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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种超细氧化铟锡粉加工工艺-CN201710902751.6有效
发明人：张锦镜 -专利权人：广东天高科技有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本专利公开了一种超细氧化铟锡粉加工工艺，涉及氧化物制备领域；其采用的氧化装置、包括机架、氯气储罐、固定于机架上的反应筒和设于反应筒内并可沿反应筒走向滑动的挤压轴；挤压轴的中部固定有与反应筒配合分隔块，反应筒的上部设有两组可将第一反应腔和第二反应腔连通的导气管利用该结构氧化铟锡，排出铟粉和锡粉时，排出的氯气较少，减少了氯气的浪费。
反应筒导气管反应腔分隔块进气管连通氧化铟锡粉氯气氯气储罐单向阀挤压轴滑动超细两组排出氧化物制备端口封堵连接方向氧化装置氧化铟锡截止阀排料阀锡粉铟粉配合

[发明专利]氧化法从ITO废靶材中回收铟锡的方法-CN200910233346.5有效
发明人：陈世平;汪洋 -专利权人：南京中锗科技股份有限公司
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明利用锡在溶液中有二价和四价两种状态，且四价锡与三价铟离子在溶液中沉淀PH的差异较大，故控制一定PH值下，使用氧化剂将锡离子氧化为四价产生水解沉淀，而铟仍留于水溶液中，从而达到铟锡的彻底分离。此时铟溶液中含锡低至2ppm，可硫化后直接铝排置换得锡镉铊铅＜100PPM，铟＞99％；而氧化锡渣返回浸出，最终浸出渣经洗涤焙烧可得粗氧化锡出售，含铟品位低于0.2％。
氧化 ito 废靶材中回收方法

[发明专利]透明导电薄膜的制备方法及透明导电薄膜-CN201610984967.7有效
发明人：马志锋;江涛;巩燕龙;许结林;余俊佼 -专利权人：宜昌南玻显示器件有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种透明导电薄膜的制备方法及透明导电薄膜，该方法采用氧化铟的质量百分含量为87％～93％的氧化铟锡作为靶材，在氢气的体积百分含量为0.3％～1.5％的第一反应气体的氛围下，在衬底上磁控溅射沉积形成第一氧化铟锡薄膜然后以氧化铟的质量百分含量为93％～95％的氧化铟锡作为靶材，向腔体内通入氩气或氩氧混合气体组成的第二反应气体，在第一氧化铟锡薄膜上磁控溅射沉积形成第二氧化铟锡薄膜。进行电路蚀刻时，内层的微晶氧化铟锡层较易蚀刻，提升氧化铟锡的蚀刻速率，减少蚀刻不净不良。
蚀刻透明导电薄膜氧化铟锡薄膜氧化铟锡磁控溅射沉积反应气体氧化铟靶材制备氩氧混合气体氧化铟锡层氩气氢气衬底内层微晶电路体内

[实用新型]电阻式触摸屏用氧化铟锡膜的制备设备-CN201220351834.3有效
发明人：王学雷;夏国涛;柳锡运;李章国;王春平;王战娥 -专利权人：深圳南玻显示器件科技有限公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种电阻式触摸屏用氧化铟锡膜的制备设备，用于在柔性基片上形成结晶化的氧化铟锡膜，包括用于在柔性基片上形成氧化铟锡膜的镀膜装置和与镀膜装置相邻的表面改性装置。表面改性装置包括壳体和多个紫外线灯管。壳体具有一充有含氧气体的内腔，形成有所述氧化铟锡膜的柔性基片置于内腔内；用于照射柔性基片使氧化铟锡膜结晶化的多个紫外线灯管间隔设置于内腔内，且与柔性基片形成有氧化铟锡膜的一面相对设置。上述电阻式触摸屏用氧化铟锡膜的制备装置能够制备出具有较高划线寿命的电阻式触摸屏用氧化铟锡膜。
电阻触摸屏氧化铟锡膜制备设备

[发明专利]锌二次电池用导电膜及其制备方法、锌二次电池用复合隔膜、锌二次电池-CN202210754431.1在审
发明人：李亮生;王明煜;赵梁栋 -专利权人：河南超力新能源有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本申请的锌二次电池用导电膜，包括多孔高分子膜，多孔高分子膜的孔隙中填充有导电组合物，所述导电组合物包括如下重量份数的组分：1‑10份的导电剂、0.1‑1份的添加剂，所述导电剂为石墨、导电碳黑、乙炔黑、石墨烯、碳纳米管、铜粉中的至少一种；添加剂为锡粉、二氧化锡粉、铋粉、氧化铋粉、铟粉、氧化铟粉、铅粉、氧化铅粉、镉粉、氧化镉粉中的至少一种。
二次电池导电及其制备方法复合隔膜

[发明专利]具铟锡氧化物画素电极的有机发光显示组件的制作方法-CN03153749.9有效
发明人：陈瑞兴;郑逸圣;李信宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-08-19 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：一种有机发光显示组件的制作方法，首先制作一氧化铟锡层于一基板的上表面，并形成一光阻层于氧化铟锡层的上表面，以定义氧化铟锡层的图案。随后，透过此光阻层蚀刻氧化铟锡层，并通入一反应气体，增加侧向蚀刻光阻层的速率，以逐步露出光阻层下方的氧化铟锡层，使蚀刻后氧化铟锡层的图案边缘处，产生一平缓斜坡延伸至基板的上表面。随后，制作一有机发光层于基板上，覆盖氧化铟锡层，并制作一导电层于有机发光层上。
具铟锡氧化物电极有机发光显示组件制作方法

[发明专利]图形化衬底的制作方法-CN201110455873.8无效
发明人：于洪波;肖德元;程蒙召;张汝京 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化衬底的制作方法，所述方法包括：提供一衬底；在衬底上沉积铟锡氧化物薄膜；使用铟锡氧化物腐蚀液对铟锡氧化物薄膜进行湿法刻蚀，以在衬底表面形成不连续的铟锡氧化物薄膜；将上述不连续的铟锡氧化物薄膜作为掩膜，干法刻蚀衬底，形成表面凹凸的衬底表面；使用铟锡氧化物腐蚀液，去除衬底上残存的铟锡氧化物薄膜，形成图形化的衬底。
图形衬底制作方法

[发明专利]高显色性白光LED及其制作方法-CN201110308946.0有效
发明人：陈苏南;吉爱华 -专利权人：深圳市迈克光电子科技有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种高显色性白光LED及其制作方法，所述LED包括开有凹槽的高效散热铝基座，以及在高效散热铝基座凹槽中自底而上依次设置的第一金铟锡合金层、硅沉底层、LED高压芯片、金线和硅胶层，硅沉底层一面上设置有线路板，另一面上镀有第二金铟锡合金层，第一金铟锡合金层与第二金铟锡合金层固定连接，LED高压芯片通过金线与硅沉底层上设置的线路板电连接，硅胶层灌注在所述凹槽内并填满整个凹槽，LED高压芯片包括绿光高压芯片、蓝光高压芯片和红光高压芯片本发明能够在不使用荧光粉的情况下，获得稳定可靠的高显色性白光光源。
显色性白光 led 及其制作方法

[发明专利]氧化铟锡钽靶材的制备方法-CN202010997876.3有效
发明人：刘文杰;钟小华;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本公开提供了氧化铟锡钽靶材的制备方法，主要包含六步工艺流程，依次为：a.原料首次球磨；b.烘干破碎；c.粉体烧结；d.再次球磨；e压制成型；以及f.高温烧结。℃/min速率升温至1300℃‑1450℃分不同温度阶段保温烧结，之后继续以0.1‑0.5℃/min的速率升温到1500℃‑1600℃再次进行分不同温度阶段保温烧结，过程中通入氮气；最后，降温得到氧化铟锡钽靶材本公开制备的氧化铟锡钽靶材具有高纯、高透明、高导电性和高迁移率的特点，氧化铟锡钽靶材的相对密度在70％‑75％之间，是一种良好的新型镀膜材料，并且靶材在烧结过程中无膨胀，变形和开裂。
氧化铟锡钽靶材制备方法

[发明专利]非晶氧化铟锡薄膜的制备方法-CN201610242203.0在审
发明人：马志锋;刘玉华;张莉 -专利权人：宜昌南玻显示器件有限公司
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶氧化铟锡薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供衬底；以及将所述衬底置于磁控溅射设备腔体内，在真空条件下、以氢气的体积百分含量为1％～3％的氩氢混合气体为工艺气体，以氧化铟锡为靶材，控制所述衬底的温度为‑50℃～100℃，在所述衬底上磁控溅射沉积非晶氧化铟锡薄膜。这种非晶氧化铟锡薄膜的制备方法，采用常规结晶氧化铟锡膜所用的氧化铟锡靶材(氧化铟质量比为85％～93％)，在氧化铟锡镀膜过程中以氢气的体积百分含量为1％～3％的氩氢混合气体为工艺气体，氢气具有良好的分散性从而利于均匀分布，无须增加昂贵的检测设备监控水分压，制得的非晶氧化铟锡薄膜的优良稳定性。
氧化薄膜制备方法

[发明专利]氧化铟锡的回收方法-CN201110379709.3无效
发明人：周子琪;彭秀珠;邱国创 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明提供氧化铟锡的回收方法，包括：提供氧化铟锡；将氧化铟锡粉碎并加入有机酸水溶液以形成混合溶液，其中有机酸水溶液部分溶解氧化铟锡以产生铟离子与锡离子；对该混合溶液进行球磨；加入金属离子螯合剂于该混合溶液中；之后，干燥该混合溶液，得到包括金属络合物前体的混合物；对混合物进行脱脂；及对脱脂后的混合物进行锻烧，得到回收的氧化铟锡。
氧化回收方法

[发明专利]从ITO废料中回收有价金属的方法-CN200780039782.8有效
发明人：新藤裕一朗;竹本幸一 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2007-06-27 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： C25C1/24 文献下载
摘要：一种从ITO废料中回收有价金属的方法，其特征在于，通过将ITO废料进行电解来回收铟-锡合金。一种从ITO废料中回收有价金属的方法，其特征在于，设置ITO电解槽和铟-锡合金回收槽，在电解槽中将ITO溶解后，在铟-锡合金回收槽中回收铟-锡合金。本发明提供从铟-锡氧化物(ITO)溅射靶或制造时产生的ITO边角料等ITO废料中高效回收铟-锡合金的方法。
ito 废料回收金属方法

[发明专利]氧化铟－氧化锡粉体和利用该粉体的溅射靶-CN200480041061.7有效
发明人：高桥诚一郎;渡边弘 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2004-12-24 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明提供了能够以低成本生产的氧化铟－氧化锡粉体，且该粉体能够提供具有延长靶寿命的高密度溅射靶，并且提供了利用该粉体的溅射靶。包含In－Sn氧化物作为主要成分的氧化铟－氧化锡粉体，其特征在于该氧化物粉体不包含可通过X射线衍射检测出的复合氧化物(In₄Sn₃O₁₂
氧化锡粉体利用溅射

[发明专利]一种核/壳结构的铝铟锡合金粉体及其制备方法-CN200810071575.7有效
发明人：王翠萍;刘兴军;郁炎 -专利权人：厦门大学
申请日： 2008-08-13 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：一种核/壳结构的铝铟锡合金粉体及其制备方法，涉及一种核/壳结构的合金粉体，尤其是涉及一种核/壳结构的铝铟锡合金粉体及其制备方法。提供一种具有低熔点和高导热性的核/壳结构的铝铟锡合金粉体及其制备方法。其核为铝锡基合金核，壳为铟锡基合金壳。按质量百分数，核/壳结构的铝铟锡合金粉体的成分为：Sn：13％～23％，In：38％～43％，余为铝。按预先设定的铝铟锡合金粉体的成分，称量铝、铟、锡各金属熔化，得熔化的合金液体；将熔化的合金液体倾倒于受液斗，流入雾化室，用惰性气体吹之，即可得核/壳结构的铝铟锡合金粉体。
一种结构铝铟锡合金粉及其制备方法

[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示装置-CN200810103436.8有效
发明人：刘圣烈 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底基板已形成的钝化层上、在设定温度下沉积a型氧化铟锡，并结晶形成聚乙烯型氧化铟锡晶粒；采用构图工艺形成像素电极的透过区和反射区，并刻蚀掉反射区的a型氧化铟锡而露出聚乙烯型氧化铟锡晶粒；在反射区的聚乙烯型氧化铟锡晶粒上形成金属膜该阵列基板的钝化层上还设置有同层设置的透过膜和反射膜作为像素电极，透过膜的材质为含有聚乙烯型氧化铟锡晶粒的a型氧化铟锡；反射膜包括聚乙烯型氧化铟锡晶粒和覆盖在聚乙烯型氧化铟锡晶粒上的金属膜。
阵列及其制造方法液晶显示装置

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