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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于CIS器件的隔离区形成方法、半导体器件结构-CN202011513417.X在审
发明人：邱元元;郭振强;黄鹏;范晓 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于CIS器件的隔离区形成方法、半导体器件结构，涉及半导体制造领域。该用于CIS器件的隔离区形成方法包括在衬底上形成阻挡层；所述阻挡层下方为氧化层，所述氧化层下方为氮化硅层，所述衬底中形成有浅沟槽隔离，在所述阻挡层表面形成硬掩膜层，所述硬掩膜层的材料为氧化物；通过光刻工艺和刻蚀工艺在所述硬掩膜层中形成隔离区图案；根据所述隔离区图案进行离子注入工艺，在所述衬底中形成隔离区；解决了目前光刻胶难以满足小尺寸器件高宽深比的高能注入工艺需求的问题；达到了有效实现小尺寸器件的高能离子注入的效果。
用于 cis 器件隔离形成方法半导体器件结构

[发明专利]隔离结构的制作方法-CN200910197077.1无效
发明人：张步新 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种隔离结构的制作方法，包括：提供依次形成有垫氧化层、腐蚀阻挡层和光刻胶层的半导体衬底，所述光刻胶层上定义有浅沟槽图形；以光刻胶层为掩膜，刻蚀腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体衬底，形成深度小于预定深度的浅沟槽；向浅沟槽内的半导体衬底注入氧离子，在浅沟槽底部的半导体衬底内形成绝缘层，在浅沟槽侧壁形成衬氧化层；向浅沟槽内填充满绝缘氧化层；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成由绝缘层和绝缘氧化层构成的隔离结构，所述隔离结构的深度为预定深度本发明避免了在浅沟槽隔离结构内产生空洞和缝隙的现象，提高了浅沟槽隔离结构的隔离功能。
隔离结构制作方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板-CN202010698645.2有效
发明人：张则瑞;樊浩原;王子峰;李大利;王战胜 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10K50/844 文献下载
摘要：本发明的一种阵列基板，具有显示区和摄像区，在由摄像区的中心指向摄像区的边缘的方向上，摄像区依次分为安装子区、第一隔离子区、阻挡子区、第二隔离子区，显示边缘子区，安装子区用于安装摄像装置；阵列基板包括：基底；位于基底上的第一有机层；位于第一有机层远离基底一侧的阻挡结构，阻挡结构位于阻挡子区中；位于第一有机层远离基底一侧的封装结构，封装结构位于第一隔离子区、第二隔离子区和显示边缘子区中。
阵列及其制备方法显示面板

[实用新型]全自动鞋底排列机-CN201720434409.3有效
发明人：刘春雪 -专利权人：东莞市芯天下智能化设备有限公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： A43D117/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种全自动鞋底排列机，包括有机架、上顶装置、隔离斜度板、靠边定位装置以及阻挡装置；该机架上设置有多个输送皮带，该多个输送皮带间隔平行设置，多个输送皮带由一驱动装置带动同步运转；该上顶装置、隔离斜度板、靠边定位装置和阻挡装置均设置于机架上并沿输送皮带的输送方向依次设置。通过配合设置上顶装置、隔离斜度板、靠边定位装置和阻挡装置，利用上顶装置对鞋底进行上顶，利用隔离斜度板对鞋底进行导引，利用靠边定位装置进行鞋底进行靠边定位，并配合阻挡装置对定位好的鞋底进行逐一放行，以实现对鞋底的自动排列
全自动鞋底排列

[发明专利]显示面板和显示装置-CN202310805057.8在审
发明人：初志文;张波;屈忆;王欣欣;冯翱远 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K59/122 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种显示面板和显示装置，其中，显示面板包括：基底；第一金属层，设置于基底的一侧；第一平坦层，设置于第一金属层的背离基底的一侧；至少一个阻挡坝，设置于第一金属层的背离基底的一侧，阻挡坝的两侧形成隔离槽，隔离槽隔断第一平坦层，且隔离槽在基底上的正投影与第一金属层在基底上的正投影交叠；至少一个阻挡坝中包括第一阻挡坝，第一阻挡坝具有与第一平坦层同层设置的第一阻挡层；第一钝化层，设置于第一平坦层的背离基底的一侧，第一金属层在基底上的正投影与隔离槽在基底上的正投影的交叠区域位于第一钝化层在基底上的正投影内。
显示面板显示装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910452293.X在审
发明人：赵海 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底以及分立于所述衬底上的鳍部，所述鳍部露出的衬底上形成有隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，其中，沿所述鳍部的延伸方向上，相邻所述鳍部和隔离层围成隔离槽；形成阻挡层，所述阻挡层至少位于所述隔离槽的侧壁上；形成所述阻挡层后，形成栅极结构，所述栅极结构包括第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构横跨鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述第二栅极结构位于所述隔离槽底部的隔离层上
半导体结构及其形成方法

[发明专利]TSV无源转接板及其制造方法-CN202110241335.2有效
发明人：陈琳;朱宝;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供了一种TSV无源转接板，包括：硅衬底，所述硅衬底间隔设有若干通孔；隔离介质，设于所述通孔的内侧面；扩散阻挡层，位于所述通孔内，设于所述隔离介质；第一籽晶层，设于所述扩散阻挡层；导电层，设于所述第一籽晶层，将所述通孔填充；去除所述隔离介质的之间的部分所述硅衬底，使所述隔离介质两端突出于所述硅衬底。本发明通过去除所述隔离介质的之间的部分所述硅衬底，所述隔离介质两端突出于所述硅衬底，使隔离介质、扩散阻挡层、第一籽晶层和导电层形成的硅通孔结构之间出现大量间隙，有利于硅通孔结构的散热，提高了使用寿命。
tsv 无源转接及其制造方法

[发明专利]鳍式场效应管的形成方法-CN201410445807.6有效
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有若干分立的鳍部；在所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层顶部低于所述鳍部顶部且覆盖于鳍部的部分侧壁表面；形成覆盖于所述隔离层表面、鳍部的顶部和侧壁表面的阻挡层；采用氧化处理，将部分厚度的阻挡层转化为钝化层；回刻蚀所述钝化层，形成覆盖于鳍部侧壁表面的阻挡层表面的钝化侧墙；以所述钝化侧墙为掩膜，采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除位于鳍部顶部表面的阻挡层，且保留位于鳍部侧壁表面的阻挡层作为阻挡侧墙
场效应形成方法

[发明专利]注入物再生长VCSEL和具有不同VCSEL类型的异构组合的VCSEL阵列-CN201780067041.4有效
发明人：卢克·A·格拉哈姆;索尼娅·夸德里;迪帕·加祖拉;杨海泉 -专利权人：菲尼萨公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：非平坦化VCSEL可包含：在有源区上方或下方的阻挡区，所述阻挡区具有第一厚度；阻挡区中的一个或更多个导电沟道芯，所述一个或更多个导电沟道芯具有大于第一厚度的第二厚度，其中所述阻挡区限定为具有注入物，并且所述一个或更多个导电沟道芯没有注入物，其中，所述阻挡区位于一个或更多个导电沟道芯的侧向，所述阻挡区和一个或更多个导电沟道芯成为隔离区；和在隔离区上方的一个或更多个非平坦化半导体层的非平坦化半导体区。VCSEL可包含在有源区下方的平坦化底部镜区和在隔离区上方的非平坦化顶部镜区，或者在有源区下方的非平坦化底部镜区。
注入再生 vcsel 具有不同类型组合阵列

[发明专利]隔离层及其制备方法、锂硫电池-CN202110412595.1有效
发明人：吕伟;刘文华;刘子琛;游从辉;杨全红 -专利权人：清华大学深圳国际研究生院
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01M50/449 文献下载
摘要：一种隔离层，包括基体层和设于所述基体层上的阻挡层，所述阻挡层包括导电碳载体和负载于所述导电碳载体上的氮化物‑硫化物异质结构双向催化剂。本发明还提供一种隔离层的制备方法，及应用该隔离层的锂硫电池。本发明应用该隔离层的锂硫电池具有较佳的倍率性能和循环稳定性。
隔离及其制备方法电池

[发明专利]一种FinFET制造方法-CN201410185066.2有效
发明人：张珂珂;尹海洲;刘云飞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种FinFET制造方法，包括：a.提供衬底，并在所述衬底上形成鳍片；b.所述鳍片两侧的衬底上形成隔离层；c.在被所述隔离层覆盖的部分鳍片中形成穿通阻挡层，使所述穿通阻挡层中的杂质浓度峰值所在的位置低于所述隔离层表面；d.对所述隔离层进行刻蚀，使其表面与所述穿通阻挡层杂质浓度峰值所在的位置平齐；e.在所述鳍片两端分别形成源漏区，跨过所述鳍片中部形成栅极结构，并在所述隔离层上方填充层间介质层。
一种 finfet 制造方法

[发明专利]阵列基板及其制作方法、液晶显示装置-CN201410486673.2有效
发明人：刘翔 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明属于液晶显示领域，公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，所述方法包括在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体层和蚀刻阻挡层；对蚀刻阻挡层进行一次构图工艺，在所述蚀刻阻挡层上形成源电极接触区过孔、漏电极接触区过孔以及围绕待形成的源漏电极图案的隔离区；在所述蚀刻阻挡层上形成源漏电极层；在对所述源漏电极层进行一次构图工艺形成源漏电极图案的过程中，去除金属氧化物半导体层与所述隔离区对应的部分，以使所述金属氧化物半导体层在与所述隔离区对应的位置断开本发明需要去除的金属氧化物半导体层仅是位于隔离区的，避免了大面积刻蚀蚀刻阻挡层造成的资源浪费。
阵列及其制作方法液晶显示装置

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202111130025.X在审
发明人：宛伟;张帅;修春雨 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：该半导体结构包括：基底，包括沟槽，沟槽内包括栅极结构，栅极结构的顶面低于沟槽的顶面；第一刻蚀阻挡层，覆盖栅极结构的顶面、沟槽的部分侧壁及基底的上表面；封闭隔离结构，位于沟槽内的第一刻蚀阻挡层之间，封闭隔离结构至少封堵沟槽的开口；空气间隙，位于第一刻蚀阻挡层与封闭隔离结构之间，空气间隙至少包括横向部，封闭隔离结构的底部位于横向部上。
半导体结构及其制备方法

[实用新型]排气筒内表面复合阻挡性防腐蚀加筋建筑内衬结构-CN201120226479.2有效
发明人：卢利和;张喜儒;马国红;李治学 -专利权人：内蒙古电力勘测设计院
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： E04F17/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种排气筒内表面复合阻挡性防腐蚀加筋建筑内衬结构，其包括与排气筒内表面紧密贴合的惰性的阻挡性防腐蚀整体隔离层，与所述惰性的阻挡性防腐蚀整体隔离层紧密贴合的缓蚀性的阻挡性加筋隔热防腐蚀整体防护层，与所述缓蚀性的阻挡性加筋隔热防腐蚀整体防护层紧密贴合的牺牲性的阻挡性耐腐蚀材料面层。本实用新型的优点在于，不但个体防腐性功能强、综合阻挡性防腐性功能更强，使得复合阻挡性防腐蚀加筋建筑内衬结构发挥有效协同作用，确保排气筒在系统中的安全运行。
气筒表面复合阻挡腐蚀建筑内衬结构

[实用新型]一种无动力回水装置-CN202221354113.8有效
发明人：尧瑞稀;尧泽刚;张声莲;魏明 -专利权人：四川泰合泰环境工程有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了污水处理技术领域的一种无动力回水装置，包括污水槽和阻挡板，污水槽的一侧设有阻挡板，阻挡板的一侧设有过水孔，过水孔嵌设在阻挡板的表面，污水槽的一侧设有处理槽，过水孔的一侧设有隔离盘，隔离盘的一侧设有水管，水管的一端设有三通，三通的一端设有回流管，污水槽的一侧设有增氧泵，增氧泵的一侧设有气管，通过设有的过水孔，污水槽内的污水通过过水孔进入隔离盘的内部，隔离盘可对漂浮物起到隔离作用，从而使漂浮物留在隔离盘的内部
一种动力回水装置

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