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[发明专利]一种铟锡氧化物（ITO）纳米粉体及其制造方法-CN201210376860.6在审
发明人：祝渊;汤子康;陈克新;王岩;徐明强 -专利权人：中山大学
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米铟锡氧化物粉体，该纳米铟锡氧化物粉体包括铟化合物和锡化合物；其中，氧化铟：氧化锡的质量比为9：1；该纳米铟锡氧化物粉体为不规则椭球状。该纳米铟锡氧化物粉体为不规则椭球状。本发明铟锡氧化物（ITO）纳米粉体制造方法所得到的铟锡氧化物（ITO）纳米粉体，粒径较为均匀，基本在60nm左右，分散性良好。
一种氧化物 ito 纳米及其制造方法

[发明专利]竹节状纳米氧化铟锡粉体的制备方法-CN202111131018.1有效
发明人：岳都元;栾奕;贾志忠 -专利权人：烟台佳隆纳米产业有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明涉及纳米氧化铟锡粉体技术领域，尤其涉及一种竹节状纳米氧化铟锡粉体的制备方法，包括如下步骤：(1)采用碱性爆发成核控制剂一次性加入铟和锡化合物水溶液，使其爆发成核；(2)采用弱碱性沉淀剂滴定步骤(1)所述成核后的铟和锡化合物水溶液，使晶核成长，得到铟锡氧化物前驱体；(3)将所述铟锡氧化物前驱体洗涤，干燥；(4)干燥后的所述氧化铟锡前驱体在不同反应条件下分别得到竹节状黄绿色氧化铟锡粉体和竹节状蓝色氧化铟锡粉体本发明的有益效果是：竹节状纳米氧化铟锡粉体具有更加优良的导电性能，合成工艺简单，反应周期短，适合工业化生产。
竹节纳米氧化铟锡粉体制备方法

[发明专利]一种超高密度细晶ITO靶材的生产方法-CN201911314764.7有效
发明人：黄誓成;陆映东;张倍维;梁盈祥;覃当凤 -专利权人：广西晶联光电材料有限责任公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高密度细晶ITO靶材的生产方法，包括以下步骤：（1）首先制备氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体，即采用化学法所得铟锡氧化物前驱体或混合法所得氧化铟和氧化锡混合粉，在温度为800‑950℃，保温时间为4‑12小时的条件下进行煅烧，然后用10‑40℃的水淬冷，得到氧化物粉体；（2）将氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体按比例混合成混合粉体，混合球磨并造粒，成型后，在氧气氛中烧结，烧结温度1500‑1550℃该方法采用高温淬火的氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体进行球磨混合，成型后，在氧气氛中低温烧结，得到超高致密度、晶粒细小的ITO靶材，该生产方法简单、适合批量生产。
一种超高密度 ito 生产方法

[发明专利]一种高密度氧化铟锡管状靶材的脱脂烧结一体化制备方法-CN201810722391.6在审
发明人：孙本双;陈杰;曾学云;舒永春;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明提供一种高密度氧化铟锡管状靶材的脱脂烧结一体化制备方法，该方法包括，氧化铟粉体、氧化锡粉体研磨混匀，得到混合粉体；混合粉体与料浆液混合，得到料浆；料浆喷雾造粒，在管状靶材模具中冷等静压成型，得到氧化铟锡管状靶材素坯；氧化铟锡管状靶材素坯进行脱脂烧结一体化处理，得到氧化铟锡管状靶材。该方法的烧结温度降低，烧结时间大大缩短，氧化铟锡靶材的晶粒细小、均匀，致密度高，相对密度可达99.7％。
管状靶材氧化铟锡烧结脱脂一体化制备混合粉体料浆素坯冷等静压成型氧化铟锡靶材氧化锡粉体氧化铟粉体一体化处理喷雾造粒温度降低晶粒研磨料浆液混匀模具

[发明专利]一种氧化铟锡钽镱粉体及其制备方法与应用-CN202111548080.0在审
发明人：张来稳;邵学亮;李开杰;王奇峰;李晴晴 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟锡钽镱粉体及其制备方法与应用，属于氧化铟掺杂粉体制备技术领域；本发明的氧化铟锡钽镱粉体的结构式为In1‑x‑y‑zSnYbzO1.5+0.5x+y；其中，0.001≤x≤0.05，0.001≤y≤0.05，0.001≤z≤0.05；所述粉体的D50＝0.905‑1.08μm；本发明的技术方案提供的氧化铟锡钽镱粉体，选择锡、钽和镱三个元素作为掺杂元素掺入氧化铟粉体中，能够制备得到成分均一、粒径分布窄的氧化铟锡钽镱粉体；本发明提供的氧化铟锡钽镱粉体的制备工艺简单、制备效率高，因此能直接应用于工业生产，制备得到的产品可用于制备高密度、高均匀度、具备优异光电特性的氧化铟锡钽镱靶材。
一种氧化铟锡钽镱粉体及其制备方法应用

[发明专利]一种氧化铟锡粉及其制备方法-CN202110659682.7有效
发明人：张莉兰;钟小华;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟锡粉及其制备方法。本发明所述制备方法包括如下步骤：S1：将金属铟和金属锡加入水中，然后添加硫酸加热溶解得到混合液；S2：将混合液蒸发结晶得到混合固体；S3：将混合固体、沉淀剂、溶剂和表面活性剂混合，进行水热反应后，离心、洗涤、烘干后得到氧化铟锡前驱体；S4：将氧化铟锡前驱体煅烧得到所述氧化铟锡粉。本发明使用金属铟和金属锡与硫酸反应，再经过蒸发结晶得到含结晶水的硫酸铟和硫酸亚锡混合固体作为制备氧化铟锡粉的原材料，一方面，可以保证原材料的纯度，进而提高氧化铟锡粉的纯度和收率；另一方面，避免使用含氯离子原材料因氯离子的腐蚀性，影响氧化铟锡粉的品质。
一种氧化铟锡粉及其制备方法

[发明专利]一种氧化铟锡靶材的短流程烧结工艺-CN201810722380.8有效
发明人：孙本双;何季麟;舒永春;陈杰;曾学云;李庆奎 -专利权人：郑州大学
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化铟锡靶材的短流程烧结工艺，包括：将氧化铟粉体及氧化锡粉体混合，得到混合粉体；向混合粉体中加入水、成型剂、分散剂和消泡剂，混合得到料浆；将料浆采用粉浆浇注成型，得到氧化铟锡素坯；氧化铟锡素坯进行一体化脱脂烧结，得到氧化铟锡靶材。采用脱脂烧结一体化工艺，烧结温度降低、烧结时间大大缩短，仅需要5天即可完成从脱脂烧结及降温的整个烧结过程。实现快速活化烧结，抑制晶粒长大，保证制备的氧化铟锡靶材的晶粒细小、均匀，平均晶粒度为4～5μm；致密度高，相对密度可达99.7％以上，具有较高的强度性能，抗弯强度≥200MPa。
烧结氧化铟锡靶材脱脂混合粉体烧结工艺氧化铟锡短流程料浆素坯平均晶粒度氧化锡粉体氧化铟粉体一体化工艺粉浆浇注活化烧结晶粒长大强度性能烧结过程温度降低晶粒成型剂分散剂消泡剂抗弯制备成型一体化保证

[发明专利]一种纳米氧化铟锡粉的制备方法-CN201110037379.X有效
发明人：李小毛 -专利权人：李小毛
申请日： 2011-02-14 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C25B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米氧化铟锡粉的制备方法，在自制的特殊电解槽内，用金属铟锡合金作为阳极，导电材料作为阴极，电解液为对环境友好的酒精为溶剂，加上可溶于有机醇的铵盐为电解质，在电化学反应中，铵盐不参加化学反应，阳极铟锡电解与有机醇结合，生成纳米氧化铟锡的前驱体；将纳米氧化铟锡的前驱体，通过工业离心机装置将纳米氧化铟锡前驱体分离出来，用去离子蒸馏水和工业高纯酒精进行清洗，直至无杂质离子达到氧化铟锡靶材要求，在烘箱烘干，再进行烧结，就可以得到纳米氧化铟锡粉体；将干燥的纳米氧化铟锡粉在真空包装机内，按照一定的重量进行真空包装，从而完成纳米金属氧化铟锡粉的生产工艺。
一种纳米氧化铟锡粉制备方法

[发明专利]一种银氧化锡氧化铟触点材料的制备方法-CN201610219793.5有效
发明人：颜小芳;柏小平;周龙;李杰;张秀芳;杨昌麟;林万焕 -专利权人：福达合金材料股份有限公司
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01H11/04 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种银氧化锡氧化铟触点材料的制备方法，包括以下步骤：（1）配料；（2）将锡、铟、锗进行水雾化，制备锡铟合金粉；（3）将锡铟合金粉在一定氧压和温度下氧化成氧化锡氧化铟复合粉，对氧化后的粉体进行制粒处理；（4）已制备的复合粉与200‑300目的银粉进行机械混粉，混合均匀；（5）将混合好的银氧化锡氧化铟复合粉，经等静压、烧结、挤压，并拉拔至所需成品规格丝材。本方法制备的银氧化锡材料具有低体电阻、低硬度、加工性能好，良好的抗熔焊性能等优势。
一种氧化触点材料制备方法

[发明专利]氧化铟锡锌靶材及其制备方法-CN202310073135.X在审
发明人：李景辉;刘苗;孙本双;王成铎;陈杰;刘洋;曾学云;王之君 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明实施例公开了氧化铟锡锌靶材的制备方法，包括：纳米氧化铟粉体、纳米氧化锡粉体和纳米氧化锌粉体按照设定比例混合，得到混合粉体；得到的混合粉体与设定比例的消泡剂、分散剂、粘结剂混合，然后依次经过高速分散处理、超声处理和球磨混合，得到混合浆料；混合浆料经过喷雾造粒，得到氧化铟、氧化锡、氧化锌混合粉体；得到的混合粉体经过放电等离子烧结；烧结得到的产物经过退火，得到氧化铟锡锌靶材。得到的氧化铟锡锌靶材载流子迁移率高，能够作为性能优良的原料制备性能优良的氧化物半导体和薄膜晶体管，在半导体显示技术领域有良好应用前景。
氧化铟锡锌靶材及其制备方法

[发明专利]ITO靶材高纯纳米氧化铟锡粉体制造方法-CN202010969350.4在审
发明人：丁金铎;葛春桥;崔恒;柳春锡;金志洸;王梦涵 -专利权人：中山智隆新材料科技有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITO靶材高纯纳米氧化铟锡粉体制造方法，包括以下步骤：将草酸铟和草酸锡或乙酸铟和乙酸锡按比例溶解于去离子水中形成透明的水溶液，再加入尿素或碳酸铵或碳酸氢铵将上述两种溶液混合后转入反应釜中，然后将反应釜置入烘箱中进行水热反应制备纳米氧化锡铟粉体。采用上述技术方案制备的纳米氧化铟锡粉体中无机酸根离子浓度可以控制10ppm以下，而且纳米氧化铟锡粉体的尺寸可由铵盐水解反应产生OH～离子控制。
ito 高纯纳米氧化铟锡粉体制方法

[发明专利]氧化铟锡靶材的超低温制备方法-CN201811390845.0有效
发明人：孙本双;何季麟;舒永春;陈杰;曾学云 -专利权人：郑州大学
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开的氧化铟锡靶材的超低温制备方法，将氧化铟粉体、氧化锡粉体球磨混匀，得到混合粉体；混合粉体与料浆液混合，得到粉料；粉料在模具中成形得到氧化铟锡靶材素坯，在模具中同时加压、升温；空气气氛中，在升高的温度、升高的压力下保持设定时间，降温至室温，得到了烧结密度高、晶粒度均匀的氧化铟锡靶材，制备温度低至450℃，晶粒尺寸在1.0μm以下，相对密度可达99.2％，制备时间短，不采用高浓度氧气气氛，制备过程安全
氧化铟锡靶材超低温制备方法

[发明专利]荧光材料-CN201310017095.3有效
发明人：邱胜正;陈振彰;陈德铭;杨哲远;吕宗昕 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种荧光材料，其包含一荧光粉体以及一表面修饰材料。表面修饰材料形成于该荧光粉体的表面上，且表面修饰材料包含掺杂有铟（In）的氧化锡（SnO2:In），其中掺杂有铟（In）的氧化锡（SnO2:In）由一醋酸铟与一五水合四氯化锡所形成，且醋酸铟占五水合四氯化锡的重量百分比约略为
荧光材料

[发明专利]纳米级氧化铟锡复合粉体的制备方法-CN200510072252.6无效
发明人：刘家祥;李敏;王海宁;朱丽;杨儒 -专利权人：北京化工大学;威海市蓝狐特种材料有限公司
申请日： 2005-05-27 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明是一种以共沉淀法制备纳米级铟锡氧化物复合粉体的工艺，其特点是利用无机单强酸或混合强酸水溶液分别溶解金属铟、金属锡，或可溶性金属铟盐和金属锡盐溶解于水中，将配制的二溶液混合，在强烈搅拌混合溶液条件下加入沉淀剂产生铟锡共沉淀物，经水洗、有机溶剂洗和固液分离后，加入有机溶剂进行共沸蒸馏，滤饼经干燥、打散、煅烧制得超细ITO复合粉体。本发明所述工艺制备的氧化铟锡粉体经简单的工艺烧制的ITO靶材相对理论密度达到99％以上。
纳米氧化复合制备方法

[发明专利]一种Zn掺杂氧化铟锡粉体及其制备方法-CN202111203819.4在审
发明人：张亦文;张士雨;季惠明;宋晚晴 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明公开一种Zn掺杂氧化铟锡粉体及其制备方法，包括以下步骤：将铟化合物、锡化合物和锌化合物溶于去离子水中，滴加碱性溶液获得前驱体沉淀。将前驱体沉淀离心、洗涤、干燥后在转移至马弗炉中，在550～700℃下保温1～3h，获得浅黄色Zn掺杂ITO粉体。所述Zn掺杂ITO粉体中(氧化铟+氧化锌)：(氧化锡)的质量比例如9：1，为立方相氧化铟，粉体粒径为20～100nm。采用本发明方法制备的ITO粉体降低了In含量，提高了电学性能。
一种 zn 掺杂氧化铟锡粉体及其制备方法

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