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[发明专利]锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法-CN201310043881.0无效
发明人：季海铭;罗帅;杨涛 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长量子阱结构，该量子阱结构引入锑源作为表面活性剂；步骤4：在量子阱结构上生长盖层，完成量子阱的制备。本发明通过在InAs量子阱的生长过程中引入锑原子作为表面活性剂，促进外延表面更加平整，减缓材料薄膜的局部应力释放，改善材料的晶体质量。
作为表面活性剂 inp inas 量子材料生长方法

[发明专利]LED结构及其形成方法-CN201310676275.2在审
发明人：张旺 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED结构及其形成方法。其中该LED结构包括：衬底；第一掺杂类型氮化物半导体层；第一电极；多量子阱，多量子阱包括周期交替排列的多个阱层和多个垒层，其中，阱层中具有p型掺杂区，其中，当第一掺杂类型为n型时，p型掺杂区位于阱层的前端，或者，当第一掺杂类型为p型时，p型掺杂区位于阱层的后端；第二掺杂类型氮化物半导体层；以及第二电极。本发明的LED结构通过在阱区局部进行p型掺杂，使阱区内部的空穴浓度得到明显提升，同时增加了电子与空穴的波函数分布重合概率，最终使发光效率得到提升。
led 结构及其形成方法

[发明专利]集成电容元件与对应的生产方法-CN202110277995.6在审
发明人： A·马扎基 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种集成电路，包括包含在半导体衬底中的第一半导体阱和包含在第一半导体阱中的第二半导体阱。一种用于集成电路的电容元件，包括第一电极和第二电极，其中第一电极包括至少一个竖直导电结构，填充竖直延伸到第一半导体阱中的沟槽。竖直导电结构通过覆盖基部和沟槽侧面的介电包封层与第一半导体阱电隔离。竖直导电结构至少在沟槽的一个纵向端部处穿透第二半导体阱。第二电极包括第一半导体阱和第二半导体阱。
集成电容元件对应生产方法

[发明专利]绝缘体上硅的横向P型双扩散金属氧化物半导体管-CN200910212768.4有效
发明人：易扬波;王钦;刘侠;李海松;陈文高 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种绝缘体上硅的横向P型双扩散金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋氧化层，在埋氧化层上设有高压N型阱和高压P型阱，高压N型阱上设有N型阱和P型漂移区，且P型漂移区延伸到高压P型阱的上半部分，在N型阱上设有N型的D阱区，从而形成三层N型的阱结构，且器件表面的氧化层存在台阶结构，而氧化层在P型漂移区上面部分的厚度明显大于其他部分的厚度。该发明结构能够有效提高器件的耐压，并且可以防止漂移区和源区之间的穿通。
绝缘体横向扩散金属氧化物半导体

[发明专利]一种GaN（绿光）量子阱结构的生长方法-CN201410090733.9有效
发明人：林长军 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN（绿光）量子阱结构的生长方法，其GaN量子阱结构自下而上依次为衬底、低温氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、阶段式量子阱层、P型氮化镓层和P型接触层，所述生长方法包括如下步骤：在高纯氮气的条件下，净化衬底，然后依次在净化后的衬底上生长高温氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、阶段式量子阱层、P型铝镓氮层和P型接触层，本发明在阱处对TMIn进行掺杂，分别在不同的压力、流量、转速、温度、Ⅴ/Ⅲ摩尔比的生长环境下，进行量子阱结构的生长，在最后的阱处发生复合发光，从而解决目前绿光GaN的量子阱复合不顺利的情况，为提高亮度提供了保障，亮度提升明显。
一种 gan 量子结构生长方法

[发明专利]一种氮化镓基LED的量子阱结构及生长方法-CN200910062769.5无效
发明人：孙飞;魏世祯;刘玉萍 -专利权人：武汉华灿光电有限公司
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基LED的量子阱结构及生长方法，其主要在形成多量子阱结构时，数目上形成X+Y(1≤X≤10，1≤Y≤20)的生长方式，即先生长X个量子阱，再生长Y个量子阱。其中前X个量子阱的势阱层厚度比后Y个量子阱的势阱层厚度小。通过这种生长方式，使得在光致发光设备测量波长时所探测到的发光的量子阱与电致发光时测得的发光的量子阱相同，从而维持了蓝移量的稳定性。本发明还公开了根据上述方法制备的氮化镓基LED结构，其蓝移量得到了有效的控制。本发明可以广泛用于半导体LED的制备中。
一种氮化 led 量子结构生长方法

[发明专利]一种提高GaN基LED发光效率的浅量子阱生长方法-CN201210426804.9无效
发明人：李永;王耀国;钟尹泰 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高GaN基LED发光效率的浅量子阱生长方法，该LED外延片结构从下向上的顺序依次为：衬底层、低温GaN缓冲层、未掺杂的高温GaN缓冲层、Si掺杂的n型GaN层、发光层多量子阱、低温p型GaN层、p型AlGaN电子阻挡层、高温p型GaN层、p型GaN接触层；发光层多量子阱从下往上依次包括低温浅量子阱、低温多量子阱发光层结构；其中低温浅量子阱由三部分浅量子阱组成。本发明所提供的方法可以有效的获得高结晶质量、高发光效率的量子阱结构氮化镓基材料，获得高发光强度的氮化镓系发光二极管。
一种提高 gan led 发光效率量子生长方法

[发明专利]静电保护结构、静电保护电路、芯片-CN202210363798.0在审
发明人：许杞安 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，提出一种静电保护电路及结构、芯片，静电保护结构包括半导体衬底、位于半导体衬底内的第一N型阱、第二N型阱、第一P型阱，以及位于第一P型阱内的第一P型掺杂部、第一N型掺杂部、第二N型掺杂部、位于第一N型阱内的第二P型掺杂部、第三N型掺杂部、位于第二N型阱内的第三P型掺杂部、第四N型掺杂部。第一P型阱位于第一N型阱和第二N型阱之间；第三N型掺杂部、第一P型掺杂部、第四N型掺杂部电连接，第二P型掺杂部、第二N型掺杂部连接静电保护结构的第一信号端，第一N型掺杂部、第三P型掺杂部连接静电保护结构的第二信号端该结构可实现双向释放静电。
静电保护结构电路芯片

[发明专利]一种量子阱发光结构及其制备方法和应用-CN202211694642.7在审
发明人：康建;焦建军;杨天鹏;陈向东 -专利权人：马鞍山杰生半导体有限公司;圆融光电科技股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，提供了一种量子阱发光结构及其制备方法和应用，所述量子阱发光结构为顺次层叠的InxGa1‑xN本发明通过控制量子阱中In的含量，有效的改善量子阱的发光情况；并且通过在InyGa1‑yN层和InxGa1‑xN层中间生长AlN层，达到了降低量子阱结构缺陷密度的目的。本发明还提供了所述量子阱发光结构的制备方法，在生长AlN层过程中采用复合气体，使得量子阱/垒的界面质量得到大幅提高，降低界面间的粗糙程度，改善量子阱的发光性能。本发明提供的量子阱发光结构，显著的解决了蓝移问题，提升了二极管的亮度。
一种量子发光结构及其制备方法应用

[发明专利]一种宽光谱白光LED结构及生长方法-CN200910212663.9无效
发明人：张荣;谢自力;刘斌;修向前;华雪梅;赵红;傅德颐;陈鹏;韩平;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：宽光谱白光LED结构，蓝宝石衬底或硅衬底上具有GaN缓冲层、厚度在50-2000nm以上的GaN支撑层，厚度为20-1000nm的N型GaN，浓度为5*1018cm-1；在N型GaN是依次生长蓝光波长量子阱材料，蓝绿或绿光量子阱材料和红黄光或红光量子阱材料；蓝光量子阱是厚度分别为2-20nm和4-25nm的1-10个周期的InxGa1-xN/GaN多量子阱结构，x在0.1到0.18之间；绿光量子阱是厚度分别为2-20nm和4-25nm的1-10个周期的InxGa1-xN/GaN多量子阱结构，x在0.18到0.32；红黄光或红光量子阱分别为2-20nm和4-25nm的1-10个周期的In xGa1-xN/GaN多量子阱结构，其中x在0.32以上。本发明得到一种三色GaN基白光LED结构。
一种光谱白光 led 结构生长方法

[发明专利]InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法-CN201910115508.9有效
发明人：邢瑶;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;朱建军 -专利权人：中国科学院半导体研究所;中国科学院大学
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法，该InGaN/GaN量子阱结构的制备方法包括：生长GaN垒层；在GaN垒层上生长一个或多个周期的InGaN阱层/GaN垒层的交替结构；在InGaN阱层/GaN垒层的交替结构的生长过程中，在生长GaN垒层时通入含氢气的反应气体。本发明的InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法提高了InGaN/GaN量子阱结构的界面陡峭度，提高了其内In组分分布的均匀性并且降低了其外延层缺陷密度，从而提高氮化镓基发光器件的发光效率。
ingan gan 量子结构 led 外延制备方法

[发明专利]一种双向二极管串触发SCR结构的ESD保护器件-CN201810497160.X有效
发明人：梁海莲;许强;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种双向二极管串触发SCR结构的ESD保护器件，属于集成电路的静电放电保护领域。该ESD保护器件包括用分割阱技术形成的二极管串、双向SCR结构和金属线；在P衬底上设置深N阱，在深N阱的表面区域从左至右依次设有第一P阱、第一N阱、第二P阱和第二N阱，每个阱中均设置P+注入区和N+注入区；在第二N阱区域内，利用掩膜制备版，间隔插入P阱，每一个P阱的四周均通过N阱隔离，每个P阱中分别设置一对P+注入区和N+注入区；所述的金属线连接注入区，并从金属线中引出正负电极用于正向通导和反向通导。本发明可以通过增加或者减少由阱分割形成的二极管的个数控制触发电压，使器件在低压领域内有更广泛的应用。
一种双向二极管触发 scr 结构 esd 保护器件

[发明专利]一种用于汞离子微波频标的电子枪装置-CN202011467679.7有效
发明人：王暖让;赵环;陈星;薛潇博;张升康 -专利权人：北京无线电计量测试研究所
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于汞离子微波频标的电子枪装置，包括顺序装配的法兰、阴极灯丝、阳极结构、离子阱结构；法兰电极外接电子枪电路，使阴极灯丝相对于阳极结构为负电压；所述阳极结构为中心开孔的不锈钢圆环板，板平面与阴极灯丝发出电子束方向垂直；所述阳极结构通过阳极支撑结构固定到法兰；所述离子阱结构包含柱电极和帽电极，帽电极中心开孔，使电子束能够进入到离子阱的中心；所述离子阱结构通过离子阱支撑结构和所述阳极结构固定连接，且离子阱横截面和阳极结构同心
一种用于离子微波标的电子枪装置

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN202110354871.3在审
发明人：刘江;高明超;李立 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，绝缘栅双极型晶体管包括：半导体层，半导体层包括漂移区和位于漂移区顶部的阱区；栅极结构，栅极结构贯穿阱区且延伸至漂移区中，栅极结构具有相对的第一侧和第二侧；发射掺杂区，位于栅极结构的第一侧的阱区中部分顶部区域且与栅极结构邻接，发射掺杂区的导电类型和阱区的导电类型相反；所述栅极结构的第二侧的部分阱区中的凹槽；位于凹槽底部阱区中的欧姆接触区，欧姆接触区与栅极结构的第二侧的部分侧壁接触，欧姆接触区的导电类型和阱区的导电类型相同。
一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体发光元件-CN201511012848.7在审
发明人：江汉;蓝永凌;黄文宾;林兓兓;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及半导体发光元件，该半导体发光元件，包括一基板，及依次形成于所述基板上的氮化物缓冲层、n型层、浅量子阱层、多量子阱层和p型层，其特征在于：于所述浅量子阱层与多量子阱层之间还插入一复合结构层，所述复合结构层至少包括一p型掺杂GaN层、一n型掺杂GaN层、及位于p型掺杂GaN层与n型掺杂GaN层之间的隔离层。利用复合结构层中p型杂质向所述浅量子阱层和多量子阱层迁移的特性，增加多量子阱层发光强度的同时促使浅量子阱层和复合结构层发光，增加半导体元件出光面积，继而提升其发光强度。
半导体发光元件