体(1)上的数据是否存在数字水印，或者用数字水印对所述数据(110、140)进行标记。检查(152)或标记(151)是在数据载体(1)上执行的，并且在检查(152)和标记(151)后，已检查或已标记的数据(110、140)被存储在非挥发性存储器(11)中以保存不定长的时间。
带有水印功能便携数据载体

[发明专利]存储器及其制造方法-CN200810189417.1有效
发明人：吴昭谊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-12-24 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明是有关于一种存储器及其制造方法。该存储器包括：一突出半导体；一挥发性可编程结构；一介电质结构；一栅极结构；以及一控制电路，是供应偏压调整至该突出半导体与该栅极结构。该存储器，是适用于动态随机存取存储器的应用以及低功率需求的应用上。在本发明中，此存储器装置包括电荷捕捉鳍式场效晶体管结构，电荷捕捉鳍式场效晶体管结构包括一倒U字形挥发性可编程结构与在挥发性可编程结构上的倒U字形介电结构。
存储器及其制造方法

[发明专利]错误处理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元-CN201410545267.9有效
发明人：林纬;许佑诚;严绍维;王天庆;林玉祥;赖国欣;梁立群 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于可复写式非挥发性存储器模块的错误处理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元，此可复写式非挥发性存储器模块包括多个存储元，此错误处理方法包括：发送第一读取指令序列以从所述存储元中读取多个位元
错误处理方法存储器储存装置控制电路单元

[发明专利]非挥发性储存装置与控制器-CN201510065062.5有效
发明人：柯冠宇 -专利权人：慧荣科技股份有限公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供一种非挥发性储存装置与控制器，在闪存存储器等非挥发性储存装置遇到异常状态后的修复操作中，对于不稳定的数据页，为了避免错误的蔓延，直接将有效的数据页复制到另外的实体区块，不要再使用原先的实体区块
挥发性储存装置控制器

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