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[发明专利]键合技术的键合能测试方法-CN202111314371.3在审
发明人：余汇宇;刘武 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本申请实施例公开了键合技术的键合能测试方法，包括如下步骤：提供键合样品，键合样品包括互相键合的第一键合部以及第二键合部，第一键合部包括相背的第一表面和第二表面，第二键合部位于第二表面的中部；对键合样品施加压力：在第一表面向第一键合部施加第一压力；同时，在第二表面或者在第一键合部的周侧面向第一键合部施加多个第二压力；记录第二键合部与第一键合部键合的边缘出现裂纹时，对应的第一压力与第二压力；根据裂纹的长度、第二键合部与第一键合部键合的边缘出现裂纹时对应的第一压力以及第二压力，计算键合能；通过控制第一压力与第二压力的大小可以降低键合样品破碎的风险，进而为晶圆的质量提供可靠保障。
技术键合能测试方法

[发明专利]具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法-CN201980002051.9有效
发明人：程卫华;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：在示例中，半导体器件包括NAND存储器单元和包含第一键合接触部的第一键合层。半导体器件还包括包含DRAM单元和含有第二键合接触部的第二键合层的第二半导体结构。半导体器件还包括包含处理器、SRAM单元和含有第三键合接触部的第三键合层的第三半导体结构。半导体器件还包括在第一和第三键合层之间的第一键合界面，以及在第二和第三键合层之间的第二键合界面。第一键合接触部在第一键合界面处与第一组第三键合接触部接触。第二键合接触部在第二键合界面处与第二组第三键合接触部接触。第一键合界面和第二键合界面在同一平面中。
具有处理器存储器一体化半导体器件及其形成方法

[发明专利]具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法-CN202011488127.4有效
发明人：程卫华;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：在示例中，半导体器件包括NAND存储器单元和包含第一键合接触部的第一键合层。半导体器件还包括包含DRAM单元和含有第二键合接触部的第二键合层的第二半导体结构。半导体器件还包括包含处理器、SRAM单元和含有第三键合接触部的第三键合层的第三半导体结构。半导体器件还包括在第一和第三键合层之间的第一键合界面，以及在第二和第三键合层之间的第二键合界面。第一键合接触部在第一键合界面处与第一组第三键合接触部接触。第二键合接触部在第二键合界面处与第二组第三键合接触部接触。第一键合界面和第二键合界面在同一平面中。
具有处理器存储器一体化半导体器件及其形成方法

[发明专利]包括键合覆盖物的半导体器件-CN202310430742.7在审
发明人：夏武星;金烨 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及包括键合覆盖物的半导体器件。半导体器件包括管芯衬垫、键合柱、部署在管芯衬垫上方的管芯、耦合在管芯和键合柱之间并且具有在第一键合区域键合到管芯的第一部分和在第二键合区域键合到键合柱的第二部分的丝线、部署在第一部分上方的第一键合覆盖物，以及部署在第二部分上方的第二键合覆盖物。一种方法包括在第一键合区域将丝线的第一部分键合到管芯、在第二键合区域将丝线的第二部分键合到引线框的第一键合柱、在第一键合区域上方施加键合材料以形成第一键合覆盖物，以及在第二键合区域上方施加键合材料以形成第二键合覆盖物
包括覆盖半导体器件

[发明专利]一种晶圆级封装结构及其制造方法-CN202210761705.X在审
发明人：杨清华;赖志国 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10N30/072 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级封装结构的制造方法，包括：提供第一晶圆并在其正面形成电子器件、与电子器件电连接的第一键合部、以及环绕电子器件的第二键合部；提供第二晶圆并在其正面形成导电盲孔结构；在第二晶圆的正面形成第三键合部和第四键合部，第三键合部包括与第一键合部对应的主体部、以及与主体部连接并延伸至导电盲孔结构处与其电连接的延伸部，第四键合部与第二键合部对应；对第一键合部和第三键合部进行键合、对第二键合部和第四键合部进行键合；对第二晶圆的背面进行减薄直至暴露出导电盲孔结构并在导电盲孔结构上形成焊球
一种晶圆级封装结构及其制造方法

[发明专利]一种键合头装置-CN201010243441.6有效
发明人：任绍彬;纪伟;姚爱民 -专利权人：北京中电科电子装备有限公司
申请日： 2010-08-02 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： B23K20/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种键合头装置，应用于手动或半自动压焊设备，包括：键合头定架；打火部，设置于键合头定架上，用于完成打火；送线部，设置于键合头定架上，用于完成送线；键合部，设置于键合头定架上，包括：音圈电机，用于为键合部提供完成引线键合所需的键合压力。利用技术方案，通过在手动或半自动压焊设备上使用音圈电机来提供键合头的键合压力，使键合压力能够精确程控，提高了键合质量。
一种键合头装置

[实用新型]晶圆解键合装置-CN202320723183.4有效
发明人：王金龙;温海涛;孙璞;徐晓伟;孙振聪 -专利权人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆解键合装置，包括：承载吸附部、移动部、拉拔翻转部和刀具对准部；承载吸附部用于承载键合片晶圆并吸附键合片晶圆的第一晶圆；移动部传动连接拉拔翻转部，用于带动拉拔翻转部在解键合位置和传出位置间移动；拉拔翻转部用于在解键合位置吸附键合片晶圆的第二晶圆，带动第二晶圆远离第一晶圆移动使第二晶圆和第一晶圆解键合，以及在传出位置翻转第二晶圆；刀具对准部用于对准第二晶圆和第一晶圆之间的键合胶层并刺出缺口。该晶圆解键合装置的各部分结构配合能够实现键合片晶圆的放置、晶圆解键合、转移及翻转和晶圆的取出，通过晶圆解键合装置完成晶圆解键合的全自动流程，提高解键合效率。
晶圆解键合装置

[发明专利]量子点复合物-CN202211172605.X在审
发明人：崔兮琼;郑然九;金成云 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：量子点复合物包括量子点和键合到量子点的表面的配体，其中，键合有配体的多个键合部设置在量子点的表面上，其中，键合部包括其中暴露阳离子的第一键合部、其中暴露阴离子的第二键合部以及其中阳离子和阴离子彼此键合并且被暴露的第三键合部，并且配体包括键合到第一键合部的第一配体、键合到第二键合部的第二配体以及键合到第三键合部的第三配体。
量子复合物

[实用新型]一种引线键合夹具-CN202122562839.2有效
发明人：尹晓旭;王志;张晋 -专利权人：深圳康姆科技有限公司
申请日： 2021-10-23 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种引线键合夹具，用于与引线键合设备配合对引线框架上的芯片引线进行键合，包括底板以及与底板配合将引线框架夹紧固定的压板，所述压板包括压合部和夹持部，所述压合部设置有多个键合窗口，所述键合窗口横向多排设置，奇数排的所述键合窗口在纵向上排列整齐，偶数排的所述键合窗口在纵向上排列整齐，计数排的所述键合窗口与偶数排的键合窗口错开排列设置；所述夹持部对称设置在压合部的两侧；所述夹持部用于被引线键合设备夹持。本申请具有提高集成电路芯片引线键合的效率的效果。
一种引线夹具

[发明专利]激光键合方法和具有激光键合连接部的微机械设备-CN201811567334.1在审
发明人： J·赖因穆特;M·兰巴赫 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机械设备，具有带着MEMS键合框的MEMS构件和带着罩键合框的罩构件，其中，MEMS构件和罩构件形成至少一个共同的空腔，其中，MEMS键合框和罩键合框在键合面上彼此贴靠。本发明的核心在于，MEMS键合框和/或罩键合框具有呈至少一个凹槽的形式的键合框结构化部并且两个键合框借助于由键合框的材料和/或罩键合框的材料形成的熔化部相互连接，其中，凹槽至少部分地填充以熔化部。本发明也涉及一种微机械构件，具有带着键合面的键合框，其中，键合框具有呈至少一个凹槽的形式的键合框结构化部，该键合框结构化部延伸至键合面。本发明也涉及一种用于借助激光键合制造微机械设备的方法。
键合微机械设备激光键合框结构熔化罩构件微机械构件材料形成键合面空腔贴靠填充延伸制造

[发明专利]晶圆界面键合能的测试方法-CN201910413139.1有效
发明人：徐齐;黄翔;周阳;锁志勇;丁滔滔 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G01N19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆界面键合能的测试方法，包括如下步骤：提供一键合样品，所述键合样品包括相互键合的第一键合部和第二键合部；从所述键合样品的一端将所述第一键合部和所述第二键合部拉开至设定的远离距离，并实时记录在拉开过程中随拉开距离变化的拉力；根据所述拉开距离与所述拉力的变化关系计算出界面键合能。本发明通过在晶圆特定位置截取键合样品，对所述键合样品进行多次拉力测试，通过拉力与拉开距离的关系，得到所述键合样品的界面键合能。
界面键合能测试方法

[发明专利]一种三维芯片的制备方法及三维芯片-CN202110994529.X在审
发明人：王慧梅 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种三维芯片的制备方法及三维芯片，方法包括：提供至少两片晶圆；在至少两片晶圆之间形成真实混合键合部及虚拟混合键合部；至少两片晶圆通过真实混合键合部及混合键合部连接；真实混合键合部用于两片晶圆之间的信号传输，虚拟混合键合部无任何信号传输；如此，两片晶圆之间的热量可通过虚拟键合部传输至基板，基板再通过球栅阵列式封装BGA将热量传递至基板外部，提高三维芯片的散热效果；因虚拟混合键合部可同时分散应力，减轻单个真实混合键合部承受的应力，避免真实混合键合部对应的介质层开裂；另外，多个虚拟混合键合部可提高混合键合部分布的均匀性，在向两片晶圆之间填充SiO2时，避免填充空洞，确保器件的整体性能。
一种三维芯片制备方法

[发明专利]晶圆解键合系统及其控制方法-CN202310352919.6在审
发明人：王金龙;温海涛;徐晓伟;孙璞;孙振聪 -专利权人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆解键合系统及其控制方法，晶圆解键合系统包括用于承载键合片晶圆并吸附键合片晶圆的第一晶圆的承载吸附部；用于在解键合位置吸附键合片晶圆的第二晶圆，带动吸附模块在解键合位置处施加使第二晶圆远离第一晶圆移动的拉力，和在传出位置处翻转第二晶圆的拉拔翻转部；传动连接所述拉拔翻转部用于带动拉拔翻转部移动至解键合位置以进行解键合和移动至传出位置以传出第二晶圆的移动部；用于朝向键合片晶圆移动以在第一晶圆和第二晶圆之间的键合胶层处刺出缺口的刀具对准部该晶圆解键合系统的各部分结构配合能够完成快速稳定的晶圆解键合操作，通过晶圆解键合系统的控制方法进行控制能够进行自动化的晶圆解键合操作。
晶圆解键合系统及其控制方法

[发明专利]形成三维导线环的方法和使用该方法形成的导线环-CN201711095362.3有效
发明人：杰弗里·格里杰尔多;金定民;李俊浩;朴致宽;宋景耀 -专利权人：先进科技新加坡有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用键合工具在第一键合点和第二键合点之间键合线的方法。它包括以下步骤：利用键合工具在第一键合点处形成第一键合，形成位于第一键合之上的第一扭结部，以及将键合工具移动到与第一扭结部间隔开预定距离的第一位置以从键合工具释放一定长度的线。该方法还包括将键合工具沿远离第二键合点的方向移动到在包括第一键合点、第二键合点和第一扭结部的平面外的第二位置的步骤。该方法还包括形成位于所述平面之外的第二扭结部，并且将键合工具移动到第二键合点以形成第二键合的步骤。
形成三维导线方法使用

[发明专利]一种IGBT封装结构、半导体器件及封装方法-CN202310909143.3在审
发明人：张佳佳;符超;万今明 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT封装结构、半导体器件及封装方法，该封装结构包括塑封框架、电极键合部、平面电极及键合件；塑封框架内部设有晶圆键合区，框架的顶部为封装表面；电极键合部设于晶圆键合区上；平面电极设于封装表面；键合件设于晶圆键合区与平面电极之间且两端分别电连接电极键合部和平面电极。该封装结构将平面电极设置于处在晶圆键合区上方的封装表面上，并将键合件在晶圆键合区与平面电极之间，通过键合件的两端电连接到电极键合部和平面电极来实现IGBT的电气连接，增大了键合处的接触面积，有效地减缓了键合处的热聚集效应
一种 igbt 封装结构半导体器件方法

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