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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]驱动控制集成器件及空调器-CN201921543656.2有效
发明人：黄招彬;李金波;朱良红 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H02P5/74 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种驱动控制集成器件及空调器，其中，集成器件包括：基板，沿基板的第一边缘的方向，基板上依次集成设置有整流器、功率因数校正器和至少两个电机驱动组件；电机驱动组件包括：驱动器，驱动器被配置为接收处理器发送的驱动控制信号通过本实用新型提供的驱动控制集成器件，提高了驱动控制集成器件的集成度、电磁干扰及抗干扰能力、功率密度和散热性能，综合提升了驱动控制集成器件的可靠性。
驱动控制集成器件空调器

[实用新型]驱动控制集成器件及空调器-CN201921543420.9有效
发明人：黄招彬;李金波;朱良红 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H02P5/74 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种驱动控制集成器件及空调器，其中，驱动控制集成器件包括：基板；至少两个电机驱动组件集成于基板设置，电机驱动组件包括：驱动器，驱动器被配置为接收处理器发送的驱动控制信号，并根据驱动控制信号生成脉冲调制信号通过本实用新型提供的驱动控制集成器件，提高了驱动控制集成器件的集成度、电磁干扰及抗干扰能力、功率密度和散热性能，综合提升了驱动控制集成器件的可靠性。
驱动控制集成器件空调器

[实用新型]一种具有电触点的透镜组件、光电探测器、激光雷达及智能车、无人机-CN202020184652.6有效
发明人：张珂殊 -专利权人：北京北科天绘科技有限公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有电触点的透镜组件、光电探测器、激光雷达及智能车、无人机，该透镜组件，包括：光学透镜；电触点，用于连接该光学透镜所对应的光电器件。本实用新型简化光电集成器件的封装工艺，提高集成光电器件的联接可靠性，优化阵列式光电集成器件光路设计，提高阵列光电器件的光电信号采集能力，优化集成器件的空间尺寸，提高光能利用效率。对该透镜组件所对应的电路器件进行精细化的分区管理。
一种具有触点透镜组件光电探测器激光雷达智能无人机

[发明专利]用于射频集成器件封装的发射结构-CN201910453880.0有效
发明人： B·E·威尔科斯克 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及用于射频集成器件封装的发射结构。本文公开涉及具有凸起和/或球发射结构的射频集成器件封装。凸起发射结构可以包括基本上匹配射频集成器件管芯的阻抗的图案化的金属和绝缘材料。
用于射频集成器件封装发射结构

[发明专利]基于GaN基功率与射频电子的单片集成器件及其制备方法-CN202111044280.2在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种基于GaN基功率与射频电子的单片集成器件及其制备方法，该单片集成器件包括AlGaN/GaN HEMT外延片，所述AlGaN/GaN HEMT外延片上按照一定水平顺序依次设有漏金属电极、栅金属电极该单片集成器件实现了单片集成器件的微型化，具有高效率、低噪声、低功耗等性能特征，并且单片集成器件制备过程简单易行，成本较低，具有很高的应用价值和经济价值。
基于 gan 功率射频电子单片集成器件及其制备方法

[发明专利]功率分配网络(PDN)中交错的功率结构-CN201580022321.4有效
发明人： R·D·莱恩;Y·李;C·D·裴恩特;R·K·藏 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一些新颖特征涉及包括第一金属层和第二金属层的集成器件。第一金属层包括第一组区域。第一组区域包括集成器件的功率分配网络(PDN)的第一网络列表结构。第二金属层包括第二组区域。第二组区域包括集成器件的PDN的第二网络列表结构。在一些实现中，第二金属层进一步包括：包括集成器件的PDN的第一网络列表结构的第三组区域。在一些实现中，第一金属层包括：包括集成器件的PDN的第三网络列表结构的第三组区域。第三组区域与第一金属层的第一组区域是不重叠的。
功率分配网络 pdn 交错结构

[发明专利]一种半导体集成器件及其制作方法-CN202210571693.4有效
发明人：胡万春;许亮亮;张留杰;付世启 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体集成器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体集成器件的制作方法包括以下步骤：提供一衬底，且所述衬底上设置有多个半导体器件；在所述半导体器件上形成介质覆盖层和介质层；蚀刻所述介质覆盖层和所述介质层，形成多个开口，并在所述开口内形成金属层；通过本发明提供的一种半导体集成器件及其制作方法，提高半导体集成器件的性能。
一种半导体集成器件及其制作方法

[实用新型]一种双向对称型集成器件分选机控制电路-CN201620977092.3有效
发明人：周祥兵;陈骏 -专利权人：扬州江新电子有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： B07C5/344 文献下载
摘要：本实用新型公开了电子元器件领域内的一种双向对称型集成器件分选机控制电路，包括电源电路、采样电路、比较电路、整形电路以及输出控制电路，采样电路的信号输出端与比较电路的信号输入端相连，比较电路的信号输出端与整形电路的信号输入端相连，整形电路的信号输出端与输出控制电路的信号输入端相连，通过使用本实用新型对集成器件进行检测分选，对双向对称集成器件的极性进行精准判别，保证了测试成品的正反向电压的一致性，提高集成器件使用的精度和可靠性。
一种双向对称集成器件分选控制电路

[发明专利]岩石各向异性检测系统和检测方法-CN201410747850.8在审
发明人：李淼峰;肖希;王磊;邱英;陈代高 -专利权人：武汉邮电科学研究院
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成器件及其行波电极阻抗匹配方法，该方法包括以下步骤：将集成器件的行波电极在其长度方向上按周期划分为多段，每段中的信号线和地线之间分别串联一个电感；其中，电感的大小根据硅基电光调制器的实际阻抗值与实现硅基电光调制器阻抗匹配的数值的差值大小确定本发明，实现了对集成器件的行波电极单位长度电感的提高，进而提高了整体的特征阻抗实现集成器件的行波电极的阻抗匹配，减少了电信号的反射，增加了带宽。
岩石各向异性检测系统方法

[发明专利]磁集成器件及功率转换电路-CN201610087764.8在审
发明人：胡长军 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁集成器件及功率转换电路，该磁集成器件包括形成有N个并排且紧靠设置的“日”字型闭合框架的磁芯组件，每一“日”字型闭合框架的中柱上设置有气隙；每一中柱上缠绕有线圈，N个“日”字型闭合框架的中柱上的线圈电流的相位自首至尾递增或者递减本发明能够减少磁集成器件的体积，且能够降低磁集成器件的磁芯损耗。
集成器件功率转换电路

[发明专利]一种钙钛矿-半导体材料的制备方法和应用-CN202210199900.8在审
发明人：陈宇;李梓宁;钟海政 -专利权人：致晶科技（北京）有限公司;北京理工大学
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种钙钛矿‑半导体集成器件的制备方法，并进一步公开了利用该方法获得的钙钛矿‑半导体集成器件，以及该集成器件的应用。该方法具有工艺简单，制备的集成器件稳定性强，结合能力好等特点，可广泛用于光电探测，照明显示和太阳能光伏等领域，具有优异的应用前景和价值。
一种钙钛矿半导体材料制备方法应用

[发明专利]集成器件及其行波电极阻抗匹配方法-CN201410841501.2有效
发明人：李淼峰;肖希;王磊;邱英;陈代高 -专利权人：武汉邮电科学研究院
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成器件及其行波电极阻抗匹配方法，该方法包括以下步骤将集成器件的行波电极在其长度方向上按周期划分为多段，每段中的信号线和地线之间分别串联一个电感；其中，电感的大小根据硅基电光调制器的实际阻抗值与实现硅基电光调制器阻抗匹配的数值的差值大小确定本发明，实现了对集成器件的行波电极单位长度电感的提高，进而提高了整体的特征阻抗实现集成器件的行波电极的阻抗匹配，减少了电信号的反射，增加了带宽。
集成器件及其行波电极阻抗匹配方法

[发明专利]包括同轴互连的集成器件-CN202210862033.1在审
发明人： D·W·金;Y·K·宋;K-P·黄;H·B·蔚 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开涉及一种包括同轴互连的集成器件，该集成器件包括：基板、耦合到该基板的第一互连、以及围绕该第一互连的第二互连。第二互连可被配置成提供至接地的电连接。在一些实现中，第二互连包括极板。在一些实现中，该集成器件还包括在第一互连与第二互连之间的电介质材料。在一些实现中，该集成器件还包括围绕第二互连的模塑。在一些实现中，第一互连被配置成在第一方向上传导功率信号。在一些实现中，该集成器件可以是层叠封装(PoP)器件。
包括同轴互连集成器件

[发明专利]三维集成器件及其形成方法-CN202310910112.X在审
发明人：薛晓晨;盛备备;叶国梁;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维集成器件及其形成方法。所述三维集成器件包括由至少两层芯片堆叠而成的堆叠体以及键合于堆叠体的第一表面的载片，所述堆叠体的第一表面形成有导热沟槽，所述载片具有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔分别露出导热沟槽的长度方向上的第一端和第二端所述三维集成器件可以利用散热液体在所述导热沟槽中的流动带走热量进行散热，达到对器件降温的目的，导热效率更高，散热能力强，可以减少三维集成器件内部热量蓄积的风险，有助于提升三维集成器件的性能。
三维集成器件及其形成方法

[发明专利]三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法-CN200810232447.6无效
发明人：胡辉勇;张鹤鸣;宣荣喜;戴显英;宋建军;舒斌;赵丽霞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用SSOI和SSGOI衬底构建新的三维集成器件的两个有源层。衬底中应变SiGe材料空穴迁移率高的特点，制作应变SiGe量子阱沟道pMOSFET；上下有源层之间采用键合工艺，形成三维有源层结构，并通过互连线连接，构成导电沟道为65～130nm的三维量子阱CMOS集成器件本发明制作的三维量子阱CMOS集成器件与现有三维集成器件相比，具有速度快和性能好的优点。
三维量子 cmos 集成器件及其制作方法

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