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[发明专利]一种氧化铟镓锌靶材的制备方法-CN202211160873.X在审
发明人：左宁伟;杨杰 -专利权人：九天智能科技（宁夏）有限公司;江苏莱希海姆科技有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟镓锌靶材的制备方法，包括：将氧化铟粉末、氧化镓粉末和氧化锌粉末加入水中，并加入分散剂，搅拌制得IGZO前混液；将IGZO前混液加入球磨机中进行湿磨，制得IGZO浆料；将IGZO浆料依次进行喷雾造粒和压制成型，制得IGZO素坯；将IGZO素坯依次进行排胶、预烧结和高温烧结，制得IGZO靶材；其中，排胶温度为500℃～800℃，排胶时间≥24小时；预烧结温度为1000℃～1250℃，保温时间为6～12小时；高温烧结温度为
一种氧化铟镓锌靶材制备方法

[发明专利]镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法-CN201110075427.4无效
发明人：何军辉;刘振华;刘拥军 -专利权人：扬州大学
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法。将In2O3、SnO2、Ga2O3、MoO3粉体和无水乙醇混合经球磨、预合成、再球磨、造粒、成型、烧结、退火，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物InSnGaMo陶瓷靶；将镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)陶瓷靶材置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)透明导电薄膜。
镓钼共掺杂氧化物陶瓷透明导电薄膜制备方法

[发明专利]一种低熔点合金浸蚀增强型抛光工具及制备方法-CN202211135921.X在审
发明人：卢文壮;杜星祝;易思广;汤华;潘家港;张云鹏;赵东旭;孙玉利;左敦稳 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B22C9/22 文献下载
摘要：一种低熔点合金浸蚀增强型抛光工具及制备方法，其特征在于该抛光工具由低熔点的镓合金、细磨粒、孔隙剂组成。镓合金是抛光工具的粘结相又是被加工材料的浸蚀相物质，所用的镓合金为熔点为30℃～250℃的含镓铟的系列镓合金。抛光加工过程时工具中的低熔点合金对被加工材料产生浸蚀，浸蚀作用和磨粒切削作用联合实现高效高质量加工。工具形状根据被加工零件要求确定。本发明用于玻璃、铝等易于被镓浸蚀的金属、合金、金属化合物的抛光和研磨加工，加工不产生废液，可实现高效高质量研磨、抛光加工。
一种熔点合金浸蚀增强抛光工具制备方法

[发明专利]低铁4N镓的制取工艺-CN202010926106.X有效
发明人：许富军;曹金龙;刘军志;原泽蓓;王久福;许翔 -专利权人：中铝矿业有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C25C1/22 文献下载
摘要：本发明公开了低铁4N镓的制取工艺，包括步骤一：将含镓溶液原液加入电解槽；步骤二：以0.137A/cm2的电流密度电解含镓溶液原液5个小时，电解槽内析出高铁金属镓；将电解槽内高铁金属镓取出并将电解槽内剩余的溶液作为低铁镓制取溶液；步骤三：以0.119A/cm2的电流密度电解步骤二中制得的低铁镓制取溶液，低铁镓制取溶液的电解时间控制在20个小时以内，电解槽内析出低铁金属镓，将低铁金属镓取出备用；步骤四：将步骤三中制得的低铁金属镓送至温度低于镓熔点的结晶槽内，进行结晶并制得低铁结晶镓。本发明能够降低4N镓产品中Fe的含量，保证4N镓产品能够满足制备高纯镓的质量标准，提高高纯镓的产出率。
制取工艺

[发明专利]基于液态镓冻结微爆破的多孔陶瓷砂轮修锐装置-CN202111444390.8在审
发明人：张晓红;陈卓;温东东;石照耀;李伟;杨志远;王鑫昱;甘霖;赵思烁 -专利权人：湖南理工学院
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B24B53/007 文献下载
摘要：本发明提出基于液态镓冻结微爆破的多孔陶瓷砂轮修锐装置,用于解决大粒度多孔陶瓷砂轮缓进给大切深磨削时熔融态磨屑凝固完全堵塞砂轮导致磨削精度急剧下降和磨削温度急剧上升的问题。首先由壳聚糖分散的液态镓微米颗粒与无水乙醇进行两级混合，然后混合液经中央回转接头和内流道向砂轮表面流动，液态镓微米颗粒填充磨粒与最底层磨屑之间的空隙，接着低温氮气将液态镓微米颗粒冷冻至零下六十摄氏度，液态镓微米颗粒发生冻结微爆破产生冲击波和准静态压力将磨屑从磨粒表面撑开或击碎，最后液态镓微米颗粒和磨屑在离心作用下脱离砂轮。
基于液态冻结爆破多孔陶瓷砂轮装置

[发明专利]一种用于光解水制氢的磷化镓光催化剂及制备方法-CN201811090020.7在审
发明人：张玉英 -专利权人：张玉英
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： B01J27/14 文献下载
摘要：本发明属于光解水制氢的技术领域，提供了一种用于光解水制氢的磷化镓光催化剂及制备方法。该方法先将磷化镓颗粒微细化处理制得磷化镓粉末，再与电子受体化合物进行球磨复合，最后以多孔碳纳米管进行负载，制得用于光解水制氢的磷化镓光催化剂。与传统方法相比，本发明制备的磷化镓光催化剂，缩短了电子迁移距离，可捕获光生电子并为电子转移提高通道，抑制光生电子与空穴对的复合过程，提高催化活性及催化效率。
磷化镓光解水制氢光催化剂制备光生电子电子受体化合物空穴微细化处理催化活性催化效率电子迁移电子转移复合过程多孔碳纳米管球磨捕获复合

[发明专利]铜铟镓硒薄膜制备方法-CN201310277577.2有效
发明人：杨春雷;于冰;程冠铭;冯叶;肖旭东;顾光一;鲍浪;郭延璐;徐苗苗 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒薄膜制备方法，包括以下步骤：通过采用铜靶、铟靶及镓靶靶材的磁控溅射，在衬底上制备铜铟镓硒预制层，所述镓靶由三硒化二镓材料制成；所述镓靶晚于所述铟靶开始磁控溅射，并且所述镓靶晚于所述铟靶停止磁控溅射；对所述铜铟镓硒预置层进行硒化及退火，制得铜铟镓硒薄膜。在上述铜铟镓硒薄膜制备方法中，通过在磁控溅射过程中，镓靶晚于铟靶开始磁控溅射，且镓靶晚于铟靶停止磁控溅射，从而有效减少镓组分在最终所制得的铜铟镓硒薄膜的底部富集，增加镓组分在铜铟镓硒薄膜顶部的含量，达到提升开路电压的目的，此外，使用该铜铟镓硒薄膜的太阳能电池的光电转换效率较高。
铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]一种高纯氧化镓的制备方法-CN201210542115.4有效
发明人：孙剑锋;刘彩玫;管督;常晖 -专利权人：中国铝业股份有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：一种高纯氧化镓的制备方法，涉及一种用作发光材料、晶体材料、催化剂及其它制品原料的高纯氧化镓的制备方法。其特征在于其制备过程采用工业镓为原料，将工业镓在加入碱液的电解槽中作为电解阳极，进行电解制备镓酸钠溶液；再将镓酸钠溶液为中间物料，进行中和、洗涤、干燥、焙烧，制得高纯氧化镓。本发明的一种高纯氧化镓的制备方法，以含镓99.99％的工业镓为原料，在碱液中进行三段电解，获取纯净的镓酸钠溶液，以此镓酸钠溶液为中间物料，进行中和、洗涤、干燥、焙烧，可制得高纯氧化镓，产品纯度达99.999%
一种高纯氧化制备方法

[发明专利]一种氮化镓薄膜及其制备方法-CN201910757927.2在审
发明人：邓承雨;芦子哲 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓薄膜及其制备方法，其中，所述氮化镓薄膜的制备方法包括步骤：将镓盐溶液与胺类化合物混合，制备氮化镓前驱物溶液；将所述氮化镓前驱物溶液制成薄膜，在第一温度条件下对所述薄膜进行退火处理；在氨气氛围下将所述薄膜加热至第二温度，所述第二温度大于第一温度，制得所述氮化镓薄膜。本发明提供的氮化镓薄膜的制备方法对温度条件(温度不大于300℃)的要求较低，其操作简单，且制得的氮化镓薄膜均一性好，导电性能较佳。
一种氮化薄膜及其制备方法

[发明专利]一种可降解的PE膜制备方法-CN202111585812.3有效
发明人：崔铨卿;崔宇明 -专利权人：南通宝加利新材料有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C08L23/06 文献下载
摘要：本发明公开一种可降解的PE膜制备方法，将镓加热至熔点以上的温度融化，滴入PE微粉中，持续搅拌，并保持所述温度，至PE微粉与液态镓混合均匀，再混合入改性淀粉，使用挤出机造粒制备可降解母粒，然后将上述可降解母粒经吹塑机制备成薄膜以氧化镓作为光催化剂，替代二氧化硅，二氧化硅是浅紫外吸收剂，氧化镓可以作为深紫外吸收剂，以避免日光下的可降解塑料的寿命降低。
一种降解 pe 制备方法

[发明专利]铝活化制氢方法、制氢装置以及发电设备-CN202210065150.5有效
发明人：刘源;梁刚强;陈鹏飞;董蒙;周灿旭 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C01B3/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝活化制氢方法、制氢装置以及发电设备。铝活化制氢方法包括如下步骤：在铝锭上开设活化槽。将镓基金属液注入活化槽内，通过镓基金属液将活化槽的槽壁活化，制备活化铝锭。将活化槽内的镓基金属液与水接触。在上述制氢方法中，反应物成分简单、易于获取，反应过程不涉及高能球磨和高温熔炼，能够有效降低制氢过程的能源消耗，降低生产过程中的安全隐患。
活化方法装置以及发电设备

[发明专利]氧化镓基板研磨用组合物-CN201980063812.1在审
发明人：平子佐知子;野口直人 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供：在氧化镓基板的研磨中可实现高研磨速率与高面品质的兼顾的研磨用组合物、使用该研磨用组合物的氧化镓基板的研磨方法及制造方法。[解决方法]根据此处公开的技术，提供一种用于氧化镓基板的研磨的研磨用组合物。该研磨用组合物包含磨粒和水。通过使用这样的研磨用组合物进行研磨，可以提升对氧化镓基板的研磨速率，且可实现具有良好的面品质的氧化镓基板。
氧化镓基板研磨组合

[发明专利]掺镓硅锭的制备方法、掺镓硅锭和硅片-CN201910735850.9在审
发明人：明亮;黄美玲;段金刚;刘福刚 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺镓硅锭的制备方法、掺镓硅锭和硅片，该制备方法包括以下步骤：将液态金属镓注入到硅料的孔洞中，使液态金属镓固化和/或密封孔洞，所得装有金属镓的硅料与剩余硅料装入石英坩埚中，经过熔化、再结晶和退火冷却，得到掺镓硅锭。掺镓硅锭由上述制备方法制得。硅片由上述掺镓硅锭制得。本发明制备方法能够实现掺镓过程以及掺镓含量的有效、精确控制，具有操作方便、易于控制、掺镓量精确度高等优点，由此制得的掺镓硅锭具有纵向电阻率分布均匀性好、少子寿命长等优点，且进一步制成的太阳电池光电转换效率更高
硅锭制备硅片液态金属镓硅料太阳电池光电转换效率孔洞熔化退火分布均匀性纵向电阻率光致衰减密封孔洞少子寿命石英坩埚金属镓剩余硅再结晶镓量固化装入冷却应用

[发明专利]基于氧化镁衬底的氧化镓薄膜光电探测器及其制造方法-CN201810801066.9在审
发明人：吴真平;余杰 -专利权人：北京镓族科技有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化镓薄膜光电探测器，以及相应的氧化镓薄膜和氧化镓薄膜的制造方法。所述的探测器包括依次叠置的衬底、氧化镓薄膜和电极，其中氧化镓薄膜为(00l)取向的β‑Ga₂O₃薄膜，衬底为MgO衬底。本发明的工艺可控性强、容易操作。本发明制得的氧化镓薄膜表面致密、厚度稳定均一，适于大面积制备、且复性好。本发明制得的光电探测器响应度高、暗电流小、紫外可见抑制比高、制造工艺简单，且所用材料容易获得。
氧化镓薄膜衬底探测器薄膜光电致密工艺可控性光电探测器薄膜表面厚度稳定制造工艺紫外可见暗电流响应度氧化镁抑制比电极叠置复性均一取向制备制造

[发明专利]一种砷化镓单晶晶体及其制备方法-CN202210403538.1在审
发明人：高佑君 -专利权人：山西中科晶电信息材料有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓单晶晶体及其制备方法。一种砷化镓单晶晶体，载流子浓度为1×1018～4×1018/cm3，迁移率为1700～2600cm2/v•s；在同等Si载流子浓度下，所述以SixAsy化合物为掺杂剂制得的砷化镓单晶晶体的B原子密度比以单质Si为掺杂剂制得的砷化镓单晶晶体的B原子密度至少低20%；所述砷化镓单晶晶体的B含量≤5×1018/cm3。本申请的砷化镓单晶晶体的制备方法是在砷化镓单晶生长前，使SixAsy化合物分布于砷化镓多晶中。此制备方法能够减轻砷化镓单晶的“B污染”，从而提高砷化镓单晶晶体的性能。
一种砷化镓单晶晶体及其制备方法