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[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202010762688.2有效
发明人：王桂磊;黎奔;亨利·H·阿达姆松;杜勇;徐步青 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供锗衬底，在锗衬底上形成砷化镓层，在砷化镓层上形成铟镓磷层。这样砷化镓层能够可以作为锗衬底和铟镓磷层之间的缓冲层，改善锗衬底和铟镓磷层之间的晶格失配，减少铟镓磷层中的反向畴，减少铟镓磷层中的缺陷，提高基于铟镓磷层的器件的性能。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]从废旧薄膜太阳能电池中回收镓、铟、锗的方法-CN201210009187.2有效
发明人：王勤;何显达;苏陶贵;张翔 -专利权人：深圳市格林美高新技术股份有限公司
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种从废旧薄膜太阳能电池中回收镓、铟、锗的方法。该方法包括的步骤有：获得含有镓、铟、锗、镉、铜、锡、锌金属离子的第一分离液；获得第二分离液；获得含有镓、铟、锗、锡的滤渣；获得第四分离液和未溶于碱溶液的铟、锗金属固体；回收镓金属的步骤；回收铟金属的步骤；回收锗金属的步骤。本发明从废旧薄膜太阳能电池中回收镓、铟、锗的方法通过分步分别回收镓、铟、锗等多种稀散金属，有效降低了回收成本，提高了回收效率，并且该方法工艺简单，适于工业化生产。另外，通过上述从废旧薄膜太阳能电池中回收镓、铟、锗的方法回收的镓、铟、锗等多种稀散金属纯度高，纯度可高到99.99％。
废旧薄膜太阳能电池回收方法

[发明专利]从铟冶炼系统萃余液中富集回收镓锗的方法-CN201310706692.7无效
发明人：倪恒发;张利涛;张新庄;翟爱萍;邓攀;张向阳;王向阳;张歌 -专利权人：河南豫光锌业有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C22B3/44 文献下载
摘要：本发明属于冶金行业，尤其涉及一种从铟冶炼系统萃余液中富集回收镓锗的方法，将锌冶炼系统铟生产中铟萃余液加入中和剂进行预中和除去溶液中大量的游离硫酸，然后进行二次中和加入中和剂使镓金属元素在一定条件下形成沉淀与溶液分离产出二次中和后溶液和镓精矿，二次中和后溶液加入锌粉及活化剂使金属元素锗沉淀与溶液分离产出净化后溶液和锗渣，净化后溶液返回锌冶炼系统，锗渣进行浸出锗进入溶液加入有机试剂络合沉淀，沉淀渣进行焙烧产出高锗精矿，该方法不仅能使铟生产萃余液中的镓锗得到有效回收，还解决了镓锗元素对主系统正常生产中影响问题。
冶炼系统萃余液中富集回收方法

[发明专利]含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法-CN200510030874.2有效
发明人：王立;江风益;周毛兴;方文卿 -专利权人：南昌大学
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法。本发明的铟镓铝氮半导体发光元件包括：导电基板，层叠于导电基板之上的P型欧姆电极，层叠于P型欧姆电极之上的P型铟镓铝氮(In_xGa_yAl_1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)层，层叠于P型铟镓铝氮之上的铟镓铝氮发光层，层叠于铟镓铝氮发光层之上的N型铟镓铝氮层，层叠于N型铟镓铝氮层之上的N型欧姆电极，特征是：所述的N型铟镓铝氮层的外表面为氮极性面，所述的N型欧姆电极包括至少包含由金、锗、镍三种金属成分构成的金锗镍接触层。该发光元件表面为具有氮极性面的铟镓铝氮层，并且具有良好的欧姆接触特性和很低的正向工作电压。
含有金锗镍欧姆电极铟镓铝氮半导体发光元件制造方法

[发明专利]废旧二极管中锗、镓、铟、硒的回收方法-CN201110254663.2有效
发明人：王勤;杨柳;陈艳红;谭翠丽;严杰;王阳烨 -专利权人：深圳市格林美高新技术股份有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明涉及对废旧金属材料的处理，具体涉及废旧二极管中锗、镓、铟、硒的回收方法。该回收方法包括以下步骤：(1)将废旧二极管破碎；(2)分离塑料粉末与金属粉末；(3)氧化焙烧；(4)回收硒；(5)回收镓、铟、锗。本发明的方法既减少了二极管对环境的污染，又回收了硒、铟、镓、锗有价元素，节约了矿产资源，并且本发明的方法操作简单，成本较低，同时对硒、铟、镓、锗元素的回收率高，回收产物的纯度也很高。
废旧二极管回收方法

[发明专利]一种从锌置换渣硫酸浸出液中选择性萃取回收镓锗铟的方法-CN201510340112.6有效
发明人：曾理;徐毅;刘野平;张登凯;周科华;张伟;胡东风;李玉虎 -专利权人：中南大学;深圳市中金岭南有色金属股份有限公司丹霞冶炼厂
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从锌置换渣硫酸浸出液中选择性萃取回收镓锗铟的方法；该方法是将锌置换渣硫酸浸出液采用由羟肟螯合萃取剂与酸性磷型萃取剂组成的协同萃取体系选择性萃取锗，萃锗余液经扩散渗析法回收酸且微调至适当pH值后，再采用由羟肟螯合萃取剂与羧酸萃取剂组成的协同萃取剂体系选择性地萃取镓和铟，从而实现锗、镓和铟与铁、锌、镉、镍和钴等杂质金属离子的有效分离；该方法使锗、镓和铟回收率高，与杂质分离效果好，工艺流程短，
一种置换硫酸浸出选择性萃取回收镓锗铟方法

[发明专利]一种高迁移率衬底结构及其制备方法-CN201010578522.1有效
发明人：孙兵;刘洪刚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：该衬底结构包括单晶硅衬底、缓冲层、势垒层、铟镓砷单晶层、阻挡层和锗单晶层。所述缓冲层置于所述单晶硅衬底之上，所述势垒层置于所述缓冲层之上，所述铟镓砷单晶层置于所述势垒层之上，所述阻挡层置于所述铟镓砷单晶层之上，所述锗单晶层置于所述阻挡层之上。可以利用本发明，实现硅基衬底上高迁移率铟镓砷和锗结合的CMOS器件，或者在铟镓砷单晶层和锗单晶层上制备其它高迁移率半导体器件，该衬底结构还可以制备硅基器件以及用势垒层制备光电器件等，有利于实现多元半导体器件的单片集成
一种迁移率衬底结构及其制备方法

[发明专利]从硫化锌精矿直接浸出锌及回收镓锗铟的方法-CN201210112399.3无效
发明人：何醒民;潘晨湘;余刚;李夏湘;左小红;邓孟俐;蔡江松;徐毅;刘野平;张登凯;林裕安;王李娟 -专利权人：长沙有色冶金设计研究院有限公司;深圳市中金岭南有色金属股份有限公司丹霞冶炼厂
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C22B3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种从硫化锌精矿直接浸出锌及回收镓锗铟的方法，该方法先将硫化锌精矿磨矿后采用低温低压低酸直接浸出，然后对浸出渣进行高温高压高酸浸出，对浸出液进行中和置换，滤渣送镓、锗、铟回收系统，滤液除铁、本发明能从硫化锌精矿直接浸出锌并在回收锌的同时综合回收稀散金属镓锗铟。
硫化锌精矿直接浸出回收镓锗铟方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202010760375.3有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊;徐步青;杜勇;黎奔 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供硅衬底，在硅衬底上可以外延形成缓冲层，缓冲层可以包括锗膜和/或砷化镓膜，在缓冲层上外延形成磷化铟层。这样锗膜和/或砷化镓膜可以作为硅衬底和磷化铟层之间的缓冲层，改善硅衬底和磷化铟层之间的晶格失配，减少磷化铟层中的反向畴，减少磷化铟层中的缺陷，提高基于磷化铟层的器件的性能。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]提取镓、铟、锗酸性废水综合处理新技术-CN200610036729.X无效
发明人：奚长生;奚慧芳;奚长寿 -专利权人：奚长生
申请日： 2006-07-31 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： C02F1/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种提取镓、铟、锗酸性废水综合处理新技术，适应于提取镓、铟、锗废水在酸性条件下加入无机酸或无机盐，使锑、锡、砷等元素形成难溶的沉淀物，利用空气驱赶有害气体并用碱液吸收，固液混合物进行过滤分离，本发明对提取镓、铟、锗酸性废水进行除杂和除锌处理，将处理后的废水进行回用，实现了废水资源的综合利用，实现了零排放，工艺简单，节约成本，清洁生产，有利于环保，提高了企业的综合效益，广泛适应于提取稀散金属元素镓、铟、锗废水的综合利用和开发。
提取酸性废水综合处理新技术

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510465545.4有效
发明人：韩秋华;王彦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括NMOS区域和PMOS区域；在PMOS区域的半导体衬底上形成第一鳍部，在NMOS区域的半导体衬底上形成第二鳍部；在第一鳍部的侧壁表面形成第一硅锗层，在第二鳍部的侧壁表面形成第二硅锗层；形成覆盖第二硅锗层表面的掩膜层；对第一硅锗层进行锗凝结处理，形成锗鳍部和位于锗鳍部表面的氧化硅层；去除掩膜层和第二鳍部，在相邻的第二硅锗层之间形成空腔；在第二硅锗层的侧壁和顶部表面上形成铟铝砷层；在所述铟铝砷层的表面形成铟镓砷层；在形成铟镓砷层后，去除所述锗鳍部表面的氧化硅层。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种弹性铝铁合金材料-CN201710623269.9在审
发明人：朱昌龙 -专利权人：联诺欧机械科技江苏有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明公开一种弹性铝铁合金材料，配方中包括铝，在配方中还包括有铁、镁﹑二氧化硅﹑镓﹑铟﹑铊﹑锗和铼，各组分的含量为铝56‑78份，铁6‑12份，镁16‑28份，二氧化硅17‑29份，镓10‑18份，铟4‑12份，铊26‑38份，锗12‑20份，铼2‑6份。本发明通过在材料中添加铁、镁﹑二氧化硅﹑镓﹑铟﹑铊﹑锗和铼能提高铝铁合金的强度和抗冲击力，大大增强了铝铁合金稳定性并减轻了铝铁合金本身的重量。
一种弹性铁合金材料

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201510465603.3有效
发明人：韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有若干第一凹槽；在所述半导体衬底上形成硅锗层，所述硅锗层填充满第一凹槽；刻蚀去除部分厚度的硅锗层，在所述硅锗层中形成若干第二凹槽；对所述第二凹槽侧壁和底部的硅锗层进行平坦化处理；进行平坦化处理后，在所述第二凹槽中形成填充满第二凹槽的磷化铟层；回刻蚀去除磷化铟层之间的硅锗层，暴露出磷化铟层的侧壁表面；在所述磷化铟层的顶部和侧壁表面上形成铟镓砷层；在所述铟镓砷层表面上形成高K介质层；在所述高K介质层上形成金属栅电极。
场效应晶体管及其形成方法

[实用新型]带有分布布拉格反射器的三结太阳能电池-CN201320813497.X有效
发明人：王晓晖;宋京;丁国建;张荣勤;罗惠英 -专利权人：天津中环新光科技有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：一种带有分布布拉格反射器的三结太阳能电池，包括：一锗底电池、设在锗底电池上的第一隧道结、设在第一隧道结上的砷化铟镓中电池、设在砷化铟镓中电池上的第二隧道结、设在第二隧道结上的磷化铟镓顶电池，其中，在第一隧道结与砷化铟镓中电池之间设有一分布布拉格反射器本实用新型不仅能够有效地将透过砷化铟镓中电池的P型基区的光反射回去，并再次参与光子到电子的转换过程，从而达到提高中电池的光电转换效率目的；而且，有效地解决了现有电池总体的光电转换效率不高的问题；同时，有效地缩减了P型砷化铟镓基区的厚度，提高了生产效率，节省了生产成本，降低了副产品的排放。
带有分布布拉格反射太阳能电池

[发明专利]锗生产废液的多金属回收处理工艺-CN200910044512.7有效
发明人：王小龙;李新元 -专利权人：郴州福鑫有色金属有限公司
申请日： 2009-10-12 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗生产废液的多金属回收处理工艺，属于有色金属湿法冶金技术领域。它是用萃取剂A与煤油稀释剂对锗生产废液萃取镓，经洗涤、反萃，去杂净化，沉镓，电解得纯度99.99％的金属镓；萃镓后的萃余液用萃取剂B与煤油稀释剂先萃取铁及部分杂质，再用同样的有机萃取液B对萃铁后的萃余液萃铟，经调pH，用萃取剂A萃取铟，再反萃，中和，氧化去杂质，置换得到海绵铟，经压团熔铸得到99％的金属铟。本发明工艺流程短，占地面积小，投资省，上马快，劳动条件好，金属回收率大于92％；所得的产品金属镓纯度99.99％，金属铟纯度99％；本发明有效地解决了废酸溶液中有价金属不能利用的难题，具有很高的资源综合利用价值
生产废液金属回收处理工艺

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