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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]抛光组合物及利用该组合物的抛光方法-CN201110066004.6有效
发明人：森永均;玉井一诚;浅野宏 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光组合物，其至少包含磨粒和水，并且用于对由光学器件的基板材料、电源器件的基板材料、或者化合物半导体材料所构成的被抛光物体进行抛光。所述磨粒具有满足关系X×Y≤0的ζ电位，其中X[mV]代表在抛光组合物中所测量的磨粒的ζ电位，Y[mV]代表在利用抛光组合物进行抛光期间所测量的被抛光物体的ζ电位。所述磨粒优选为氧化铝、氧化硅、氧化锆、金刚石、或者碳化硅。被抛光物优选为蓝宝石、氮化镓、碳化硅、砷化镓、砷化铟、或者磷化铟。
抛光组合利用方法

[发明专利]一种球形氧化镓及其制备工艺-CN202310285708.5在审
发明人：唐正鹏;王磊;吴伟平 -专利权人：广东长信精密设备有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本申请属于氧化镓生产技术领域，公开了一种球形氧化镓的制备工艺，包括以下步骤：将氨水以喷雾的形式喷淋在流动的硝酸镓溶液的表面，形成氢氧化镓固体；分离并煅烧氢氧化镓固体，制得球形形貌的氧化镓。通过上述设计，制备出了聚集程度较低、分布均匀的、且具有球形形貌的氧化镓，该氧化镓的粒径分布均匀，此外，本申请还公开了一种球形氧化镓。
一种球形氧化及其制备工艺

[发明专利]基于铝酸镁衬底的氧化镓薄膜光电探测器及其制造方法-CN201810801049.5在审
发明人：吴真平;余杰 -专利权人：北京镓族科技有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：基于铝酸镁衬底的氧化镓薄膜光电探测器及其制造方法。本发明提供了一种氧化镓薄膜光电探测器，以及相应的氧化镓薄膜和氧化镓薄膜的制造方法。所述的探测器包括依次叠置的衬底、氧化镓薄膜和电极，其中氧化镓薄膜为(00l)取向的β‑Ga₂O₃薄膜，衬底为MgAl₂O_{4制得的氧化镓薄膜表面致密、厚度稳定均一，适于大面积制备、且复性好。本发明制得的光电探测器响应度高、暗电流小、紫外可见抑制比高、制造工艺简单，且所用材料容易获得。}
氧化镓衬底薄膜探测器薄膜光电铝酸镁致密制造工艺可控性光电探测器薄膜表面厚度稳定制造工艺紫外可见暗电流响应度抑制比电极叠置复性均一取向制备

[发明专利]一种稀土改性铝合金阳极片及其制备方法-CN201410842057.6有效
发明人：张勇;柴杭杭;邢亚哲;赵丽霞 -专利权人：长安大学
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土改性铝合金阳极片及其制备方法，由铝块、镁块、铋粒、锡粒、镓粒、铟粒、镧粒和铈粒为原材料制作而成，其中，铝块、镁块、铋粒、锡粒、镓粒、铟粒、镧粒和铈粒的质量比为96.6-99.31∶0.5
一种稀土改性铝合金阳极及其制备方法

[发明专利]氧化镓/石墨烯异质结零功耗光电探测器及其制造方法-CN201811121634.7有效
发明人：谷雪 -专利权人：北京镓族科技有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化镓/石墨烯异质结型光电探测器及其制造方法。所述的光电探测器包括依次叠置的衬底、石墨烯层、氧化镓薄膜和电极。石墨烯层优选为标准湿法转移的石墨烯，氧化镓薄膜优选为室温生长非晶氧化镓薄膜。本发明中非晶氧化镓薄膜采用磁控溅射方法生长，工艺可控性强、容易操作，制作成本低。本发明制得的氧化镓薄膜表面致密、厚度稳定均一，适于大面积制备、且重复性好。本发明制得的光电探测器能够在零功耗下工作，在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。
氧化石墨烯异质结零功耗光电探测器及其制造方法

[发明专利]一种柔性铜铟镓硒组件的封装工艺-CN202310127295.8在审
发明人：陈敬欣;马明;闫昕;陈静伟 -专利权人：保定嘉盛光电科技股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性铜铟镓硒组件的封装工艺，属于太阳能电池技术领域。所述封装工艺的步骤包括：自下往上按照不锈钢衬底、铜铟镓硒电池、胶膜和水氧阻隔膜顺序敷设，层压，制得柔性铜铟镓硒组件。本发明通过选择透光率≥88％的水氧阻隔膜为柔性铜铟镓硒组件的表面材料，有效地减少了太阳能损失。所选择的水氧阻隔膜以PET为芯材，能够保证制得的柔性铜铟镓硒组件具有良好的机械性能。
一种柔性铜铟镓硒组件封装工艺

[发明专利]一种提升镓在高分子膜中复合程度的方法-CN202110676804.3有效
发明人：薛金伟;韩鑫;韩甜;姜舟 -专利权人：江苏智蓝电源科技有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种提升镓在高分子膜中复合程度的方法，方法按照以下步骤实现：碳纳米管与有机溶剂混合，通过高频超声波震荡、磁力搅拌，使碳纳米管均匀分散；在碳纳米管溶液中加入大分子量高分子材料和高纯度金属镓单质，通过高频超声波震荡、水浴加热磁力搅拌，得到镓基薄膜前驱体溶液；取适量前驱体溶液，在匀胶机上按一定转速与时间得到镓基薄膜。本发明通过碳纳米管提升镓在高分子膜中复合程度的方法能够显著增加镓基薄膜中镓的负载量，缩小镓的粒径，提升镓粒的分散程度，降低界面阻抗，减少了繁琐的工艺，同时对锂枝晶能够有效地抑制。经过该提升镓在高分子膜中复合程度的方法改善后的镓基薄膜性能有了明显提高。
一种提升高分子复合程度方法

[发明专利]一种从砷化镓废渣中回收制备砷酸钠和金属镓的方法-CN201911024489.5有效
发明人：朱炳龙;吴彤;种柯李尧;岳喜龙;童霏;樊红杰;秦恒飞;吴娟;李静;周全法 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种从砷化镓废渣中回收制备砷酸钠和金属镓的方法，将砷化镓废渣经烘干、破碎、过筛后在碱性‑氧化溶液体系中进行浸出，控制浸出时的NaOH浓度、氧化剂浓度、时间、温度等条件，使砷和镓同时在最大程度上快速溶解在浸出液中，再通过蒸发结晶，使砷酸钠优先结晶，实现砷、镓快速有效分离；通过重结晶提高砷酸钠纯度；通过旋流电积得到高纯金属镓。本发明原材料砷化镓废渣来自固废填埋场，取样无成本，本发明方法从废渣中回收制备砷酸钠和金属镓，所制得的砷酸钠纯度至少为95％，所制得的金属镓纯度至少为3N，具有较高的利用价值，回收并提纯的砷酸钠可作为化工原料
一种砷化镓废渣回收制备砷酸钠金属方法

[发明专利]一种平面铜铟镓硒溅射靶材的制备方法-CN201310100636.9无效
发明人：徐从康 -专利权人：无锡舒玛天科新能源技术有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供的一种平面铜铟镓硒溅射靶材，由铜、铟、镓和硒构成Cu-In-Ga-Se2四元合金体系，其中铜、铟、镓和硒的原子比为（20-25）∶（10-19）∶（6-12.5）∶（50-60）。本发明还提供了一种平面铜铟镓硒溅射靶材的制备方法。该靶材由铜、铟、镓和硒构成Cu-In-Ga-Se2四元合金体系，能够大幅降低铜铟镓硒薄膜电池的生产成本，使铜铟镓硒薄膜电池大规模工业化。该靶材的制备方法以高纯金属铜、铟、镓、硒为原料，经过球磨、过筛、热压等工艺制得平面铜铟镓硒溅射靶材，工艺简单、成本低廉，适于工业化生产，制得的靶材相对密度高可达到89%以上、氧密度高可达150-250ppm
一种平面铜铟镓硒溅射制备方法

[发明专利]一种用溶胶凝胶法制备氮化镓纳米晶体的方法-CN200610016271.1无效
发明人：邱海林 -专利权人：国家纳米技术与工程研究院
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：一种用溶胶凝胶法制备氮化镓纳米晶体的方法分两步进行：首先采用溶胶凝胶法制备氧化镓/无定型碳混合物，即将硝酸镓溶解到浓硝酸中，滴加浓氨水调节pH值；将溶液加热并添加柠檬酸，搅拌2小时冷却后成为透明凝胶；将其置于马弗炉中，在高温下干燥；第二步：利用管式真空炉制备氮化镓纳米晶体，即将氧化镓/无定型碳混合物装入陶瓷管内，排出空气充入氨气；在温度850～950℃下保温1小时；再通入氩气冷却后制得氮化镓纳米晶体。本发明的优点是：制得的氮化镓纳米晶体为六方相结构，平均粒径为10－11纳米且粒径均匀，可用于制备高质量一维氮化镓或直接用作氮化镓量子点复合材料；本方法简单易行、产出率高，适于批量生产。
一种溶胶凝胶法制氮化纳米晶体方法

[发明专利]一种稀土掺杂的ITO靶材及其制备方法-CN202310570152.4在审
发明人：曾探;曾墩风;王志强;陈光园;赵岩 -专利权人：芜湖映日科技股份有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明涉及靶材技术领域，具体涉及一种稀土掺杂的ITO靶材及其制备方法，所述稀土掺杂的ITO靶材通过如下制备方法得到：(1)氧化镓球磨、(2)喷雾造粒、(3)压力成型、(4)高温烧结、(5)磨床加工；采用先预球磨氧化镓的方式使高活性纳米氧化镓和氧化铟、氧化锡粉末混合均匀，通过不同温度段，不同升温速率来进行烧结，使氧化铟锡镓充分反应，得到细晶粒，高性能的稀土掺杂的ITO靶材。
一种稀土掺杂 ito 及其制备方法

[发明专利]一种铟镓锌氧化物半导体薄膜的制备方法-CN201410040761.X有效
发明人：方汉铿;谢应涛;蔡述澄;欧阳世宏;石强 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2014-01-27 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓锌氧化物半导体薄膜的制备方法，包括如下步骤：a）制备乙酰丙酮镓的乙醇溶液、乙酰丙酮锌水合物的乙醇溶液和乙酰丙酮铟的四氢呋喃溶液；b）将三种溶液进行混合并搅拌均匀，制得铟镓锌氧化物的前驱体溶液；c）将前驱体溶液沉积在基板材料上并进行退火处理，制得铟镓锌氧化物半导体薄膜。
一种铟镓锌氧化物半导体薄膜制备方法

[发明专利]铜镓合金复合钠元素靶材的制造方法-CN201510347623.0在审
发明人：陈荣志;张瑞东 -专利权人：中国钢铁股份有限公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜镓合金复合钠元素靶材的制造方法，包括以下步骤：(a)提供金属铜及金属镓；(b)真空熔炼金属铜及金属镓，形成铜镓合金溶液；(c)雾化该铜镓合金溶液，形成多个铜镓合金微液滴，并冷却上述铜镓合金微液滴，形成铜镓合金粉体；(d)混合该铜镓合金粉体与钠化合物粉体，形成铜镓合金-钠化合物复合粉体；及(e)利用电阻式热压法成型及致密化该铜镓合金-钠化合物复合粉体，制得铜镓合金复合钠元素靶材。
合金复合元素制造方法

[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法及太阳能电池-CN201910470993.1在审
发明人：李梦洁 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法及太阳能电池，该方法包括将按化学计量比称量的亚铜盐、In₂Se₃、Se和Ga四种原料溶解于有机溶剂中，制得铜铟镓硒前驱体溶液；将制得的铜铟镓硒前驱体溶液通过滴涂法涂覆在衬底上；采用透明薄膜覆盖在所述衬底的铜铟镓硒前驱体溶液上，并去除气泡；对经所述透明薄膜覆盖的上述衬底进行退火处理，以使铜铟镓硒前驱体溶液呈半固相状态；剥离所述透明薄膜，制得铜铟镓硒吸收层。
前驱体溶液铜铟镓硒透明薄膜衬底制备铜铟镓硒太阳能电池太阳能电池吸收层铜铟镓硒吸收层化学计量比固相状态生产效率退火处理有机溶剂原料溶解粗糙度均匀性亚铜盐称量滴涂法涂覆盖去除剥离维护

[发明专利]镓酸镧薄膜及其制造方法及相应的镓酸镧薄膜光电探测器-CN201811121315.6有效
发明人：谷雪 -专利权人：北京铭镓半导体有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种镓酸镧薄膜光电探测器，以及相应的钙钛矿结构镓酸镧薄膜及其制造方法。所述的探测器包括依次叠置的衬底、镓酸镧薄膜和电极，其中镓酸镧薄膜为(00l)取向的钙钛矿结构LaGaO3外延薄膜，衬底为LaAlO3制得的镓酸镧薄膜表面致密、厚度稳定均一，适于大面积制备、且重复性好。本发明制得的光电探测器暗电流极小、紫外可见抑制比高、响应度高、且制造工艺简单。
镓酸镧薄膜及其制造方法相应光电探测器

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