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[发明专利]用于测序的隧穿结-CN201980041130.0在审
发明人： Y·阿斯蒂耶;F·伯格曼;D·海因德尔;H·库切尔迈斯特;N-P·施滕格勒;J·托波兰奇克 -专利权人：豪夫迈·罗氏有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C12Q1/6869 文献下载
摘要：可以借由在隧穿结处进行隧穿识别来分析分子(例如，进行核酸分子的测序)。本发明的实施例可以允许使用隧穿结来检测个体核苷酸以及进行核酸分子的测序。通过用某一部分标记特定核苷酸，隧穿结可以生成具有合适信噪比的信号。所述隧穿识别使用主要穿过所述部分而不是主要穿过所述目的核苷酸或目的分子的一部分的隧穿电流。由于可以使用具有合适信噪比的信号来检测单个核苷酸，所以本发明的实施例可以允许使用隧穿电流快速检测核苷酸，所述信号由穿过所述部分的隧穿电流产生。
用于隧穿结

[发明专利]一种新型的磁隧穿结器件及其制造方法-CN201110318281.1有效
发明人：季明华;韩秀峰;于国强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型的磁隧穿结器件及其制造方法。利用大马士革工艺制造磁隧穿结器件，从而在绝缘层的开口内形成杯形的磁隧穿结器件。进一步的，在杯形的磁隧穿结器件侧壁顶部形成钝化层，以封闭该侧壁顶部，从而减少磁力线的泄露。通过上述工艺，可以使得磁隧穿结器件共用CMOS工艺线，并且提高磁隧穿结器件的良率。
一种新型磁隧穿结器件及其制造方法

[发明专利]磁穿隧接面所用的保护钝化层-CN201880019758.6在审
发明人：裘地·玛丽·艾维塔;真杰诺;童儒颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：此处揭露磁阻随机存取记忆体技术所用的磁性装置，其中具有侧壁的磁穿隧接面(MTJ,11a)形成于底电极(10a)与顶电极(14a)之间。钝化层(12)为含硼、碳、锗、或其他合金的单层或多层其形成于磁穿隧接面的侧壁，以在后续制程时保护磁穿隧接面免于反应性物种的影响。后续制程包沉积介电层(13)以电性隔离磁穿隧接面(11a)与相邻的磁穿隧接面(11b)，以及互补式金氧半制程。
磁穿隧接面所用保护钝化

[发明专利]一种势垒调控式H形栅控双向隧穿晶体管及其制造方法-CN201711050865.9有效
发明人：靳晓诗;马恺璐;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种势垒调控式H形栅控双向隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有H形栅电极、势垒调节栅和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制金属源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
一种调控形栅控双向晶体管及其制造方法

[发明专利]一种实现可靠性测试及阻值偏差补偿的压阻式传感器-CN202111251494.7有效
发明人：黄晓东;张鹏飞;王广猛;熊强;李宇翱;张志强 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现可靠性测试及阻值偏差补偿的压阻式传感器，包括压力敏感薄膜、压敏电阻、隧穿层，电荷存储层设置在隧穿层的上表面，并位于压敏电阻的上方，且部分覆盖压敏电阻；阻挡层完全覆盖隧穿层和电荷存储层的上表面；压阻电极设置在阻挡层的上表面，并穿过隧穿层和阻挡层上的通孔与压敏电阻电连接；调控电极设置在阻挡层的上表面，与压阻电极相间隔，并部分覆盖电荷存储层。其中，压敏电阻、隧穿层、电荷存储层、阻挡层与调控电极构成电荷型非易失性存储器结构，该结构能够实现定量调控电荷存储层中的俘获电荷数目以及通过俘获的电荷调控压敏电阻的载流子浓度进而调整压敏电阻的阻值，从而实现压敏电阻的有效修正与补偿
一种实现可靠性测试阻值偏差补偿压阻式传感器

[发明专利]基于二维材料的磁性隧穿结器件及其制作方法-CN201811495195.6在审
发明人：刘强;俞文杰;陈治西;刘晨鹤;任青华;赵兰天;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种基于二维材料的磁性隧穿结器件及其制作方法，包括：第一金属连接层，形成于一CMOS电路基底上、第一金属过渡层、固定磁层，所述固定磁层为二维磁性材料层、隧穿层，所述隧穿层为二维绝缘材料层，所述隧穿层包含二维绝缘材料层的层数为本发明在制作完隧穿层之后，采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或薄膜剥离‑转移工艺制作自由磁层，可以避免隧穿层不被溅射粒子损伤，提高隧穿层的质量。本发明的隧穿层为1～5层二维绝缘材料，隧穿层的一致性非常好，大大提高隧穿几率，同时，可以使得固定磁层和自由磁层的磁化方向互不发生强烈影响。
基于二维材料磁性隧穿结器件及其制作方法

[发明专利]隧穿工具-CN202010617184.1在审
发明人：王晓凯;唐龙军;何庆;徐永强;吴曦 -专利权人：上海神奕医疗科技有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： A61N1/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种隧穿工具，用于建立皮下隧道，以将电极经皮下隧道引出，包括：手柄；造隧端子；造隧杆，近端连接所述手柄，远端可拆卸地连接所述造隧端子；连接件，设置在所述造隧杆的远端，用于与电极可拆卸的连接；以及造隧管，可拆卸地套设在所述造隧杆上，且所述造隧管被配置为相对于所述造隧杆在轴向上被限制移动。在实施时，所述隧穿工具能够兼容不同的皮下隧穿方式，以较方便地满足不同医生的操作习惯，使手术操作更为灵活和方便，而且通过造隧杆牵引电极的方式，也使皮下隧穿操作更快捷，手术时间更短。
工具

[发明专利]氮化镓温度传感器及其制备方法和应用-CN202111114273.5在审
发明人：刘泽文;孙剑文 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：其中，该氮化镓温度传感器包括氮化镓层、隧穿层、阴极和阳极，所述隧穿层设在所述氮化镓层的至少一部分表面上，所述隧穿层上设有电极孔；所述阴极设在所述电极孔中并与所述氮化镓层接触；所述阳极设在所述隧穿层的部分表面上该温度传感器采用金属‑隧穿层‑氮化镓新型结构，利用载流子在受热激发后隧穿通过隧穿层的概率增大的原理，即热致隧穿效应，通过检测隧穿电流的大小实现对温度的检测和传感，具有耐高温、高线性度和高灵敏度的优势，可以更好的满足大功率
氮化温度传感器及其制备方法应用

[实用新型]氮化镓温度传感器-CN202122311261.3有效
发明人：刘泽文;孙剑文 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：该氮化镓温度传感器包括氮化镓层、隧穿层、阴极和阳极，所述隧穿层设在所述氮化镓层的至少一部分表面上，所述隧穿层上设有电极孔；所述阴极设在所述电极孔中并与所述氮化镓层接触；所述阳极设在所述隧穿层的部分表面上该温度传感器采用金属‑隧穿层‑氮化镓新型结构，利用载流子在受热激发后隧穿通过隧穿层的概率增大的原理，即热致隧穿效应，通过检测隧穿电流的大小实现对温度的检测和传感，具有耐高温、高线性度和高灵敏度的优势，可以更好的满足大功率
氮化温度传感器

[发明专利]一种隧穿氧化层的制造方法和具有该隧穿氧化层的快闪存储器-CN201410390775.4在审
发明人：许毅胜;于法波;熊涛;刘钊;舒清明 -专利权人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧穿氧化层的制造方法和具有该隧穿氧化层的快闪存储器，该制造方法包括：在硅衬底表面形成第一氧化层并去除，以形成处理后的硅衬底；在所述处理后的硅衬底表面形成隧穿氧化层。本发明提供的一种隧穿氧化层的制造方法和具有该隧穿氧化层的快闪存储器，通过在形成隧穿氧化层之前，在硅衬底表面首先形成第一氧化层并去除，随后在处理后的硅衬底上再形成隧穿氧化层，使隧穿氧化层的致密度好、质量高
一种氧化制造方法具有闪存

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN202111167712.9在审
发明人：张亘亘;卢棨彬 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：存储器结构包括电荷捕捉层、第一氮氧化硅隧穿膜以及第二氮氧化硅隧穿膜。第一氮氧化硅隧穿膜在电荷捕捉层与第二氮氧化硅隧穿膜之间。第一氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度对于氧原子与氮原子的总浓度的第一原子浓度比率为10％至50％。第二氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度对于氧原子与氮原子的总浓度的第二原子浓度比率为1％至15％。第二氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度小于第一氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度。
存储器结构及其制造方法

[发明专利]基于隧穿隔离层的磁性隧穿结器件及其制作方法-CN201811495192.2有效
发明人：刘强;俞文杰;陈治西;刘晨鹤;任青华;赵兰天;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种基于隧穿隔离层的磁性隧穿结器件及其制作方法，该器件包括：第一金属连接层，所述第一金属连接层形成于一CMOS电路基底上、第一金属过渡层、隧穿隔离底层、固定磁层、隧穿层、自由磁层、隧穿隔离顶层本发明采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或薄膜剥离‑转移工艺制作自由磁层，可以避免隧穿层不被溅射粒子损伤，提高隧穿层的质量。本发明的隧穿隔离层可有效隔绝金属过渡层与固定磁层以及自由磁层，使固定磁层、自由磁层与金属过渡层间没有界面态，以保证固定磁层、自由磁层良好的铁磁性能。
基于隔离磁性隧穿结器件及其制作方法

[发明专利]具有穿隧接面层的垂直腔面激光发射器(VCSEL)-CN202011048141.2有效
发明人：黄朝兴;金宇中;戴文长 -专利权人：全新光电科技股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种具有穿隧接面层的垂直腔面激光发射器(VCSEL)，在VCSEL中设置高掺杂浓度的穿隧接面层，其中通过使穿隧接面层的N型穿隧接面层相对于基板具有应力以及掺杂至少一元素，而使穿隧接面层不仅具有高掺杂浓度，且在后续的氧化处理时，外延层不但能被氧化且氧化速率较稳定；或者，N型穿隧接面层掺杂至少两种元素。借此，VCSEL不但能稳定进行氧化制程，且高掺杂浓度的穿隧接面层的电阻小，适合设置在VCSEL的两主动层之间或P型半导体层与N型半导体层之间；N型穿隧接面层也适合作为欧姆接触层。
具有穿隧接面层垂直激光发射器 vcsel

[发明专利]水平式隧穿磁强计-CN200410074075.0无效
发明人：尤政;杨拥军;汤学华;何洪涛;王晓路;吝海峰 -专利权人：清华大学;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2004-09-03 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：水平式隧穿磁强计，属于传感器技术领域。为了解决现有技术中隧穿式磁强计的加工难度大的问题，本发明公开了一种用于磁场测量的微小型水平式隧穿磁强计，包括表头芯片和反馈控制电路部分，表头芯片由硅片和玻璃两部分键合而成，所述硅片部分包括质量弹簧系统和线圈
水平式隧穿磁强计

[发明专利]半导体元件-CN201910188649.3在审
发明人：胡振国;廖建舜;高伟智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：在一些实施例中，一种半导体元件包括基板、在基板上的电荷储存元件，及在基板上邻接电荷储存元件的穿隧二极管。穿隧二极管包括在基板上的穿隧二极管介电层，及在穿隧二极管介电层上的穿隧二极管电极。基板电极安置于基板的掺杂区域上，且穿隧二极管电极位于电荷储存元件及基板电极之间。
半导体元件