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[发明专利]晶体管结构及其形成方法-CN202210669320.0在审
发明人：李资良;郑柏贤;施伯铮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：该晶体管结构包括位于半导体区上方的栅极堆叠件、位于栅极堆叠件一侧的源极/漏极区、位于源极/漏极区的部分上方的接触蚀刻停止层、位于接触蚀刻停止层上方的层间电介质、位于源极/漏极区上方的硅化物区、位于硅化物区上方并且接触硅化物区的源极/漏极接触插塞、以及环绕源极/漏极接触插塞的隔离层。在源极/漏极接触插塞的俯视图中，源极/漏极接触插塞是细长的，隔离层包括位于所述第一源极/漏极接触插塞的端处的端部和位于所述第一源极/漏极接触插塞的相对端之间的中间部分。
晶体管结构及其形成方法

[发明专利]反向调节自对准接触件-CN201410184599.9有效
发明人：傅劲逢;严佑展;李佳颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的一些实施例涉及一种形成晶体管或其他半导体器件的源极/漏极自对准接触件的方法。该方法包括在衬底上方形成一对栅极结构，以及在该对栅极结构之间形成源极/漏极区。该方法还包括形成布置在源极/漏极区上方并且横向布置在该对栅极结构的邻近的侧壁之间的牺牲源极/漏极接触件。该方法还包括形成延伸在牺牲源极/漏极接触件和该对栅极结构上方的介电层。该介电层不同于牺牲源极/漏极接触件。该方法还包括去除该介电层中位于牺牲源极/漏极接触件上方的部分并且随后去除牺牲源极/漏极接触件以形成凹槽，以及用导电材料填充凹槽以形成源极/漏极接触件。
反向调节对准接触

[发明专利]薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的平板显示器-CN200610079397.3有效
发明人：安泽;徐旼彻;具在本 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括：衬底；安置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分，并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极
薄膜晶体管包括平板显示器

[发明专利]通过纵向源极跟随器感测的反向电流保护电路-CN201610046519.2有效
发明人： A·芬尼;B-E·马泰 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：提供了通过纵向源极跟随器感测的反向电流保护电路。单片集成电路包括低电压控制电路、纵向功率晶体管以及源极跟随器。纵向功率晶体管至少包括漏极。源极跟随器包括耦合到纵向功率晶体管的漏极的漏极、耦合到限制电压节点的栅极以及耦合到高阻抗节点的源极。源极跟随器被布置为使得在源极跟随器的源极处的源极电压是纵向功率晶体管的漏极电压的电压受限版本。低电压控制电路包括驱动器和保护电路，被布置为检测源极电压，驱动纵向功率晶体管，并且至少部分地基于源极电压来调节纵向功率晶体管如何被偏置。
通过纵向跟随器感测反向电流保护电路

[发明专利]半导体装置中的沟道导电-CN202010483879.5在审
发明人： K·M·考尔道;刘海涛;李时雨;F·A·席赛克-艾吉;D·C·潘迪;C·V·穆利;J·A·斯迈思三世 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种实例设备包含第一源极/漏极区域及第二源极/漏极区域，所述第一源极/漏极区域及所述第二源极/漏极区域形成于衬底中以形成所述设备的作用区。所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域由沟道分离。感测线耦合到所述第一源极/漏极区域且存储节点耦合到所述第二源极/漏极区域。隔离沟槽邻近于所述作用区。所述沟槽包含具有导电偏置的介电材料，所述导电偏置与所述作用区中的所述沟道的所述导电偏置相反。
半导体装置中的沟道导电

[发明专利]通过注入减小导电特征之间的间隔-CN202110304424.7在审
发明人：陈国儒;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳;周孟翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种方法包括在源极/漏极区域之上形成第一电介质层，以及在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触插塞并将该源极/漏极接触插塞电连接至源极/漏极区域。源极/漏极接触插塞的顶部具有第一横向尺寸。该注入工艺使得源极/漏极接触插塞具有小于第一横向尺寸的第二横向尺寸。该方法还包括在蚀刻停止层之上形成第二电介质层，以及形成与源极/漏极接触插塞相邻的栅极接触插塞。
通过注入减小导电特征之间间隔

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110483374.3在审
发明人：杨世海;王培宇;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：第一纳米结构，在衬底之上，该第一纳米结构包括沟道区域和第一轻掺杂源极/漏极(LDD)区域，第一LDD区域与沟道区域相邻；第一外延源极/漏极区域，环绕第一LDD区域的四个侧面；层间电介质(ILD)层，在第一外延源极/漏极区域之上；源极/漏极接触件，延伸穿过ILD层，该源极/漏极接触件环绕第一外延源极/漏极区域的四个侧面；以及栅极堆叠，与源极/漏极接触件和第一外延源极/漏极区域相邻
半导体器件方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN201210095497.0无效
发明人：曾坚信 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2012-04-02 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括基板、活性层、栅极、源极电极以及漏极电极。所述活性层设置在基板上，其包括沟道层及分别位于该沟道层相对两侧的源极及漏极。所述源极电极和漏极电极分别对应设置在源极及漏极上。源极与源极电极之间以及漏极与漏极电极之间还设有载流子浓度高于活性层的N型III族氮化物导电层。由N型III族氮化物导电层可以有效降低源极与源极电极之间以及漏极与漏极电极之间的接触电阻。
薄膜晶体管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610875114.X有效
发明人：李熙烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：该半导体器件可以包括：多层源极层、导电图案、层间绝缘层、以及沟道柱。多层源极层可以包括：下源极层、层间源极层、以及上源极层。导电图案和层间绝缘层可以交替地设置于多层源极层上。沟道柱可以穿透导电图案。层间绝缘层、上源极层、以及层间源极层、沟道柱可以延伸到下源极层。沟道柱可以与层间源极层接触。具有各种结构的掺杂区可以形成在沟道柱的下部，从而提高半导体器件的操作可靠性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]晶体管及形成集成电路系统的方法-CN202080056191.7在审
发明人：刘鸿威;S·查杰德;J·B·赫尔;A·A·卡恩德卡尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直地处于所述顶部及底部源极/漏极区之间的沟道区，及以操作方式横向邻近于所述沟道区的栅极。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的至少一个是结晶的。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的所述至少一个内的所有晶粒具有彼此相差在0.064pm3内的平均晶体尺寸。公开包含方法的其它实施例。
晶体管形成集成电路系统方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202310115567.2在审
发明人：周孟翰;萧宜瑄;刘书豪;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在一实施例中，装置包括源极/漏极区域，邻接于通道区域；层间介电质，位于源极/漏极区域上；源极/漏极接触，延伸穿过层间介电质且进入源极/漏极区域；金属半导体合金区域，位于源极/漏极接触及源极/漏极区域之间，金属半导体合金区域，设置在通道区域的上表面下方，金属半导体合金区域包括第一掺杂物；以及接触间隔物，环绕源极/漏极接触，接触间隔物包括第一掺杂物及非晶化杂质。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]薄膜晶体管（TFT）和包括该薄膜晶体管的平板显示器以及它们的制造方法-CN200510091311.4有效
发明人：金泰成 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管(TFT)能够减小源极/漏极的互连电阻，防止有源层的污染，减少像素电极和源极/漏极之间的接触电阻，平稳地向有源层提供氢并具有高迁移率、开电流特性和阈值电压特性。该TFT包括：具有沟道区和源极/漏极区的有源层；用于向沟道区提供信号的栅极；分别与源极/漏极区相连的源极/漏极，该源极/漏极包括钛、钛合金、钽、钽合金中的至少一种；夹在源极/漏极和有源层之间的绝缘层，其包括氮化硅
薄膜晶体管 tft 包括平板显示器以及它们制造方法

[发明专利]中心柱形永磁源型“爪极”式永磁电机-CN201510112217.6在审
发明人：周耀瑜 -专利权人：周耀瑜
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H02K21/14 文献下载
摘要：中心柱形永磁源型“爪极”式永磁电机公布一种在其中心设置有柱形永磁体和磁轭盘的永磁电机，柱形永磁体呈轴向磁化，是本发明电机的永磁源元件，磁极端部紧贴磁轭盘，包括含有磁轭盘的“爪极”，磁轭盘的作用是将轴向磁力线转变为径向磁力线，再到各极爪而形成若干新的磁极。总装好的永磁电机主要由位入柱形永磁体磁极端部的磁轭盘、含有磁轭盘的“爪极”和定子铁芯形成闭合磁路。其主要优点在于永磁电机中所使用的永磁体数量较少，结构简单、紧凑，能量转换效率高，生产成本低，永磁电机中柱形永磁源元件容易拆卸、更换和维修，电机寿命长，适用设计各种功率、转速要求的各形“爪极”式永磁发电机
中心永磁爪极电机

[发明专利]负正电压转换电路和负压电荷泵环路-CN201910056502.9在审
发明人：杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种负正电压转换电路，包括：输入端都接地的互为镜像的第一和第二镜像电路，输入端都接电源电压的互为镜像的第三和第四镜像电路；第一至三镜像电路的输出端分别连接第一至三NMOS管的漏极，第一至三NMOS管的栅极和第一NMOS管的漏极连接在一起；第一至三NMOS管的宽长比的比值和第一至三镜像电路的电流比值相同。第一和二电阻分别连接在第一和二NMOS管的源极和负电压之间；第二和三NMOS管的源极相连；第三电阻连接在第一NMOS管的源极和地之间；第四电阻连接在输出正电压的第四镜像电路的输出端和地或负电压之间。
镜像电路源极电阻连接转换电路电荷泵负电压输出端输入端正电压负压漏极输出正电压参考电压电路成本电源电压接地宽长比电阻

[发明专利]一种低电压应力的电容自均衡七电平逆变器-CN201910167881.9在审
发明人：刘俊峰;祝祥开;曾君 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电压应力的电容自均衡七电平逆变器，包括直流输入电源，第一、二电容，第一、二、三、四、五、六、七、八、九、十开关管；直流输入电源正极连接第一、三、五开关管漏极，负极连接第二开关管源极、第六开关管源极、第七开关管漏极；第三开关管源极连接第四开关管源极；第四开关管漏极连接第九开关管漏极、第一电容正极；第一电容负极连接第五开关管源极、第六开关管漏极、第二电容正极；第二电容负极连接第八开关管漏极、第十开关管源极；第八开关管源极连接第七开关管源极；第九开关管源极连接第十开关管漏极、负载负极；第一开关管源极连接第二开关管漏极、负载正极；本发明具有电容自均衡、低电压应力等优点。
开关管漏极源极源极连接电容低电压直流输入电源电平逆变器电容负极电容正极均衡第一开关负极连接负载负极负载正极正极连接