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[发明专利]一种镀钯键合铜丝的制造方法-CN201310065255.1无效
发明人：吕燕翔;居勤坤;史仁龙;万传友;彭芳美;周国忠 -专利权人：溧阳市虹翔机械制造有限公司
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造镀钯键合铜丝的方法，以克服现有镀金键合铜丝生产成本高、电镀层硬度低不耐摩擦的缺陷，通过镀钯层替代镀金层，从而得到低成本的镀钯键合铜丝，并且通过多次精拔的方法，减少铜丝断线的出现。
一种镀钯键合铜丝制造方法

[实用新型]一种裸芯片测试防静电PCB板-CN201820923187.6有效
发明人：莫俊生;贾志龙 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种裸芯片测试防静电PCB板，涉及半导体领域，包括：裸芯片通过导电胶带粘结于PCB板上且置于裸铜区域内部，通过键合丝将裸芯片PAD与芯片PCB焊盘连接，键合丝设置于裸铜区域，键合丝的两端分别键合于裸芯片PAD和芯片PCB焊盘上，拨码开关设置于PCB板的裸铜区域区域两侧，拨码开关的一端整排共接PCB板的GND线，拨码开关的另一端与芯片PCB焊盘连接，PFC接口的一端连接到拨码开关与芯片PCB焊盘共信号线端，PFC接口的另一端外接到测试设备信号线，GND过孔连接PCB板正面和PCB板背面的GND线。
拨码开关裸芯片键合丝芯片裸铜裸芯片测试防静电静电荷信号线半导体领域测试设备导电胶带区域内部区域区域一端连接有效地共接键合粘结积聚安全

[发明专利]镀金铜钯合金单晶键合丝及其制造方法-CN201310081430.6无效
发明人：徐云管;彭庶瑶;梁建华 -专利权人：江西蓝微电子科技有限公司
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种镀金铜钯合金单晶键合丝及其制造方法，镀金铜钯合金单晶键合丝的基体材料由下列重量百分比的原材料组成：金（Au）：4%—8%、钯（Pa）：0.03%—0.08%、钙（Ca）：0.0001%—0.0003%、混合型稀土（Re）：0.0002%—0.0008%，其余为铜。其制造方法包括：提取纯度大于99.9995%的高纯铜，制备成铜合金铸锭，再制备成铜钯合金铸态单晶母线，经粗拔和热处理后，在其表面镀金，再经精拔、热处理、表面清洗、分卷定尺。本产品可以有效提升键合丝的抗氧化性能，使其抗氧化性与键合金丝相当，大大延长键合丝产品拆封后的保质期；内部加入钯、钙、稀土等元素使得该产品比其它方式生产的同类型产品机械强度更高，有利于进一步缩小键合丝的线径
镀金合金单晶键合丝及其制造方法

[发明专利]一种铜钯银合金高精超细键合引线制造方法-CN201510133949.3在审
发明人：陈晓东 -专利权人：鹰潭瑞兴铜业有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种铜钯银合金高精超细键合引线制造方法，该键合引线是由下列重量百分比的原料组成：银4%，钯0.03%，混合型稀土0.0002%，其余为铜，其制造方法包括：制备铜合金铸锭，连铸成铸态单晶母线，粗拔，热处理，表面镀银，精拔，热处理，表面清洗，本发明可以有效提升键合引线的抗氧化性能，有利于进一步缩小键合引线的线径，缩短焊接间距，更加适用于高密度，多引脚集成电路封装。
一种铜钯银合金高精超细键合引线制造方法

[发明专利]一种新型新能源动力电池键合片加工工艺-CN201910076681.2在审
发明人：黄并;邓可 -专利权人：东莞市奕东电子有限公司
申请日： 2019-01-26 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型新能源动力电池键合片加工工艺,其特征在于：该方法包括以下步骤：步骤1，键合片表层镀锌，形成镀锌层；步骤2，镀锌层表面预镀镍，形成镀镍层；步骤3，镀镍层表面镀锡，形成镀锡层；步骤4，FPC烘烤后，刷上印锡膏，PCB板贴上键合片，与FPC焊接。本发明不需要将镍片镀锡来替代铝片，可以达到铝丝同等材料键合生产，节约大量的人力和时间成本，提高键合能力。
键合片动力电池镀镍层镀锌层新能源表面镀锡材料键合键合能力时间成本镀锡层预镀镍烘烤镀锡镀锌铝片铝丝镍片贴上印锡焊接节约替代生产

[发明专利]一种镀镍钯金引线框架及其制备方法-CN202310232489.4在审
发明人：黎超丰;章新立;冯小龙;林渊杰 -专利权人：宁波康强电子股份有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种镀镍钯金引线框架及其制备方法，制备方法包括：对基板的上表面和下表面进行电镀，由内向外依次形成镀镍层、镀钯层和镀金层，得到电镀基板；在所述电镀基板的上表面和下表面分别贴附一层干膜，得到覆膜基板通过曝光和显影去除所述覆膜基板中上表面和下表面需要蚀刻区域的部分所述干膜，得到显影基板；对所述显影基板的上表面和下表面中去除所述干膜的位置进行蚀刻，得到蚀刻基板；去除所述蚀刻基板的上表面和下表面中剩余的所述干膜，得到镀镍钯金引线框架本发明能够提升了镀镍钯金引线框架的可靠性，且采用对基板上下表面电镀，整体形成镀层后再蚀刻的方式更容易控制，简化了工艺，提高了制备效率，保证了较高的合格率。
一种镀镍钯金引线框架及其制备方法

[实用新型]一种高韧性低电阻承荷探测电缆-CN201020292236.4有效
发明人：尚兴军;郝玉琢 -专利权人：山东宝世达电缆有限公司
申请日： 2010-08-16 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01B7/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高韧性低电阻承荷探测电缆的技术方案，该方案的电缆包括有三根绞合的带有绝缘层的铜绞线，所述的绞合的铜绞线的外侧设置有绝缘护套，绝缘护套的外侧设置有内铠装钢丝层，所述的内铠装钢丝层的外侧设置有外铠装钢丝层，所述的内铠装钢丝层的钢丝的表面镀有防腐层，所述的外铠装钢丝层的钢丝表面镀有防腐层，该方案的电缆电阻阻值较小，并且韧性好，耐腐蚀。
一种韧性电阻探测电缆

[发明专利]一种单芯片双向IGBT模块的封装结构-CN201610294630.3在审
发明人：曾重;敖杰;王俊;沈征 -专利权人：湖南大学;江西中能电气科技股份有限公司
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种单芯片双向IGBT模块的封装结构，其包括依次设置的底部金属板、底部DBC板、单芯片双向IGBT器件、顶部DBC板以及顶部金属板；底部DBC板包括第二门极覆铜区和第二发射极覆铜区；单芯片双向IGBT器件的第二门极和第二发射极分别与第二门极覆铜区和第二发射极覆铜区连接；顶部DBC板包括第一门极覆铜区和第一发射极覆铜区。将单芯片双向IGBT器件上、下表面的电极分别焊接在两块DBC板上，利用焊接互连代替了金属键合线互连，解决了金属键合线及其焊接界面热机械疲劳失效的问题，提高了模块的耐电流冲击能力和可靠性；同时，与金属键合线互连相比
一种芯片双向 igbt 模块封装结构

[实用新型]一种三极管-CN201820050819.2有效
发明人：钟煌煌;汤优培;王朝中 -专利权人：广州新星微电子有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种三极管，具体为一种三极管，所述三极管包括三极管芯片、引线框架，包括基板、引脚、中筋和底筋、键合铜丝和环氧模塑料，采用黄铜作为引线框架基板的材料，所述引线框架预镀有金属镍镀层，所述金属镍镀层上镀一层纯铜；纯铜外部镀锡层，黄铜裸露在切中筋和底筋处，通过本实用新型的技术手段，节省了企业成本，创造了经济效益。
三极管引线框架本实用新型金属镍镀层黄铜纯铜底筋基板环氧模塑料三极管芯片技术手段键合铜丝企业成本镀锡层引脚预镀裸露外部

[发明专利]铜铜键合材料的制备方法及其应用-CN202010639826.8在审
发明人：胡斌 -专利权人：苏州清飙科技有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C25D3/56 文献下载
摘要：本发明提供一种铜铜键合材料的制备方法及其应用，其中，铜铜键合材料的制备方法包括如下步骤：步骤S1，在至少一个待焊接物的待焊接面设置纳米多孔铜泡沫层；步骤S2，将所述待焊接物的待焊接面相对设置，并实施热压键合，使待焊接的两侧物体之间实现铜铜键合，得到所述铜铜键合材料。根据本发明的制备方法，得到高密度的全铜互连，该铜铜键合中不含任何有机物，不仅具有良好的电气和热力学性能，且即使在相对高温下使用，也不会产生由于有机物挥发导致产生孔洞的问题，由于键合界面两侧都是铜，不会出现因为铜锡扩散系数差异导致铜锡界面的柯肯达尔孔洞
铜铜键合材料制备方法及其应用

[发明专利]一种倒装柔性GaN基LED及其制备方法-CN202210087861.2在审
发明人：唐先胜;韩丽丽;王兆伟;宫卫华 -专利权人：山东省科学院激光研究所
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电器件制备技术领域，特别涉及一种倒装柔性GaN基LED及其制备方法，GaN基LED器件下方贴合有键合层，键合层的下方贴合柔性金属衬底。键合层为金、铟、银或锡的任意一种构成的金属层；柔性金属衬底为铜、钼铜或钨钼铜的任意一种金属，柔性金属衬底的制备方法包括电镀或合金化处理。不需要蒸镀厚的金层，降低了生产成本。应用范围广，可适用于所有的GaN基LED器件，尤其适用于提高紫外LED的出光效率。
一种倒装柔性 gan led 及其制备方法

[发明专利]一种钯金属基材、其制备方法及氢气传感器-CN202211107954.3在审
发明人：王博一;车浩;刘繄;宋涵 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种钯金属基材、其制备方法及氢气传感器，涉及传感器领域。钯金属基材包括MXene膜及设于MXene膜表面的钯金属膜或钯合金膜。钯金属基材的制备方法包括以下步骤：使用磁控溅射方法在MXene膜表面镀钯金属膜或钯合金膜。钯金属基材及其制备方法通过使用MXene膜承载并包裹钯金属膜或钯合金膜制备得到氢气传感器，能够利用MXene膜细小的孔径阻止动力学直径较大的氧气、水蒸气等干扰气体通过的同时不影响氢气的正常通过，保证了钯金属膜或钯合金膜工作环境稳定
一种金属基材制备方法氢气传感器

[发明专利]微米级键合丝线材连续涂镀用绿色纳米涂镀装置及其方法-CN202110269702.X有效
发明人：宋克兴;胡浩;程浩艳;曹军;吕长春;周延军;陈鼎彪;丁雨田;丁勇;李韶林;卢伟伟 -专利权人：河南科技大学;河南优克电子材料有限公司;常州恒丰特导股份有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：本发明提供一种微米级键合丝线材连续涂镀用绿色纳米涂镀装置及其方法。本发明中的涂镀装置保证涂镀工艺连续稳定，提高键合丝线材的服役寿命和服役性能；涂镀方法使镀层材料沉积附着在键合丝线材的表面形成均一的镀层，避免了电镀工艺对环境的污染、拉制过程中断线及镀层脱落等问题，避免先电镀后拉拔工艺所带来的镀层质量不稳定的问题
微米级键合丝线连续涂镀用绿色纳米装置及其方法

[发明专利]一种用于线路板的化学镀镍钯金工艺-CN201210458085.9无效
发明人：徐军磊 -专利权人：苏州正信电子科技有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C23C18/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于线路板的化学镀镍钯金工艺，旨在提供一种用于线路板化学镀，使用低价金属替代贵金属，在保证使用性能的基础上，降低制造成本的化学镀镍钯金工艺。
一种用于线路板化学镀镍钯金工

[实用新型]半导体分立器件键合机-CN202122601295.6有效
发明人：李健 -专利权人：江苏东海半导体股份有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型是半导体分立器件键合机，其结构包括输送半导体分立器件铜框架的铜框架料道，铜框架料道两端分别为进料端和出料端，铜框架料道中部侧上方相邻设有2套键合限位机构，对应每套键合限位机构上方分别设一套键合机构，对应每套键合限位机构的铜框架料道另一侧分别设一套带动半导体分立器件铜框架由进料端向出料端方向输送的铜框架输送机构。本实用新型的优点：结构设计合理，两侧键合机构和键合限位机构分别键合对应位置芯片单侧管脚，每次键合完成后两侧铜框架输送机构同时动作向前输送，可有效提高键合效率，提高一倍左右生产速度，有效满足生产需要。
半导体分立器件键合机