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[发明专利]一种锆酸锶基化合物及其制备方法和应用-CN202110791303.X有效
发明人：卫皇曌;张橙;韩培威;孙承林;李敬美 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C02F1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种锆酸锶基化合物及其制备方法和应用，所述锆酸锶基化合物包括锆酸锶铁；所述锆酸锶基化合物具有钙钛矿型结构。本申请将锆酸锶铁作为降解废水的催化剂，具有良好的中间甲酚转化率和TOC去除率，且制备方法简单，无污染，易回收利用，是一种绿色环保的工艺，且具有制备催化剂时间周期短、人力物力消耗较少的优势。
一种锆酸锶基化合物及其制备方法应用

[发明专利]一种锆酸铋钠锶掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷材料及其制备方法-CN201910373628.9在审
发明人：朱建国;程原;邢洁;谢李旭;陈强 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种锆酸铋钠锶掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷材料及其制备方法，其特点是该方法是采用固相法制备锆酸铋钠锶掺杂铌酸钾钠（KNN）基陶瓷粉体材料；再通过造粒压片、排胶、烧结和被银测试等电子陶瓷制备工艺制备锆酸铋钠锶掺杂KNN基陶瓷。
一种锆酸铋钠锶掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]掺杂改性锆酸锶基中高压瓷介电容器材料-CN201010603040.7无效
发明人：钱云春 -专利权人：钱云春
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明提供掺杂改性锆酸锶基中高压瓷介电容器材料，由锆酸锶SrZrO360-64％、钛酸锶SrTiO320～24％、二氧化锰MnO24～8％、氧化镝Dy2O38-10％、锆酸钙CaZrO38-12％组成的高压陶瓷电容器材料
掺杂改性锆酸锶基中高压电容器材料

[发明专利]一种低热导率、高相稳定性的锆酸锶基复合陶瓷热障涂层材料及其制备方法和应用-CN201911222586.5有效
发明人：马文;张景新;白玉;董红英;张辰楠;张鹏;齐英伟;陈伟东 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明公开一种低热导率、高相稳定性的锆酸锶基复合陶瓷热障涂层材料及其制备方法和应用，所述锆酸锶基复合陶瓷热障涂层材料的化学式为SrX(Zr0.9base:Sub>和A2O3粉体为原料，将原料称重后混合，用研钵进行研磨，以无水乙醇为介质；然后进行焙烧及热处理，得到锆酸锶基复合陶瓷热障涂层材料该材料在室温至1450℃温度范围内有很好的相稳定性，并且热导率最高的陶瓷比现有热障涂层材料低30％以上，比锆酸锶材料低20％以上；热导率最低的陶瓷比常规热障涂层YSZ材料降低了40％以上，比锆酸锶材料降低
一种低热稳定性锆酸锶基复合陶瓷热障涂层材料及其制备方法应用

[发明专利]一种锆酸锶无机纤维及其制备方法-CN202110376425.2有效
发明人：袁康康;窦同瑞;李洁;靳晓彤;李呈顺 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种锆酸锶无机纤维及其制备方法。制备方法包括锆源、锶源、有机配体和助纺剂按照一定的比例，在水溶液中加热溶解，制得锆酸锶前驱体溶胶；将锆酸锶前驱体溶胶通过静电纺丝法获得锆酸锶前驱体纤维；将锆酸锶前驱体纤维通过热处理制得锆酸锶无机纤维。所得溶胶稳定可靠，可纺性好，易于纺丝制备，前躯体纤维固含量高，所制备锆酸锶无机纤维直径为0.5‑1.0μm，且在室温至1400℃高温条件下保持纤维形态稳定。
一种锆酸锶无机纤维及其制备方法

[发明专利]耐冲击锆酸锶基高压陶瓷电容器材料-CN201010603030.3无效
发明人：钱云春 -专利权人：钱云春
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明提供耐冲击锆酸锶基高压陶瓷电容器材料，由锆酸锶SrZrO360-64％、钛酸钡BaO320～24％、锆酸钡BaZrO36-10％、锆酸钙CaZrO32-6％、钛酸镁MgTiO310-14％、氧化钇
冲击锆酸锶基高压陶瓷电容器材料

[发明专利]一种高温稳定型陶瓷粉及其陶瓷基板的制备方法-CN202310120364.2在审
发明人：姜滔;敖来远;韩玉成;应建;何创创;陈传庆 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C04B35/057 文献下载
摘要：所述陶瓷粉组分包括碳酸钙、碳酸锶、二氧化锆、五氧化二铌、氧化锌；采用碳酸锶、二氧化锆、二氧化钛合成锆锶钙钛主体材料；采用五氧化二铌、氧化锌及碳酸钙对锆锶钙钛主体材料进行掺杂改性，形成锆锶钙钛基瓷粉，即高温稳定型陶瓷粉所述陶瓷基板制备方法为：(1)在所述锆锶钙钛基瓷粉中，加入分散剂、溶剂、粘结剂；(2)通过球磨工艺制备成流延浆料；(3)所述流延浆料经过流延、裁片、叠片、等静压、热切、排胶、烧结后得到陶瓷基板。解决了现有锆酸钙作为陶瓷主体材料存在介电常数低、烧结温度高、温度特性差的问题。广泛应用于高温稳定型陶瓷粉及其陶瓷基板领域。
一种高温稳定陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法-CN202211359763.6在审
发明人：岳建岭;杨泽欧;胡海龙;黄小忠 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：以掺铌钛酸锶单晶衬底作为底电极；在掺铌钛酸锶单晶衬底表面交替沉积钛酸锶层和另一类氧化物膜层，制备得到钛酸锶基氧化物超晶格薄膜作为存储介质层，其中，另一类氧化物膜层选用掺钇氧化锆、钴酸镧、或铁酸铋中的一种；在步骤S2得到的镀有存储介质层的基片表面再沉积金属薄膜作为顶电极，得到含有底电极∥STO基氧化物超晶格薄膜存储介质层∥顶电极的忆阻器。由该制备方法制备得到的钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器可形成单晶或晶体完整性较高的超晶格薄膜，忆阻器具备低的操作电压和高的组态稳定性。
一种钛酸锶基氧化物晶格薄膜忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种掺杂型钛酸锶半导体材料及其制备方法-CN202110507188.9有效
发明人：刘乐全;崔记伟;姜韶堃;杨昕旻 -专利权人：天津大学;中国船舶重工集团公司第七一八研究所
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B01J23/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺杂型钛酸锶半导体材料及其制备方法，包括钛酸锶，所述钛酸锶掺杂有锆或者锆和铝，所述掺杂型钛酸锶半导体材料用于光催化水分解反应中。相比于现有技术，本发明提供的掺杂型钛酸锶半导体材料掺入了锆或者锆和铝进行改进，共掺杂增强了材料在可见光范围内吸收，提高了光子利用率；同时，掺杂之后减少了三价钛离子的数量，使缺陷的浓度减少，降低了载流子复合率
一种掺杂型钛酸锶半导体材料及其制备方法

[发明专利]一种锆酸钙-锆酸锶-锆酸钡固溶体陶瓷材料及其制备方法-CN201910496315.2有效
发明人：刘斌;张薇;王沛颖;杨岚;刘育辰;杨光 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种锆酸钙‑锆酸锶‑锆酸钡固溶体陶瓷材料及其制备方法，所述锆酸钙‑锆酸锶‑锆酸钡固溶体陶瓷材料的组成为：xCaZrO3‑ySrZrO
一种锆酸钙锆酸锶锆酸钡固溶体陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种锆钛酸锶钙的制备方法及其制备的MLCC用镍浆-CN202211630290.9在审
发明人：周嘉会;任海东;曹秀华;付振晓 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C01G25/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种锆钛酸锶钙的制备方法及其制备的MLCC用镍浆，属于陶瓷电容器材料技术领域。本发明所述锆钛酸锶钙的制备方法包括如下步骤：在钛酸酯和锆酸酯的醇溶液中加入沉淀剂发生络合反应，调节反应体系pH值至2～4，然后加入钙盐和锶盐的水溶液进行反应，得到沉淀，然后经超声、干燥、热处理，即得所述锆钛酸锶钙本发明所述锆钛酸锶钙的制备方法操作简单、合成时间短、合成过程易于控制、可重复性好。制备得到的锆钛酸锶钙粒径范围为20～80nm，将其作为共材加入镍浆中，能够与陶瓷介质层实现良好共烧，减少目前高频多层陶瓷电容材料共烧产生的内部应力，减少内电极与介质层的裂纹、分层等问题。
一种锆钛酸锶钙制备方法及其 mlcc 用镍浆

[发明专利]一种铁电阻变存储器及其开关比的调控方法-CN201610557208.2在审
发明人：王占杰;白宇 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种金/锆钛酸铅/掺铌钛酸锶铁电阻变存储器及调控其开关比的方法，该铁电阻变存储器由上电极材料金，下电极和衬底材料掺铌钛酸锶以及锆钛酸铅铁电材料所构成。该器件的制备方法是利用化学溶液沉积法在掺铌钛酸锶衬底上沉积锆钛酸铅铁电薄膜，然后利用溅射法在锆钛酸铅铁电薄膜上沉积金作为上电极。其中锆钛酸铅铁电材料的厚度为100～450nm。通过调控锆钛酸铅铁电材料的厚度，实现了金/锆钛酸铅/掺铌钛酸锶铁电阻变存储器开关比从17到846的变化，提高了50倍。该方法可以有效地调控铁电阻变存储器开关比，简单易行，便于实际应用。
一种电阻存储器及其开关调控方法

[发明专利]一种制备多元协同掺杂钛酸锶钡制备高性能陶瓷电容器材料的方法-CN201610149060.9有效
发明人：詹丽君;洑义达;左真国;陆婵娟 -专利权人：江苏省陶瓷研究所有限公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备多元协同掺杂钛酸锶钡制备高性能陶瓷电容器材料的方法，通过利用钛酸锶、钛酸钡、钛酸锆基实现使BST陶瓷材料在室温范围内实现介电特性，采用多元掺杂和协同补偿提高产品性能。
陶瓷电容器材料掺杂钛酸锶制备高性能协同制备产品性能多元掺杂介电特性陶瓷材料低损耗高耐压钛酸钡钛酸锆钛酸锶高介节约

[发明专利]锆酸钡基中高压瓷介电容器材料-CN201010602988.0无效
发明人：钱云春 -专利权人：钱云春
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明提供锆酸钡基中高压瓷介电容器材料，由锆酸钡BaZrO380～84％、钛酸钡Ba TiO38-10％、钛酸钙CaTiO34-8％、钛酸锶SrTiO34-8％、锆酸钙CaZrO34-8％组成的高压陶瓷电容器材料
锆酸钡基中高压电容器材料

[发明专利]一种负温度系数锆酸钡基的高压陶瓷电容器材料-CN201010603014.4无效
发明人：钱云春 -专利权人：钱云春
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明提供一种负温度系数锆酸钡基的高压陶瓷电容器材料，由锆酸钡BaZrO360-64％、钛酸锶SrTiO320～24％，钛酸钙BiTiO38-10％、钛酸铋CaTiO31.5-3％、钛酸镁MgTiO310.5
一种温度系数锆酸钡基高压陶瓷电容器材料

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