“锑扩散”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果176254个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种复合锑扩散源制备方法和半导体掺杂加工的方法-CN202210000074.X在审
发明人：阮岳峰;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：浙江尚能实业股份有限公司
申请日： 2022-01-02 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合锑扩散源制备方法和半导体掺杂加工的方法，1，按质量份数将正硅酸乙酯20‑22份与乙醇35‑40份混合均匀加热至60‑65℃；2，按质量份数加入水3‑5份，60‑65℃下保温2‑3h后降至室温；3，按质量份数将正丁醇3‑15份与五氯化锑1‑5份均匀混合，其中正丁醇的质量份数是五氯化锑的3倍，通入足量氨气，过滤沉淀收集滤液得到正丁醇锑；4，将步骤3中制得的正丁醇锑加入到步骤2中制备的混合液中搅拌半导体掺杂加工的方法为：1将复合锑扩散源均匀涂布于硅片表面；2，对硅片预烘加热使得复合锑扩散源形成固化的膜层；3，将硅片移动至扩散炉中进行热扩散。通过控制膜厚及扩散源中锑的含量来实现锑掺杂浓度的精确控制。
一种复合扩散制备方法半导体掺杂加工

[发明专利]一种选择性发射极锑化镓红外电池及其制备方法-CN201310419829.0有效
发明人：汤亮亮;叶宏 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L31/0693 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性发射极锑化镓红外电池及其制备方法，包括锌扩散法制备PN结、制备电极、表面钝化、制备减反射层等步骤；特征是采用锌-镓合金作为扩散源进行密封式锌扩散在N型锑化镓晶片中形成仅具有单扩散前沿的锌浓度曲线采用本发明的方法可以有效遏制扩散后锑化镓晶片表面的高浓度扩散层，解决传统扩散过程后精确腐蚀难以控制的问题；采用本发明的方法在制备PN结的过程中不需要通入任何保护气体，降低了锑化镓电池的成本；采用本发明方法制备的本发明的选择性发射极锑化镓红外电池，其内部的单扩散前沿锌曲线通过扩散直接形成，无需采用腐蚀过程，因此其电学输出性能稳定，可用于红外光电转换系统中作为电能转换元件。
一种选择性发射极锑化镓红外电池及其制备方法

[发明专利]表面具有锡锑铝巴氏合金涂层的镁合金构件及其制作方法-CN200910103874.9无效
发明人：孙智富;王春欢;罗静;张微;詹捷 -专利权人：重庆理工大学
申请日： 2009-05-15 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明公开了表面具有锡锑铝巴氏合金涂层的镁合金构件，由锡锑铝巴式合金涂层、中间扩散层和镁合金基体三层构成，锡锑铝巴式合金涂层在外层，锡锑铝巴式合金涂层下面是中间扩散层，中间扩散层下面是镁合金基体；锡锑铝巴式合金涂层、中间扩散层和镁合金基体结合成一个整体。本发明的镁合金构件，起表面的锡锑铝巴氏合金涂层，具有耐蚀、耐磨、冶金结合等优点，该涂层可以在镁合金制品表面形成尺寸较厚、结合强度高、耐蚀耐磨的冶金结合扩散涂层，适用于现有所有牌号的镁合金表面；能显著增强镁合金制品
表面具有锡锑铝巴氏合金涂层镁合金构件及其制作方法

[发明专利]一种P型衬底锑化镓热光伏电池的制备方法-CN201810511478.9在审
发明人：汤亮亮;张怿;许昌;黄潮;殷龙 -专利权人：河海大学
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种P型衬底锑化镓热光伏电池的制备方法，在P型衬底上制备的一氧化硅层在进行N型气相扩散过程中可作为杂质溶解层，起到溶解并稀释N型扩散杂质的目的，降低了N型杂质原子浓度，若衬底表面没有此薄膜层，N型扩散杂质原子将与P型锑化镓表面的镓原子反应生成硫化镓、硒化镓或碲化镓等黑色化合物，阻碍气相扩散的进行，P型衬底表面将无法形成可用的N型层；因此本发明实现了N型杂质原子在P型锑化镓中的气相扩散，制备了P型衬底锑化镓热光伏电池，其长波段量子效率比传统N型衬底锑化镓热光伏电池高，非常适合在1000~1500℃的热光伏发电系统中作为光电转换器件使用。
锑化镓衬底热光伏电池制备扩散衬底表面热光伏发电系统光电转换器件黑色化合物一氧化硅层量子效率杂质溶解杂质原子薄膜层长波段硫化镓硒化镓碲化镓镓原子可用稀释溶解阻碍

[发明专利]一种制备低电阻纳米粉体的方法-CN201310648103.4有效
发明人：汪建新;李颖;闫浩然;翁杰;冯波;周绍兵;鲁雄;屈树新;段可;卢晓英;智伟 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：通过金属元素锑和二氧化锡在无水的条件下掺杂经扩散、共沉淀和烧结制备锑掺杂二氧化锡纳米粉末，步骤一，将四氯化锡溶于无水乙醇，再按照摩尔比例为10:1加入三氯化锑，用甲醇溶解得混合溶液；步骤二，将该混合溶液置于碳酸铵的密封环境中，通过扩散法将氨气扩散到溶液中共沉淀出锑掺杂二氧化锡前驱体；步骤三，将得到的锑掺杂二氧化锡前驱体用含水量50%乙醇洗涤六次以上，烘箱中70℃烘干，步骤四，将烘干后的锑掺杂二氧化锡前驱体放入马弗炉中600
一种制备电阻纳米方法

[发明专利]用于微波真空电子器件的光电阴极及其制备方法-CN201910106058.7在审
发明人：刘燕文;田宏;石文奇;朱虹;李芬;李云;王小霞 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本公开提供一种用于微波真空电子器件的光电阴极及其制备方法，其光电阴极的制备方法，包括：步骤S100：制备碱金属源，将碱金属化合物、还原剂和金属粉末进行压制；步骤S200：在碱金属源上制备锑扩散层，将锑粉与镍粉和/或锑粉与钨粉在碱金属源上进行压制；步骤S300：加热体对碱金属源下部进行加热。本公开通过一体式加热方式，对碱金属源扩散层和锑扩散层进行加热，提供受控的光电发射层，以代替活性物质蒸发损失，从而延长阴极的使用寿命，并可以从中毒、暴露大气过程中恢复。
碱金属源制备光电阴极微波真空电子器件锑扩散锑粉加热压制阴极碱金属化合物光电发射层大气过程活性物质加热方式金属粉末使用寿命蒸发损失还原剂加热体扩散层镍粉受控钨粉暴露恢复

[发明专利]金属锑真空精馏提纯方法及其装置-CN200510010781.3无效
发明人：鲁燕杰 -专利权人：云南省通海大方科技有限公司
申请日： 2005-04-30 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： C22B30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属锑的真空精馏提纯方法及其装置。该方法将工业锑破碎后，装入坩锅后放置在立式真空精馏炉的蒸发器中，依次启动加热装置，真空机械泵和扩散泵，使金属锑熔融，形成金属锑蒸气。在扩散泵和真空机械泵的作用下，沿塔板孔上升；蒸发温度高于金属锑的杂质留在坩锅内。由于冷凝器每两块塔板之间形成一个冷凝段，随着金属锑蒸汽不断上升，金属锑在各冷凝段内渐次结晶，而蒸发温度低于金属锑的杂质继续蒸发，收集器温度控制在120℃～150℃，使杂质蒸汽全部在收集器中结晶，达到分离提纯的目的本发明无需多次蒸馏和添加其它化学物质，能一次性提纯金属锑，工艺简单，产品质量稳定，纯度达到99.99％以上。
金属真空精馏提纯方法及其装置

[发明专利]一种采用两次外延锑埋层技术的双极型器件制作工艺-CN201110319683.3有效
发明人：朱伟民;聂卫东;邓晓军 -专利权人：无锡友达电子有限公司
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公布了一种采用两次外延锑埋层技术的双极型器件制作工艺，所述方法包括锑埋一注入，退火；硼埋一注入，退火；外延一；锑埋二注入，退火；硼埋二注入，退火；外延二；N阱注入，退火；磷桥扩散；隔离扩散；低硼、本发明采用两次外延锑埋层技术的悬浮PNP管，其饱和压降优于采用常规技术的悬浮PNP管。
一种采用两次外延锑埋层技术双极型器件制作工艺

[发明专利]一种硅基硫化锑异质结太阳电池及其制备方法-CN201910622847.6在审
发明人：梁宗存;孟蓝翔;沈辉;姚志荣;张林坤;蔡伦 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基硫化锑异质结太阳电池，从上至下依次包括前电极、减反层、电子传输层、硅基体、空穴传输层和背电极；所述电子传输层的材料包含硫化锑，所述硅基体为p型单晶硅。本发明所述异质结太阳电池采用硫化锑作为电子传输层，硫化锑与p型硅能带结构能较好地匹配，有利于电子的传输，硫化锑的少子扩散长度大，可以获得较大的短路电流。本发明还公开了一种硅基硫化锑异质结太阳电池的制备方法，该方法工艺简单、低温、安全、环保、易实现，且成本优势显著，略去高温扩散p‑n结工艺，以及HIT电池制备中使用的危险气体等。
硫化锑异质结太阳电池电子传输层硅基硅基体制备空穴传输层成本优势从上至下电池制备短路电流高温扩散能带结构危险气体背电极减反层前电极少子匹配传输扩散环保安全

[发明专利]一种抗静电光扩散材料及其制备方法-CN201910317560.2在审
发明人：全敦华;陈明进;万锋;孙玉璞 -专利权人：金旸（厦门）新材料科技有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C08L25/06 文献下载
摘要：本发明属于材料领域，具体涉及一种抗静电光扩散材料及其制备方法。所述抗静电光扩散材料由树脂基体、经偶联剂表面处理的锑掺杂二氧化锡包覆二氧化硅粉末、光扩散剂以及任选的增韧剂、抗氧剂和润滑剂组成；所述树脂基体的折光率与所述经偶联剂表面处理的锑掺杂二氧化锡包覆二氧化硅粉末的折光率之差不超过0.05，所述树脂基体、经偶联剂表面处理的锑掺杂二氧化锡包覆二氧化硅粉末和光扩散剂的重量比为(90～200):(1～20):1。本发明提供的抗静电光扩散材料具有永久的抗静电效果，抗静电效果稳定，且不受空气湿度影响，无析出，不容易发霉。
光扩散材料抗静电锑掺杂二氧化锡二氧化硅粉末树脂基体偶联剂包覆抗静电效果光扩散剂折光率制备润滑剂组成材料领域湿度影响析出抗氧剂增韧剂重量比发霉

[发明专利]一种锑冶炼设备-CN202310685817.6在审
发明人：唐磊;王西晓;徐浙武 -专利权人：益阳生力材料科技股份有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C22B30/02 文献下载
摘要：本发明属于锑冶炼技术领域，具体的说是一种锑冶炼设备，包括混合罐、进料管、锥筒、主轴、固定套、扩散盘、弹性弧杆和配重球；辉锑矿粉末与焦炭粉末落到顶部的扩散盘上，电机通过主轴带动扩散盘旋转，配重球向外侧飞出，带动弹性弧杆拉直，配重球撞击到锥筒上，配合弹性弧杆产生的弹力，使得弹性弧杆复位，使得扩散盘的外圈向上弹起，将向外圈飞散的粉末向上扬起混合，辉锑矿粉末与焦炭粉末落到锥筒上，再沿着锥筒滑到下一层的扩散盘上，经过多次的扩散和聚合，使得辉锑矿粉末与焦炭粉末得以充分地混合，混合粉末从混合罐底部的下料口排出，实现了辉锑矿粉末与焦炭粉末持续不断地进行混合，提高了原料混合的效率，继而提高了锑冶炼的效率。
一种冶炼设备

[发明专利]一种用于锑乳胶源埋层扩散的专用设备及方法-CN201310158166.1有效
发明人：黄福仁;黄赛琴;林吉申;林志雄;陈轮兴;杨忠武 -专利权人：福建省安特半导体有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于锑乳胶源埋层扩散的专用设备及方法。所述的专用设备,石英扩散管设置在扩散高温炉中,石英扩散管的前部设有进气口,进气口与均流石英装置相连,石英扩散管的后部设排气口,扩散高温炉分为为三区,炉外设有三区温控装置;所述的锑乳胶源埋层扩散方法本发明采用工艺线上通常使用的热扩散方法制备低阻埋层，涂胶转速转速在2500-5000转/分、扩散条件（扩散最佳温度1250℃、恒温时间7小时、升降温速度5℃/分）、保护气氛（扩散气氛）配比N2：O2=8.8：1.8。本发明实现了双极型集成电路埋层扩散技术优化，也可以推广应用到其它如双极型分立器件埋层扩散，也可以应用在双极型工艺为主的BiCMOS集成电路生产线上。
一种用于乳胶源埋层扩散专用设备方法

[发明专利]一种高纯锑的生产方法及其设备-CN202310378482.3在审
发明人：卢鹏荐;曾小龙;张林;胡振权;柯长虹 -专利权人：武汉拓材科技有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C22B30/02 文献下载
摘要：本发明涉及高纯金属冶炼技术领域，尤其涉及一种高纯锑的生产方法及其设备，原料锑在真空状态下加热蒸发，经过蒸汽管进入到冷凝室内，升华后的锑蒸汽在成品出口冷凝收集于产品室；蒸馏过程中，采用充气鼓泡的方式促使锑液内部的液体向锑液表面流动，形成锑液的环流。本发明采用充气鼓泡的方式促使锑液内部的液体向锑液表面流动，形成锑液的环流，改善气液相界面的物质交换，增大杂质在锑液中的扩散，促进砷、铅等与锑分离，极大提高锑的纯度，解决了现有的真空蒸馏法提纯高纯锑的设备和工艺方法存在产量低和产品质量不高的问题
一种高纯生产方法及其设备

[发明专利]螺栓型晶闸管制造方法-CN89104009.9无效
发明人：张建华 -专利权人：邮电部武汉通信电源厂
申请日： 1989-06-15 - 公布日： 1991-10-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种螺栓型晶闸管制造方法，属于半导体制造技术领域本发明采用二次扩散法在原始N型硅片上形成P-N-P-N四层结构，用银-锑合金片(Ag-Sb)代替金-锑合金片(Au-Sb)进行烧结形成N+层和阴极电极。本发明与传统的“扩散——合金法”、“双扩散——镀镍法”及“双扩散——超声点焊法”等相比，具有以银代金和工艺流程短、劳动强度低、产品合格率高等特点，因而特别适合于5～200A的中，小功率螺栓型晶闸管的批量生产
螺栓晶闸管制造方法

[发明专利]高击穿n型埋层-CN201580020171.3有效
发明人： S·P·彭哈卡;B·胡;H·L·爱德华兹 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2015-04-27 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：在所述示例中，半导体器件(100)具有通过以高剂量和低能量将锑和/或砷注入到p型第一外延层(104)中，并且以低剂量和高能量注入磷形成的n型埋层(108)。热驱动过程扩散和激活重掺杂剂和磷二者。锑和砷不显著扩散，保持用于埋层(108)的主层(114)的窄分布。磷扩散以提供在主层(114)下方的几微米厚的轻掺杂层(120)。外延p型层(106)在埋层(108)上方生长。
击穿型埋层

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条