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[发明专利]半导体装置及半导体模组-CN202280006391.0在审
发明人：山本兴辉;秋吉伸一;网师本亮一 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置1具备：半导体层40；晶体管10及晶体管20，形成在半导体层40内；1个以上的第1源极焊盘111、以及第1栅极焊盘119，形成在半导体层40的上表面的区域S1中，第1源极焊盘与晶体管10的源极连接，第1栅极焊盘与栅极连接；以及1个以上的第2源极焊盘121、及第2栅极焊盘129，形成在半导体层40的上表面的在半导体层40的平面图中与区域S1相邻的区域S2中，第2源极焊盘与晶体管(20)的源极连接，40的平面图中，将第1栅极焊盘119的中心与第2栅极焊盘129的中心连结的假想直线91经过半导体层40的中心，与半导体层40的各边所成的角是45度；区域S1和区域S2的上表面边界线600在半导体层40的长边延伸的长边方向及短边延伸的短边方向上单调地变化
半导体装置模组

[发明专利]一种LDO电路-CN201810048035.0在审
发明人：吴斯敏;李俊杰 -专利权人：上海艾为电子技术股份有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种LDO电路，包括运算放大器A1，电阻R1和R2，PMOS管P1和P2，NMOS管N1、N2和N3，其中：A1的同相输入端接收基准电压；A1的反相输入端经R2接地，同时经R1连接到P2的漏极；A1的输出端连接到N1和N2的栅极；N1的漏级和N2的漏级相连；N2的源极接N3的漏极；N1的源极和N3的源极接地；N3的栅极在LDO电路上电一段时间后接收驱动信号；N1的漏级同时连接到P1的漏级、P1的栅极以及P2的栅极；P1的源极和P2的源极接电源；P2的漏极为LDO电路的输出；N1的宽长比远小于N2的宽长比。
一种 ldo 电路

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201880023964.4有效
发明人：森川贵博 -专利权人：株式会社日立功率半导体
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在功率半导体器件的单位单元(UC)的与源极区域(8S)的长度方向的两端部相邻的部分中，以覆盖源极区域(8S)的长度方向的两端部的侧部的方式形成p型的短边侧主体区域(7B3)。而且，使p型的短边侧主体区域(7B3)的杂质浓度比p型的长边侧主体区域(7B2)的杂质浓度高。由此，使功率半导体器件的单位单元(UC)的与源极区域(8S)的长度方向的两端部相邻的部分(p型的短边侧主体区域(7B3))的阈值电压比与源极区域(8S)的宽度方向的两端部相邻的部分(p型的长边侧主体区域
半导体器件及其制造方法

[发明专利]微机械式开关结构-CN200910308839.0有效
发明人：戴庆良;高斌栩;吕柏纬;莫启能;傅渼棋;黄明伟 -专利权人：华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2009-10-26 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机械式开关结构，包括源极、汲极、驱动下电极、浮动电极组以及金属弹簧部。浮动电极组与源极、汲极以及驱动下电极相对而设，其中浮动电极组包括支撑层、驱动上电极以及讯号电极。当驱动上电极与驱动下电极为等电位时，浮动电极组悬浮于源极、驱动下电极与汲极上方。当驱动上电极与驱动下电极具有一电压差时，浮动电极组往驱动下电极移动，以使讯号电极同时接触源极与汲极。本发明是一种可避免驱动时的噪声问题，进而提升信号的可靠度，而且使用寿命长的微机械式开关结构，具有较好的市场价值。
微机开关结构

[实用新型]一种大电流场效应管-CN201320402190.0有效
发明人：黎国伟 -专利权人：广州成启半导体有限公司
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大电流场效应管，包括热沉、绝缘外壳、场效应管芯片、漏极引脚、栅极引脚及源极引脚；热沉嵌在绝缘外壳的外表面上并与绝缘外壳构成一密闭的封装腔体，热沉与漏极引脚连为一体，漏极引脚的根部、栅极引脚的根部及源极引脚的根部固定在绝缘外壳上并伸入封装腔体内；场效应管芯片设置在热沉的正面中间处，场效应管芯片的漏极直接贴装在热沉上，场效应管芯片的栅极通过第一金线与栅极引脚连接，场效应管芯片的源极通过第二金线与源极引脚连接。本实用新型散热效果好，工作效率高，而且使用寿命长，可广泛应用在半导体行业中。
一种电流场效应

[发明专利]FinFET器件制造方法-CN201210045402.4有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种FinFET器件制造方法，通过在衬底上方外延硅层形成源漏极、沟道区以及围绕沟道区两侧和上方的虚拟栅极结构，接着形成介质层并去除虚拟栅极结构以及沟道区以形成开口，在开口中形成应变硅沟道后回刻蚀应变硅沟道上方两侧的介质层，以使得后续形成的栅极结构与LDD源极区及LDD漏极区有重叠(overlap)，省去了通过高温热处理工艺使源漏极离子扩散到应变硅沟道区形成LDD重叠的步骤，从而在保持鳍形沟道原有的宽长比以及尺寸的同时，不会使得源漏极的结深更深，提高了FinFET器件的驱动电流。
finfet 器件制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置-CN201610244601.6在审
发明人：苏同上;王东方;刘广辉;许凯;杜生平;袁广才 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：该薄膜晶体管包括：衬底基板、有源层、栅极绝缘层、栅极、源极以及漏极；有源层设置在所述衬底基板上；栅极绝缘层设置在有源层上，并且栅极绝缘层的长度小于或者等于有源层的长度；栅极设置在栅极绝缘层上，源极和漏极设置在衬底基板上并且分别与有源层的相对的两侧连接；栅极绝缘层的长度为栅极绝缘层沿平行于源极和漏极连线方向的尺寸，有源层的长度为有源层沿平行于源极和漏极连线方向的尺寸。该薄膜晶体管由于不需要设置过孔即实现了源极和漏极与有源层的连接，因此该薄膜晶体管具有较大的沟道宽长比W/L，从而提高薄膜晶体管的电学性能。
薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]半导体模块以及电力变换装置-CN201880052280.7有效
发明人：中岛纯一;森崎翔太;玉田美子;中山靖;根岸哲;津田亮;林田幸昌;伊达龙太郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：多个半导体开关元件(12)的源极通过导线(16)与共同的源极控制图案(11)电连接。栅极控制图案(10)针对并联连接而并行动作的多个半导体开关元件(12)隔着源极控制图案(11)配置，所以导线(15)比导线(16)长，具有比导线(16)大的电感。
半导体模块以及电力变换装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示器设备-CN201811322852.7有效
发明人：刘川;陈昌东;郑集文;李恭檀;李敏敏 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器设备，薄膜晶体管的制备方法包括在基板上形成栅极、栅极绝缘层以及沟道层；在沟道层上形成源极和漏极，源极和漏极间隔设置形成间隙，源极和漏极为具有吸氢性质的金属电极；使用含氢原子的反应气体沉积形成钝化层，以使得钝化层掺杂有氢离子，钝化层覆盖沟道层、源极和漏极；退火处理，以使得钝化层中的氢离子扩散到沟道层，并在沟道层中源极和漏极所对应的区域均形成未被氢掺杂的区域，沟道层的其余区域形成含氢的掺杂区域，从而减小本征半导体沟道的长度，即相当于增大薄膜晶体管的等效宽长比，提高了薄膜晶体管的开态电流，增大了薄膜晶体管的开关比，改善了薄膜晶体管的驱动能力。
薄膜晶体管及其制备方法显示器设备

[发明专利]薄膜晶体管、显示装置及薄膜晶体管的制造方法-CN201610907445.7有效
发明人：田中淳 -专利权人：天马微电子股份有限公司
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括：基板；包括沟道区域、源极区域及漏极区域的氧化物半导体层；栅极绝缘膜；以及栅极电极。所述栅极绝缘膜包括一层或两层，栅极绝缘膜的至少一层是位于与所述源极电极及所述漏极电极分离的位置上的图案化栅极绝缘膜。所述图案化栅极绝缘膜的下表面在沟道长度方向上的长度比所述栅极电极的下表面在沟道长度方向上的长度长。所述图案化的栅极绝缘膜的下表面在沟道长度方向上的长度比所述沟道区域在沟道长度方向上的长度长。所述源极区域和所述漏极区域的氢浓度比所述沟道区域的氢浓度高。
薄膜晶体管显示装置制造方法

[发明专利]源极驱动电路及其驱动方法-CN202111153200.7有效
发明人：丁友信;傅春霖;徐伟钧 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明公开一种源极驱动电路及其驱动方法，源极驱动电路适用于驱动显示面板的像素阵列，源极驱动电路包含多个正电压晶体管以及多个负电压晶体管。多个负电压晶体管的宽/长比小于多个正电压晶体管的宽/长比。
驱动电路及其方法

[发明专利]埋入栅型半导体器件-CN200310124411.3无效
发明人：栉田知义 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2003-12-24 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：栅极106长边之间的间隔106T被制成短于其短边之间的间隔106S。而且，在栅极106的短边之间提供带状的接点开孔108，使得P⁺型源极区100和N⁺型源极区104与源极接触。从而，可以不考虑接点开孔108的宽度而设置栅极106的长边之间的间隔106T。
埋入半导体器件

[实用新型]一种大功率MOS场效应晶体管-CN201620710825.7有效
发明人：郑石磊;郑振军;郑旭洁 -专利权人：上海迈股微电子科技有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大功率MOS场效应晶体管，包括源极、P型基区、N型外延、漏极和沟槽，所述源极位于最顶层，沟槽位于源极的下方并且沟槽与P型基区相连，沟槽内部填充有多晶硅，沟槽的下方与N型外延相连，漏极位于最底层并且漏极的上端与N型外延的下端相连，源极、P型基区、N型外延、漏极和沟槽均通过金属铝与栅极相连。该产品结构简单，设计合理，故障率低，使用安全性和运行稳定性好；该装置通过在栅极上加超过阈值电压的正电压来改变形成的导电沟槽的状况，从而达到控制漏极电流的目的；该产品的铝层附着能力好，避免了铝层出现尖角漏电流大的问题，使用寿命长，使用效果好。
一种大功率 mos 场效应晶体管

[发明专利]集成电路器件-CN202111256976.1在审
发明人：郑秀珍;金奇奂;张星旭;曹荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)器件包括在衬底上在第一横向方向上纵长地延伸的鳍型有源区。纳米片在垂直方向上与鳍型有源区的鳍顶表面分开。内绝缘间隔物位于衬底与纳米片之间。栅极线包括主栅极部分和子栅极部分。主栅极部分在纳米片上在第二横向方向上纵长地延伸。子栅极部分一体地连接至主栅极部分，并且位于衬底与纳米片之间。源极/漏极区与内绝缘间隔物和纳米片接触。源极/漏极区包括单晶半导体主体和从内绝缘间隔物穿过单晶半导体主体线性地延伸的至少一个下堆垛层错面。
集成电路器件

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法-CN201110419036.X有效
发明人：葛泳;邱勇;黄秀颀;朱涛;刘玉成 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述源极和漏极之间有沟道隔开，所述栅极和源极、漏极之间形成有多晶硅硅岛图案，其中，所述沟道处的多晶硅硅岛图案上至少有一个凹槽从而形成立体沟道本发明提供的低温多晶硅薄膜晶体管，通过衍射曝光在沟道处的多晶硅硅岛图案上形成立体沟道，有效增大沟道宽度，从而增大薄膜晶体管的宽长比和开口率，且结构简单，易于实施。
低温多晶薄膜晶体管及其制造方法