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[发明专利]CMOS传感器及CMOS传感器的形成方法-CN201910816560.7有效
发明人：田志;李娟娟;邵华;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS传感器，包括：半导体器件、位于所述半导体器件上的电荷阻挡层和栅极结构以及位于所述栅极结构和所述电荷阻挡层上的隔离层，本发明还提供了一种CMOS传感器的形成方法，包括：形成一半导体器件；在所述半导体器件上形成电荷阻挡层；在所述半导体器件上并且在所述电荷阻挡层一侧形成栅极结构；在所述电荷阻挡层和所述栅极结构上形成隔离层。在本发明提供的CMOS传感器及CMOS传感器的形成方法中，形成的电荷阻挡层可以阻挡隔离层产生的正电荷，可以阻挡氮化硅层中的电荷，降低电荷对于钉扎P型层的耗尽，使钉扎P型层增强，来抑制光电二极管中电子与表面态的结合
cmos 传感器形成方法

[实用新型]过线胶圈-CN201620434353.7有效
发明人：徐金辉;陈宁宁;李真仲 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： F16L5/10 文献下载
摘要：一种过线胶圈包括本体及第一阻挡片，所述本体相对的两端贯穿形成过线孔，所述过线孔包括进线口及与所述进线口连通的出线口；所述第一阻挡片设置于所述过线孔的内壁上并隔离于所述进线口与所述出线口之间，且所述第一阻挡片上设置有供缆线穿过的穿线孔上述过线胶圈内设置有用于将过线孔中进线口与出线口隔离的第一阻挡片，如此以有效的阻挡水、灰尘或动物的进入。
胶圈

[发明专利]基于隔离与互连的共聚物有机半导体器件及制备方法-CN202310503183.8在审
发明人：张珺;王赋斌;张浩;沈希舟;林昊南;唐蔚宇;汪磊;胡晨晨;牟亚彬;吴鑫;常恒典;郭宇锋;姚佳飞;陈静 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10K19/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于隔离与互连的共聚物有机半导体器件及制备方法，包括衬底、光刻阻挡层、绝缘隔离层、N个有机场效应晶体管和N‑1根互连线；光刻阻挡层包括隔离层和无机介质层；隔离层沿长度方向开设有N个纵向贯通的隔离槽；无机介质层包括下介质层和上介质层；下介质层位于N个隔离内，上介质层铺设在隔离层和下介质层顶部；每个有机场效应晶体管均包括半导体层、源极、漏极和栅极；半导体层布设在对应下介质层节段底部的隔离槽内，其材料为有机共聚物本发明有效利用隔离槽以及光刻阻挡层，将不同半导体材料的半导体层进行包裹隔离，从而实现在同一基板上集成不同的有机场效应晶体管，且有机场效应晶体管能实现有效互连。
基于隔离互连共聚物有机半导体器件制备方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法、静态随机存储器及其形成方法-CN201310365829.7有效
发明人：隋运奇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法和静态随机存储器及其形成方法，所述半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和两行以上隔离沟槽，所述有源区位于相邻所述隔离沟槽之间；隔离结构，所述隔离结构包括位于所述隔离沟槽底部和侧壁上的第一隔离层、位于所述第一隔离层上的阻挡层和位于所述阻挡层上的第二隔离层；栅极结构，所述栅极结构包括横跨所述有源区和所述有源区两侧至少部分第一隔离层的第一介质层、位于所述第一介质层上的第二介质层和位于所述第二介质层上的金属栅极；侧墙，所述侧墙位于所述隔离结构上且覆盖所述栅极结构的侧壁，所述侧墙至少覆盖部分所述阻挡层。
半导体器件及其形成方法静态随机存储器

[实用新型]一种无油立式真空泵-CN201620391558.1有效
发明人：方百红 -专利权人：江苏力禾颜料有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： F04B37/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无油立式真空泵，包括泵头、泵体和底座，泵头包括气缸部分和隔离腔，气缸两端设有入气口和出气口，内部设有活塞和活塞杆，活塞杆穿过隔离腔，所隔离腔一侧有填料口，内部填充分子筛，泵体内部顶端设有挡油板挡油板可以在一定程度上阻挡油气扩散入隔离腔中；隔离腔中的分子筛可以吸附扩散到隔离腔中的油气，进一步阻挡油扩散到气缸中，隔离腔一侧有填料口，可以随时更换分子筛，不需要停机。通过挡油板阻挡和隔离腔分子筛吸附的双重作用，可以使真空泵的气缸清洁无油污，使用寿命增长。
一种立式真空泵

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310142130.4在审
发明人：殷华湘;张永奎;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片和沟槽；在沟槽中形成隔离层；在鳍片中和/或鳍片与衬底界面处形成穿通阻挡层；刻蚀隔离层以暴露部分鳍片，剩余隔离层构成浅沟槽隔离依照本发明的半导体器件及其制造方法，在鳍片中以及浅沟槽隔离下方形成穿通阻挡层，有效抑制了寄生沟道效应并且可以减小浅沟槽隔离所需厚度，从而提高了器件可靠性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]状态数据与测量数据集成的隔离器系统-CN201310142191.0有效
发明人： M·米克 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： G05B9/02 文献下载
摘要：公开了一种隔离器系统，其中一对电路系统被隔离阻挡物分开，但是电路系统通过跨越所述隔离阻挡物的隔离器装置进行相互通信。第一电路系统可以包括测量系统，其产生测量数据；以及状态监视器，其产生状态数据。第一电路系统还可以包括通信系统，其将所述测量数据和所述状态数据多路复用以用于跨公共隔离器装置传输。以这样的方式，可以比常规设计降低隔离器装置的数目。
状态数据测量集成隔离器系统

[发明专利]一种钢芯自动上料机构-CN200910121365.9有效
发明人：余海勇;曾云翔;诸洪;彭旭;刘桂林;蒋晓辉 -专利权人：中国兵器工业第五八研究所
申请日： 2009-05-20 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： F42B33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种钢芯自动上料机构，所述的自动上料机构的存料滑槽安装在支架上，阻挡气缸和隔离气缸安装在存料滑槽上，隔离气缸安装在阻挡气缸的下方，分路气缸固定在支架上，位置在阻挡气缸和隔离气缸的中间，导向套固定在存料滑槽的下部，导向套的口部对准弹头壳的口部；当阻挡气缸伸出时，能够将钢芯挡住，当隔离气缸收回时，钢芯落入导向套中，分路气缸伸出将钢芯由导向套I的上方推到导向套II的上方，使带铅套的钢芯一发或两发同时从导向套内分别落入弹头壳中本发明能够实现带铅套钢芯的一发或两发自动上料，操作人员与带铅套钢芯以及弹药进行了安全隔离，安全性好。本发明适用于枪弹、炮弹装配技术领域。
一种自动机构

[实用新型]一种键盘-CN202022197831.6有效
发明人：郭延新 -专利权人：新乡水滴网络科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01H13/86 文献下载
摘要：本实用新型提供一种键盘，包括巧克力键盘主体、支座、隔离板、支撑块、按键和复位件，支座一端与巧克力键盘主体前端铰接，另一端可绕铰接处转动，支座上设有多个空腔，空腔上下两端开口设置，上端开口处设有第一阻挡块；隔离板与支座下端可拆卸连接以盖合空腔下端开口，隔离板上对应空腔设置有多个通孔；支撑块设于隔离板远离支座的一端，支撑块与隔离板固定连接，且可与巧克力键盘主体上表面抵接；按键对应设置在空腔内，且可沿通孔方向滑动，按键包括设于按键下端的轴杆和设于按键两侧的第二阻挡块，轴杆一端伸出通孔设置，且可与巧克力键盘主体的键帽相抵，第二阻挡块可与第一阻挡块抵接，防止按键脱离空腔；复位件设在空腔内以将按键复位。
一种键盘

[发明专利]一种双面电池边缘无损伤隔离方法-CN201611110157.5有效
发明人：杨洁;张昕宇;金浩;王东;王金艺;康迪 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种双面电池边缘无损伤隔离方法，包括在经过正面硼扩散和刻蚀之后的硅片的背面边缘和侧面，制作环形的扩散阻挡层，其中，所述硅片的背面边缘的所述扩散阻挡层具有预设宽度；在所述硅片背面的所述扩散阻挡层环绕的区域内，进行磷扩散形成n+层和PSG层；去除所述扩散阻挡层和所述PSG层。本申请提供的双面电池边缘无损伤隔离方法，能够抑制硼和磷原子在边缘区域的交叉扩散，实现无损伤边缘隔离，并避免了刻蚀工艺的引入而带来的工艺成本增加和边缘漏电的问题。
一种双面电池边缘损伤隔离方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN200710039813.1有效
发明人：向阳辉;荆学珍 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-20 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括下列步骤：在半导体基底上依次形成垫氧化层和腐蚀阻挡层；蚀刻腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体基底，形成浅沟槽；在浅沟槽侧壁形成衬氧化层；用次常压化学气相沉积法在浅沟槽内填充满绝缘层，所述沉积法选用比例为10/1～20/1的O₃/TEOS；退火半导体基底后，平坦化绝缘层至露出腐蚀阻挡层；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。经过上述步骤，浅沟槽隔离结构中不会产生带洞的缝隙，进而不会产生漏电流及短路现象。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]热稳定且电隔离的阻挡膜-CN201880065854.4在审
发明人： A·W·马丁;S·M·奥马利 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：一种热固性阻挡膜，其包括：反应产物，所述反应产物包含：酐封端的氟化聚酰亚胺低聚物，具有环氧基、二芳基或丙烯酸酯基团的POSS交联剂，具有丙烯酸酯和环氧基基团的连接剂，环氧基硅烷附着力促进剂和引发剂；并且所述阻挡膜通过如本文定义的式还公开了制造和使用所述热固性阻挡膜的方法，以及包含所述热固性阻挡膜的装置。
稳定隔离阻挡

[实用新型]一种村口阻挡用隔离栏-CN202021405660.5有效
发明人：王雪曼 -专利权人：王雪曼
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： E01F13/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种村口阻挡用隔离栏，包括支撑座，所述支撑座设置有两个，所述支撑座的上端面设置有支撑杆，两个所述支撑杆之间设置有活动框架，所述活动框架包括纵向杆和横向杆，所述纵向杆设置有两个，横向杆设置有多个
一种村口阻挡隔离

[发明专利]简易倒装高压LED芯片的制备方法-CN201710278607.X在审
发明人：李智勇;张向飞;刘坚 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED芯片工艺领域，公开了一种简易倒装高压LED芯片的制备方法，包括在外延层上进行刻蚀形成隔离沟槽和N电极沟槽以形成Mesa平台，深刻蚀隔离沟槽形成隔离道，制作覆盖部分N电极沟槽底部、部分Mesa平台以及相邻两个芯片单元区域之间部分隔离道的电流阻挡层，形成覆盖部分Mesa平台及全部第二电流阻挡层的欧姆接触层，制作覆盖电流阻挡层的电流扩展引线，制作隔离反射层并在其上形成P导电通道和N导电通道，制作焊接用的
简易倒装高压 led 芯片制备方法

[实用新型]接地端组件、隔离接地开关及气体绝缘设备-CN202121554534.0有效
发明人：王军 -专利权人： ABB电网瑞士股份公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01H31/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及接地端组件、隔离接地开关及气体绝缘设备。所述接地端组件用于三相共箱式隔离接地开关(S)并包括：绝缘子(1)，所述绝缘子(1)包括绝缘本体(11)和导电嵌件(12)，所述导电嵌件(12)嵌入所述绝缘本体(11)中并适于被驱动旋转；接地触头(2)，所述接地触头(2)与所述导电嵌件(12)可拆卸式螺纹连接；以及阻挡部件，所述阻挡部件与所述接地触头(2)配合以适于阻挡所述接地触头(2)的旋转。根据本实用新型的接地端组件能够以成本较低的方式使三相共箱式隔离接地开关的接地端的绝缘子从该隔离接地开关的壳体外部直接拆卸或安装，因此便于该隔离接地开关的现场维护。
接地组件隔离开关气体绝缘设备