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[发明专利]电致发光元件以及显示装置-CN200680032372.6无效
发明人：小野雅行;那须昌吾;青山俊之;小田桐优 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-09-04 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H05B33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种电致发光元件，其中，具备：第1电极、在所述第1电极上设置的第1电介质层、与所述第1电介质层对向设置的第2电介质层、在所述第2电介质层上设置的第2电极、被所述第1电介质层与所述第2电介质层夹持的发光层，和利用来自被所述第1电介质层与所述第2电介质层夹持的所述发光层的光而产生电子—空穴对的光电转换层，所述第1电极及所述第2电极中的至少一方为透明或半透明。
电致发光元件以及显示装置

[发明专利]采用芯片嵌入技术的封装天线装置-CN202110189880.1在审
发明人： A·巴赫蒂;曹应山;S·特罗塔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：电介质基底；集成电路(IC)管芯，该IC管芯设置在电介质基底的开口内部，其中，该IC管芯被配置为发射或接收射频(RF)信号；电介质材料，该电介质材料位于电介质基底的开口中和IC管芯周围；沿着电介质基底的第一侧的重分布结构，其中，该重分布结构的第一导电特征电耦合到IC管芯；沿着电介质基底的与第一侧相对的第二侧的第二导电特征；过孔，该过孔延伸穿过电介质基底，其中，过孔电耦合第一导电特征和第二导电特征；以及天线，位于电介质基底的第二侧，其中，第二导电特征电耦合或电磁耦合到天线。
采用芯片嵌入技术封装天线装置

[发明专利]一种导电介质存储结构及基于其的脑电监测传感器-CN202210916816.3在审
发明人：刘久红;赵正 -专利权人：合肥诺和电子科技有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： A61B5/266 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电介质存储结构，包括可形变的存储槽、设置在所述存储槽槽口处的封板，所述封板上设置有导流孔，所述导流孔与电极上的导电介质涂覆槽相对设置；导电介质存储在所述存储槽中且导电介质外包裹有密封膜，挤压所述存储槽时所述密封膜破裂，导电介质由所述导流孔进入导电介质涂覆槽中。通过设置密封膜对导电介质进行全包裹密封，加强导电介质的存储的密封性，避免导电介质在存储过程中凝固。
一种导电介质存储结构基于监测传感器

[发明专利]电容器以及制备方法-CN201410384052.3有效
发明人：刘祥杰;曹涯路;单伟中;徐亮;何海杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明揭示了一种电容器，包含依次层叠的第一电极、层叠电介质以及第二电极，其中，所述层叠电介质包括至少一个具有第一折射率的第一电介质膜和至少一个具有第二折射率的第二电介质膜，所述第一折射率小于所述第二折射率在本发明的电容器以及制备方法中，所述第一电介质膜可以提高所述层叠电介质的击穿电压，所述第二电介质膜可以提高所述层叠电介质的经时击穿，从而使得所述层叠电介质同时满足击穿电压以及经时击穿的要求。
电介质电容器电介质膜折射率制备击穿电压击穿第二电极第一电极依次层叠

[发明专利]一种车辆雷电防护装置-CN201310676248.5有效
发明人：王德言;杨国华;代德志;郑燕;朱成 -专利权人：四川中光防雷科技股份有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明技术要点：包括接闪器和流体导电介质接地单元；所述接闪器的接地金属导电体与所述流体导电介质接地单元喷洒器导电连接或接闪器的接地金属导电体与位于所述流体导电介质接地单元的导电介质喷洒覆盖空间内的接地连接导体导电连接；所述流体导电介质接地单元包括雷电信号检测模块与导电介质喷洒模块；所述雷电信号检测模块用于在检测到大于安全阈值的雷电信号时控制导电介质喷洒模块喷洒导电介质以使所述导电介质在接闪器的接地金属导电体与大地之间形成电荷泄放通道
一种车辆雷电防护装置

[发明专利]集成电容器及其形成方法-CN201711090049.0有效
发明人： E·C·斯图尔特;杰弗里·A·韦斯特;T·D·博尼菲尔德;J·A·加列戈斯;川杰圣;于志毅 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：位于衬底(210)上的半导体表面上的集成电容器(300)包含：蚀刻电容器电介质层(232)以提供具有倾斜电介质侧壁部分的至少一个经界定电介质特征，所述电容器电介质层(232)包含在所述半导体表面上方且与所述半导体表面电隔离的底板沉积电介质层以至少部分地填充所述倾斜电介质侧壁部分中的凹坑以使所述倾斜电介质侧壁部分的表面平滑化。蚀刻所述电介质层，且接着在所述电介质特征的顶部上形成顶板(240a)。
集成电容器及其形成方法

[实用新型]球铰保护装置-CN200820126828.1无效
发明人：南仁东;李建斌;王启明;朱文白;郭永卫;李辉 -专利权人：中国科学院国家天文台
申请日： 2008-07-01 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H02H5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种球铰保护装置，包括置于精铰平台的球铰基座的球铰和与球铰连接的导电介质伸缩腿，在球铰基座之上设有环状导电介质垫，环状导电介质垫中穿设有导电介质伸缩腿，环状导电介质垫与用于在导电介质伸缩腿接触环状导电介质垫时本实用新型在保证精调平台工作范围内，通过检测导电介质伸缩腿的底部是否和固定在球铰基座上方的环状导电介质垫接触，如果接触就停止球铰运动，以保护球铰和平台。
保护装置

[发明专利]电介质透镜锥形辐射器次反射器组件-CN201380017759.4有效
发明人： J·U·I·赛耶德;A·赖特;B·罗森;A·塔斯克尔;R·布兰朵 -专利权人：安德鲁有限责任公司
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01Q15/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于具有波导支撑的次反射器的反射器天线的电介质锥形辐射器次反射器组件，作为在远端具有次反射器的单元电介质块。电介质块的波导过渡部分的尺寸被形成为插入耦接于波导的端部之内。电介质辐射器部分被设置于波导过渡部分与次反射器支撑部分之间。电介质辐射器部分的外径设置有径向向内扩展到比波导端部的内径小的直径的多个径向向内的凹槽，并且透镜膛孔从电介质块的近端向电介质块的远端至少延伸到次反射器支撑部分。单元电介质块可以经由注射成型制造为单个邻接的单块电介质材料部分。
电介质透镜锥形辐射器反射组件

[发明专利]弹性边界波装置-CN200780100263.8有效
发明人：松田隆志;松田聪;三浦道雄 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2007-08-14 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明的弹性边界波装置包括多个弹性边界波元件，所述弹性边界波装置的特征在于，所述弹性边界波元件包括：压电材料层；电极，所述电极配置在所述压电材料层之上；第一电介质层，所述第一电介质层以覆盖所述电极的方式形成在所述压电材料层之上；以及第二电介质层，所述第二电介质层形成在所述第一电介质层之上；所述第二电介质层的声速比所述第一电介质层的声速快，所述多个弹性边界波元件中的至少一个弹性边界波元件的第二电介质层的声速不同于其他弹性边界波元件的第二电介质层的声速
弹性边界装置

[发明专利]用于在双镶嵌结构中蚀刻电介质阻挡层的方法-CN201480073342.4有效
发明人：任河;C-L·高;S·S·康;J·T·彭德;S·D·耐马尼;M·B·奈克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供了用于消除双镶嵌结构中的传导层的早期暴露且用于蚀刻双镶嵌结构中的电介质阻挡层的方法。在一个实施例中，用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法包括下列步骤：将硬掩模层用作蚀刻掩模来图案化基板，所述基板具有设置在电介质阻挡层上的电介质块状绝缘层，所述硬掩模层设置在电介质块状绝缘层上；在去除未由所述硬掩模层覆盖的所述电介质块状绝缘层之后，暴露电介质阻挡层的部分；从所述基板中去除所述硬掩模层；以及后续蚀刻由所述电介质块状绝缘层暴露的电介质阻挡层。
用于镶嵌结构蚀刻电介质阻挡方法

[发明专利]在低介电常数电介质上沉积化学气相沉积膜和原子层沉积膜的方法-CN02813259.9无效
发明人：志鹏·劳;驰－I·吴;颖·周;格兰特·M·克洛斯特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2002-09-26 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于增强在低介电常数(低k)电介质层上CVD或ALD沉积的膜/层的成核和/或附着的方法，所述低k电介质层例如为聚合物电介质或掺碳氧化物。在一个实施例中，所述方法包括向沉积室中提供衬底。在衬底上方形成具有活性组分的电介质层。然后，对所形成的具有活性组分的电介质层进行处理，以至少在所形成的电介质层的表面上产生极性基团或极性位置。本发明形成低k有机聚合物电介质层或者有机掺杂的氧化物电介质层，所形成的电介质层具有增强的成核和/或附着特性以用于随后沉积的诸如阻挡材料层的层。
介电常数电介质沉积化学原子方法

[发明专利]具有多种电容量的电容器-CN201510257394.3在审
发明人：杜红炎;陈仁政;孙淑英 -专利权人：北京元六鸿远电子技术有限公司
申请日： 2015-05-19 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01G5/011 文献下载
摘要：本发明提供的一种具有多种电容量的电容器，包括电介质片、外电极和内电极，所述电介质片上印制有内电极，所述电介质片交互层叠设置，其中奇数层的电介质片为第一电介质片，偶数层的电介质片为第二电介质片，所述第一电介质片上的内电极和/或第二电介质片上的内电极至少分为不导通的两段电极，将所述第一电介质片和所述第二电介质片上的每段电极分别引出形成端电极，将所述端电极封装形成外电极。
具有多种容量电容器

[发明专利]半导体装置封装及其制造方法-CN201810933579.5在审
发明人：吕文隆 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体装置封装包含第一电介质层、第一导电层、电子组件、第二电介质层、第二导电层及封装主体。所述第一电介质层具有顶表面、与所述顶表面相对的底表面及在所述顶表面与所述底表面之间延伸的侧向表面。所述第一导电层安置在所述第一电介质层的所述顶表面上。所述电子组件安置在所述第一电介质层的所述顶表面上。所述第二电介质层覆盖所述第一电介质层的所述底表面及所述侧向表面的第一部分，且暴露所述第一电介质层的所述侧向表面的第二部分。所述第二导电层安置在所述第二电介质层的底表面上且电连接到所述第一导电层。所述封装主体覆盖所述电子组件、所述第二电介质层的顶表面及所述第一电介质层的所述侧向表面的所述第二部分。
电介质层顶表面侧向表面第一导电层电子组件第二导电层封装主体安置半导体装置电连接覆盖封装暴露延伸

[发明专利]一种基于Cantor光子晶体的多通道滤波器-CN202110983044.0在审
发明人：刘芳梅 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：包括若干第一电介质层和若干第二电介质层，记第一电介质层为A、第二电介质层为B，所述Cantor光子晶体中各第一电介质层、第二电介质层的排列规则为：S0＝A，N＝base:Sup>N‑1SN‑1，N≥3，其中SN表示序列的第N项，N为整数，表示序列的序号；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质；第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自折射率对应的1/4光学波长。
一种基于 cantor 光子晶体通道滤波器

[发明专利]锗硅异质结晶体管的制造方法-CN202211134855.4在审
发明人：刘丙永;陈曦;黄景丰;杨继业 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种锗硅异质结晶体管的制造方法，提供衬底，衬底上形成有STI以定义出有源区，在衬底上形成第一电介质层，在第一电介质层上形成第一多晶硅层，在第一多晶硅层上形成第二电介质层，之后通过光刻、刻蚀去除部分第二电介质层和第一多晶硅层，以形成位于有源区上的第一叠层；在第一电介质层、叠层上形成第三电介质层，打开STI与叠层间的第三电介质层，使得其下方的第一电介质层裸露，之后刻蚀去除裸露的第一电介质层，用以形成第一凹槽；在第一凹槽的底部形成第一外延层，在第一外延层、第三电介质层上形成第四电介质层。
锗硅异质结晶体制造方法