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[发明专利]一种功率模块的结构设计及其实现方法-CN202011585111.5在审
发明人：郭清;张茂盛;任娜;盛况 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：公开了一种功率模块的结构设计，尤其是功率模块内部的栅‑源极路径的布局方案及其结构设计，其中上桥的栅‑源极路径呈“I”形平行于功率模块的短轴中心线，且紧挨信号端子布局，而下桥的栅‑源极路径呈“T”形且对称的分布于功率模块的长轴中心线两侧，提出的栅‑源极路径的布局方案及其结构设计改善了功率模块在开关瞬态的动态均流特性。
一种功率模块结构设计及其实现方法

[发明专利]一种薄膜晶体管-CN201410606296.1在审
发明人：王武;邱海军;尚飞;王国磊 -专利权人：重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管，涉及场效应晶体管领域，该薄膜晶体管的宽长比较大，有利于提高开态电流。一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，所述源极包括具有开口的环形，沿第一方向所述开口的宽度最大，且所述开口的最大宽度小于所述源极内环沿第一方向上任意两点的最大距离；所述漏极被所述环形包围，且与所述源极不接触；所述漏极与所述源极内环的间隔相同。
一种薄膜晶体管

[发明专利]一种端边侧出排线液晶屏投影仪-CN202210561665.4在审
发明人：连詹田;孙祥龙;蔡明玮 -专利权人：湖北如新电子有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明涉及投影仪技术领域，具体的是一种端边侧出排线液晶屏投影仪，本发明包括壳体，所述壳体的内部设置有TFT侧基板，所述TFT侧基板上覆盖有CF侧基板，所述TFT侧基板的短边侧设置有源极集成电路，所述源极集成电路上连接有讯号扁平电缆，所述TFT侧基板上覆盖有所述CF侧基板的区域设置有源极集成电路讯号导线，通过将源极集成电路和讯号扁平电缆设置在TFT侧基板的短边侧，再通过源极集成电路讯号导线对源极集成电路和CF侧基板的长边侧进行连接，既可以避免因为液晶讯号扁平电缆设置在TFT侧基板长边侧影响到散热，又可以在不加装影像讯号编码电路的同时，保证液晶显示屏显示的影响为横式画面，避免生产成本过高。
一种端边侧出排线液晶屏投影仪

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板-CN201611018035.3有效
发明人：顾可可;杨妮;刘信;侯宇松 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，涉及显示技术领域，可提高薄膜晶体管的沟道的宽长比。该薄膜晶体管包括依次设置在衬底上的栅极、源极和漏极；以所述衬底的上表面为水平参考面，所述源极和所述漏极均位于非水平面上。
一种薄膜晶体管及其制备方法阵列

[发明专利]一种具有低近场辐射EMI噪声的功率模块-CN202110327578.8在审
发明人：郭清;张茂盛;任娜;盛况 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：公开了一种具有低近场辐射EMI噪声的功率模块，尤其是功率模块内部DBC结构上层铜箔布线的栅‑源极路径结构设计，其中DBC结构上层铜箔中的“L”形的栅极路径和源极路径均对称分布于功率模块长轴中心线两侧，栅极路径布局于模块外侧区域，源极路径布局于更接近模块中心的区域；单个桥臂的DBC结构上层铜箔中的栅极路径组合和源极路径组合均呈“匚”形；上桥栅极路径组合和下桥栅极路径组合对称分布于模块短轴中心线的两侧，上桥源极路径组合和下桥源极路径组合对称分布于模块短轴中心线的两侧并嵌套于栅极路径组合内部提出的栅‑源极路径结构设计可降低功率模块的近场辐射EMI噪声。
一种具有近场辐射 emi 噪声功率模块

[发明专利]半导体装置-CN201980011535.X有效
发明人：大河亮介;今井俊和;吉田一磨;井上翼;今村武司 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置(1)具有在平面视图中在矩形状的半导体层(40)的第一区域(A1)中形成的晶体管(10)和在第二区域(A2)中形成的晶体管(20)，在半导体层(40)的表面具有第一源极焊盘(111)、第一栅极焊盘(119)、第二源极焊盘(121)以及第二栅极焊盘(129)，在平面视图中，晶体管(10)和晶体管(20)在第一方向上排列，第一栅极焊盘(119)配置为，在与半导体层(40)的第一方向的一方的长边或另一方的长边之间、以及与第一区域(A1)和第二区域(A2)的边界之间，完全没有夹着第一源极焊盘(111)，第二栅极焊盘(129)配置为，在与一方的长边或另一方的长边之间、以及与边界之间，完全没有夹着第二源极焊盘(121
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110538170.5有效
发明人：大河亮介;今井俊和;吉田一磨;井上翼;今村武司 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体装置(1)具有在平面视中在矩形状的半导体层(40)的第一区域(A1)中形成的晶体管(10)和在第二区域(A2)中形成的晶体管(20)，在半导体层(40)的表面具有第一源极焊盘(111)、第一栅极焊盘(119)、第二源极焊盘(121)以及第二栅极焊盘(129)，在平面视中，晶体管(10)和晶体管(20)在第一方向上排列，第一栅极焊盘(119)配置为，在与半导体层(40)的第一方向的一方的长边或另一方的长边之间、以及与第一区域(A1)和第二区域(A2)的边界之间，完全没有夹着第一源极焊盘(111)，第二栅极焊盘(129)配置为，在与一方的长边或另一方的长边之间、以及与边界之间，完全没有夹着第二源极焊盘(121
半导体装置

[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示装置-CN201410021348.9在审
发明人：张家祥 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该阵列基板包括衬底基板和形成于衬底基板上的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层和源漏极图形，所述源漏极图形和所述有源层连接，所述像素电极和所述有源层连接。本发明中将源极和漏极设置成一个源漏极图形，减小了薄膜晶体管的面积，从而提高了像素的开口率；本发明中将源极和漏极设置成一个源漏极图形，增大了薄膜晶体管沟道的宽长比W/L，提高了薄膜晶体管的充电电流，从而提高了薄膜晶体管的充电能力
阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]半导体器件-CN201010623058.3无效
发明人：上田佳孝;山田光一;和田淳;小林重人 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：MOS晶体管(20)具有形成为栅格状的栅电极(22)，被栅电极(22)包围的源区(23)及漏区(24)，沿栅电极(22)的栅格的一个方向配置且通过接触点连接源区(23)及漏区(24)的源极用金属布线(27)及漏极用金属布线(28)。源区(23)及漏区(24)分别被形成为在各金属布线的长度方向上具有长边的长方形状。源极用金属布线(27)及漏极用金属布线(28)在其长度方向上被形成为锯齿形状，分别与源极用接触点(25)及漏极用接触点(26)连接。
半导体器件

[发明专利]显示面板的驱动方法及驱动装置-CN201811535492.9在审
发明人：陈小龙 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：显示面板包括源极驱动电路、栅极驱动电路、多条电连接于栅极驱动电路的栅极信号线和多条电连接于源极驱动电路的数据线。其中驱动方法包括:产生多个时间由短到长的第一延时信号分别对应于与源极驱动电路之间的连接距离由远到近的多条数据线。接着，产生多个时间由短到长的第二延时信号分别对应于与栅极驱动电路之间的水平距离由近到远的多条数据线。最后，源极驱动电路根据各数据线对应的第一延时信号和第二延时信号对各数据线输出驱动信号，使得在同一栅极线上被不同数据线所驱动的各像素点具有相同的充电时间。
数据线源极驱动电路延时信号栅极驱动电路显示面板驱动驱动装置电连接输出驱动信号栅极信号线连接距离水平距离像素点栅极线充电

[发明专利]对称高压MOS器件-CN201310120788.5无效
发明人：吴健 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种对称高压MOS器件，包括栅极、位于所述栅极下方的沟道、位于所述栅极下方两侧呈对称结构的源极区和漏极区，所述沟道在沿栅极方向延伸出所述源极区和漏极区，且与所述源极区和漏极区相切。同时，可以有效提高沟道的宽长比，从而提升对称高压MOS器件的性能。
对称高压 mos 器件

[发明专利]一种用于太赫兹探测器的天线组件-CN202310584890.4在审
发明人：孙云飞;阙妙玲;陈丽香;孙佳惟 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明涉及电子器件技术领域，具体为一种用于太赫兹探测器的天线组件，包括基于GaNHEMT器件的处理芯片和天线，GaNHEMT的处理芯片和天线场耦合连接；其中，天线包括源极天线、漏极天线和栅极天线，所述源极天线和漏极天线设置在栅极两侧且对称，且栅极天线连接栅极向所述源极天线或漏极天线一侧延伸；所述源极天线和漏极天线长为38‑58微米，宽均为4‑19微米，中间栅极长200‑900纳米，中间栅极距源极天线和漏极天线的间距均为200‑650纳米
一种用于赫兹探测器天线组件

[发明专利]一种基于NMOS晶体管的上拉或下拉延时消抖电路-CN202010667917.2在审
发明人：杜涛;谢宇;李建军;李威 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H03K5/1254 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，提出了一种基于NMOS晶体管的上拉或下拉延迟消抖电路，其特征包括以下步骤：1.将n个NMOS晶体管的栅极接GND，衬底接源极；2.下拉电路将第一个NMOS晶体管的的漏极连接到待处理信号输入端口，上拉电路连接到VDD，源极连接到第二个NMOS晶体管的漏极，第二个NMOS晶体管的源极连接到第三个NMOS晶体管的漏极，依次连接n个NMOS晶体管，下拉电路最后一个NMOS晶体管的源极连接到GND，上拉电路连接到待处理信号输入端口；3.将脉冲整形电路模块的输入端连接到待处理信号输入端口，脉冲整形电路模块的输出端连接到整体电路的输出端口；4.调节NMOS晶体管的沟道宽长比、宽长积和脉冲整形电路中第一级负载大小，直至获得需要的延迟时间和消抖效果
一种基于 nmos 晶体管下拉延时电路

[发明专利]半导体装置-CN201810160548.0有效
发明人：加藤浩朗;小林研也 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备漏极层、漂移层、基底区域、源极区域、沟槽、基底接触件区域、栅极区域及场板电极。漏极层在第1方向及第2方向上扩展。漂移层形成于上述漏极层的表面。基底区域形成于上述漂移层的表面。源极区域形成于上述基底区域的表面。沟槽形成为阵列状，从上述源极区域的表面贯通上述基底区域并到达上述漂移层。基底接触件区域沿着上述第2方向而形成，与上述沟槽不邻接地从上述源极区域的表面连接到上述基底区域。栅极区域在上述沟槽的内壁隔着绝缘膜而形成。场板电极在上述栅极区域的内侧隔着绝缘膜而形成，并形成为比上述栅极区域长。
半导体装置

[实用新型]机动车电磁感应离合器-CN01201015.4无效
发明人：孙普;孙玉敬 -专利权人：孙普
申请日： 2001-01-12 - 公布日： 2002-01-16 - 主分类号： B60K17/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种机动车电磁感应离合器,由外壳、永磁材料制成的圆弧形SN磁极块、极靴壳上的极靴、圆盘、控制源传感器、控制源、极靴上缠绕的线圈、负载电路板构成的电磁感应离合器主体设在发动机与变速箱之间,还设有固定在司机操作面板内的控制源电路板,所设的SN磁极块、极靴、控制源传感器与机动车的一轴成轴对称;控制源电路的可变电位器W1安装在机动车的踏板上;该离合器易维护,使用寿命长。
机动车电磁感应离合器