“铟镓氮”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果176074个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]铟镓氮薄膜的制备方法-CN202310897320.0在审
发明人：梁锋;赵德刚;刘宗顺;杨静 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种铟镓氮薄膜的制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：步骤A：在衬底生长至少一层初始氮化镓层；步骤B：在初始氮化镓层上生长一层铟镓氮层；步骤C：基于目标策略对铟镓氮层进行处理，在处理后的铟镓氮层上再生长一层铟镓氮层；目标策略包括以下至少一项：升高温度至退火温度，对铟镓氮层进行保温退火处理；降低温度至铟镓氮层的生长温度；或者，在铟镓氮层通入目标气体，目标气体用于去除铟镓氮层中的富铟区；步骤D：重复执行步骤C，直至各所述铟镓氮层的总厚度达到预设阈值，或者各所述铟镓氮层的质量达到预设阈值，生成铟镓氮薄膜。通过上述方法，可有效降低铟镓氮薄膜表面V型缺陷的密度及大小，改善厚层铟镓氮薄膜质量。
铟镓氮薄膜制备方法

[发明专利]一种铟镓氮薄膜的生长方法-CN201910311640.7在审
发明人：梁锋;赵德刚;刘宗顺;朱建军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓氮薄膜的生长方法，用以降低铟镓氮薄膜的V型缺陷，该方法包括：步骤1：在衬底上依次生长一低温氮化镓缓冲层、一高温非故意掺杂氮化镓层；步骤2：在高温非故意掺杂氮化镓层上生长一铟镓氮层，然后升高温度至退火温度，对生长的铟镓氮层进行保温退火；步骤3：降低温度至生长温度，在铟镓氮层上再生长一铟镓氮层，然后升高温度至退火温度，对再生长的铟镓氮层进行保温退火；步骤4：重复执行步骤3，直至铟镓氮层的总厚度达到预设值，完成铟镓氮薄膜的生长。本发明提出的一种铟镓氮薄膜的生长方法，通过分步生长以及退火的工艺，有效降低薄层铟镓氮薄膜表面V型缺陷的密度及大小。
铟镓氮薄膜铟镓氮层生长退火非故意掺杂氮化镓层再生长保温升高低温氮化镓缓冲层重复执行薄层衬底预设

[发明专利]一种用于沉积铟镓氮量子阱的有锥形坑且含铝成分的薄层-CN202010026871.6有效
发明人：高江东;张建立;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于沉积铟镓氮量子阱的有锥形坑且含铝成分的薄层，其结构特点是：在氮化镓基二极管中，位于氮化镓与铟镓氮量子阱之间，所述氮化镓在先，所述铟镓氮量子阱在后，所述锥形坑位于所述薄层的表层，所述铝元素无需连续均匀分布本发明的优点是：（1）使在铟镓氮基二极管的制造中，沉积的铟镓氮量子阱晶体质量提高；（2）减少铟镓氮基二极管制造过程中使用的含铟原料，节约铟镓氮基二极管的制造成本；（3）减少铟镓氮基二极管的制造时间，提高铟镓氮基二极管的生产速率；（4）减少铟镓氮基二极管中位错处的漏电，提高铟镓氮基二极管的电、光学性能。
一种用于沉积铟镓氮量子锥形成分薄层

[发明专利]铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法-CN201110026126.2有效
发明人：熊传兵;赵汉民;江风益 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法，涉及一种铟镓铝氮基半导体发光器件。该方法用于释放调节铟镓铝氮薄膜的应力，使器件的光电性能和可靠性获得提高。该方法包括：在生长衬底上形成铟镓铝氮薄膜；在铟镓铝氮薄膜上形成有呈图形化的、膨胀系数小于或者大于所述铟镓铝氮薄膜的应力调节筋，该应力调节筋减弱后续加工对铟镓铝氮薄膜产生的应力的变化趋势。本发明提出在铟镓铝氮薄膜上面制备一种图形化的应力调节筋结构，该应力调节筋附着在铟镓铝氮薄膜的表面，具有足以影响铟镓铝氮薄膜的应力的厚度。
铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法

[发明专利]含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法-CN200510030874.2有效
发明人：王立;江风益;周毛兴;方文卿 -专利权人：南昌大学
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法。本发明的铟镓铝氮半导体发光元件包括：导电基板，层叠于导电基板之上的P型欧姆电极，层叠于P型欧姆电极之上的P型铟镓铝氮(In_xGa_yAl_1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)层，层叠于P型铟镓铝氮之上的铟镓铝氮发光层，层叠于铟镓铝氮发光层之上的N型铟镓铝氮层，层叠于N型铟镓铝氮层之上的N型欧姆电极，特征是：所述的N型铟镓铝氮层的外表面为氮极性面该发光元件表面为具有氮极性面的铟镓铝氮层，并且具有良好的欧姆接触特性和很低的正向工作电压。
含有金锗镍欧姆电极铟镓铝氮半导体发光元件制造方法

[实用新型]一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构-CN201920308756.0有效
发明人：方志来;吴征远;田朋飞;闫春辉;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体材料技术领域，具体为一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构，包括：衬底，在衬底上生长的半极性氮化镓薄膜，在半极性氮化镓薄膜上生长的二维超薄铟氮/镓氮叠层结构。半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构可直接避开铟镓氮材料体系的铟氮与氮化镓混溶隙问题以及铟镓氮材料的相分离、组分涨落与铟掺入效率低等对于材料晶体质量与发光性能的影响；提高发光与光吸收效率，获得更高光电转换效率
半极性叠层结构二维镓氮氮化镓薄膜铟镓氮衬底半导体材料高光电转换效率本实用新型发光二极管光电探测器光吸收效率红外光波段太阳能电池材料晶体材料体系发光性能效率低等激光器生长氮化镓高光效混溶隙相分离波段涨落掺入紫光发光避开

[发明专利]一种改善铟镓氮外延材料表面质量的生长方法-CN201310640012.6有效
发明人：李亮;罗伟科 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善铟镓氮外延材料表面质量的生长方法，包括：（1）将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统中；（2）通入氨气，对衬底进行氮化反应1～3min；（3）采用氢气作为载气，通入氨气和三甲基镓，生长氮化镓缓冲层；（4）改氮气作为载气，继续通入三甲基镓，同时通入三甲基铟，在缓冲层上外延生长第一层铟镓氮；（5）对刚生长的铟镓氮外延层进行刻蚀，去除表面残余的铟滴和位错坑；（6）用低V/III外延生长第二层铟镓氮。优点：由本发明方法所获得的铟镓氮外延材料表面质量有了明显改善，消除了铟镓氮外延材料的表面铟滴残留，降低了位错坑密度，减小了在铟镓氮外延材料表面制备金属电极的难度，提升了器件的可靠性。
一种改善铟镓氮外延材料表面质量生长方法

[发明专利]半导体激光器及其制备方法-CN201410797886.7在审
发明人：周坤;刘建平;张书明;李德尧;张立群;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器，包括叠层设置的N型氮化镓层、N型铝镓氮层、N型铟镓氮层、多量子阱结构层、P型铟镓氮层、P型铝镓氮层和P型氮化镓层，其中，多量子阱结构层中的多个铟镓氮垒层具有倾斜量子垒结构，即在多个铟镓氮垒层中，沿着由P型氮化镓层指向N型氮化镓层的方向，多个铟镓氮垒层中铟的摩尔含量递减。该半导体激光器的制备方法为在生长多量子阱结构层的过程中，通过调节外延生长参数，使得在多量子阱结构层中，沿着由P型氮化镓层指向N型氮化镓层的方向，多个铟镓氮垒层中铟的摩尔含量递减。
半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201710520215.X有效
发明人：从颖;姚振;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，电子阻挡层包括第一子层、第二子层和第三子层，第一子层包括交替层叠的多个第一铝镓氮层和多个第二铝镓氮层，第二子层包括交替层叠的多个第三铝镓氮层和多个第一铟镓氮层，第三子层包括交替层叠的氮化镓层和第二铟镓氮层；第一铝镓氮层和第二铝镓氮层中铝的掺杂浓度大于第三铝镓氮层中铝的掺杂浓度，第一铟镓氮层、氮化镓层和第二铟镓氮层中均掺杂有镁，第一铟镓氮层中镁的掺杂浓度小于氮化镓层和第二铟镓氮层中镁的掺杂浓度
一种发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]缓解铟镓铝氮薄膜应力的半导体器件的制造方法-CN201110026143.6有效
发明人：熊传兵;赵汉民;江风益 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种缓解铟镓铝氮薄膜应力的半导体器件的制造方法，涉及半导体器件的制造方法，特别是涉及铟镓铝氮基半导体发光器件，其用于释放调节铟镓铝氮薄膜的应力，使器件的光电性能和可靠性获得提高。本发明方案包括：在生长衬底上外延铟镓铝氮薄膜；针对由于生长衬底与铟镓铝氮的热膨胀系数的差异而产生的应力，而进行至少两次将铟镓铝氮薄膜由当前衬底转移到另一个衬底上的衬底转移，该次衬底转移释放调节铟镓铝氮薄膜在生长过程中积存的应力
缓解铟镓铝氮薄膜应力半导体器件制造方法

[发明专利]一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构及其制备方法-CN201910183598.5在审
发明人：方志来;吴征远;田朋飞;闫春辉;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种高质量半极性二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构及其制备方法，包括：在衬底上生长半极性氮化镓薄膜；控制腔体环境，在半极性氮化镓薄膜上生长二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构。半极性二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构可直接避开铟镓氮材料体系的铟氮与氮化镓混溶隙问题以及铟镓氮材料的相分离、组分涨落与铟掺入效率低等对于材料晶体质量与发光性能的影响；提高发光与光吸收效率，获得更高光电转换效率
半极性叠层结构氮化镓二维氮化镓薄膜铟镓氮制备高光电转换效率半导体材料发光二极管光电探测器光吸收效率红外光波段太阳能电池材料晶体材料体系发光性能控制腔体效率低等激光器生长高光效混溶隙相分离波段涨落掺入衬底紫光镓氮发光避开

[发明专利]铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法-CN201310116862.6无效
发明人：刘运传;王雪蓉;孟祥艳;周燕萍;郑会保;魏莉萍 -专利权人：中国兵器工业集团第五三研究所
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明属于计量测试技术领域，涉及的铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法铝采用碱熔法对铟镓氮晶片外延层进行表面刻蚀，用硫酸中和刻蚀液，用硫酸或氨水进行酸度调节，采用铟—乙基紫络合显色体系，用分光光度法测定络合体系的吸光度，计算得到铟镓氮晶片的铟含量；采用深紫外光致发光光谱仪监视刻蚀程度，提高样品有效转移率，控制刻蚀深度。适用于铟镓氮晶片外延层中铟含量的准确测试，可以作为高分辨X射线衍射法、卢瑟福背散射法等物理法测量铟镓氮晶片中铟含量的一种验证方法，也可以作为铟镓氮晶体外延片成分标准物质的一种定值方法。
铟镓氮晶片外延层中铟元素含量测试方法

[发明专利]含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件及其制造方法-CN201611221303.1在审
发明人：金荣善;李东键;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底、设在该衬底上部的籽晶层、设在该籽晶层的上部的包括氮镓铝层和氮镓铟层的缓冲层以及设在该缓存层上部的Ⅲ族氮化物外延层。本发明通过设置包括氮镓铝层和氮镓铟层的缓冲层，有效缓解Ⅲ族氮化物外延层与衬底之间的晶格失配和热失配，而且因为在缓冲层中层叠设置氮镓铟层，使缓冲层中生长的氮镓铝层处于压应变状态，抑制了氮镓铝层随着厚度增加产生的较多的位错缺陷和较大的内应力
含有氮镓铝氮镓铟缓存半导体器件及其制造方法

[实用新型]含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件-CN201621439525.6有效
发明人：金荣善;李东键;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件。该半导体器件包括衬底、设在该衬底上部的籽晶层、设在该籽晶层的上部的包括氮镓铝层和氮镓铟层的缓冲层以及设在该缓存层上部的Ⅲ族氮化物外延层。本实用新型通过设置包括氮镓铝层和氮镓铟层的缓冲层，有效缓解Ⅲ族氮化物外延层与衬底之间的晶格失配和热失配，而且因为在缓冲层中层叠设置氮镓铟层，使缓冲层中生长的氮镓铝层处于压应变状态，抑制了氮镓铝层随着厚度增加产生的较多的位错缺陷和较大的内应力
含有氮镓铝氮镓铟缓存半导体器件

[发明专利]提高可靠性的发光二极管外延片及其制备方法-CN202210448660.0在审
发明人：洪威威;陆香花;肖云飞;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：p型GaN层上的p型复合接触层包括依次层叠的第一铝镓氮子层、第二铝镓氮子层、第三铝铟镓氮子层、第四铝铟镓氮子层与第五铟镓氮子层，厚度较大且存在几次势垒变化的p型复合接触层避免电流出现击穿的情况。而第一铝镓氮子层、第二铝镓氮子层、第三铝铟镓氮子层、第四铝铟镓氮子层与第五铟镓氮子层中Mg的掺杂浓度依次上升，起到的降低电阻、降低工作电压并降低电流击穿概率的可能，提高发光二极管的可靠性。
提高可靠性发光二极管外延及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条