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[发明专利]一种用于制备高导电率薄膜的铜基合金及溅射靶材-CN201910240090.4在审
发明人：黄华凛 -专利权人：广东迪奥应用材料科技有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备高导电率薄膜的铜基合金及溅射靶材，其包括二元或三元金属；所述二元金属为铜钕或铜钯；所述三元金属为铜铝钕、铜钯钕、铜钯银、铜钯铋、铜银钕、铜钕铋或铜银铋。本发明提升了纯铜膜的热学性能、有效的抑制铜膜的粗糙，使得布线微型化发展更进一步。
高导电率溅射靶材三元金属铜基合金铜银制备薄膜微型化二元金属热学性能纯铜膜布线铜铝铜膜钯银粗糙

[发明专利]半导体装置及其制造方法以及粘接面强度的评估方法-CN201410039541.5在审
发明人：仲俣祐子;市村裕司;山口启 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-01-27 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置制造方法以及半导体装置，通过实现铜表面与环氧树脂之间的充分粘附性，在高温高湿环境下也能够确保高可靠性。本发明还提供在制造半导体装置时可以使用的粘接面强度评估方法。本发明提供半导体装置制造方法，该半导体装置包括：半导体芯片、安装有半导体芯片且具有布线图案的绝缘衬底以及与布线图案连接的引线框，半导体芯片、布线图案和引线框的一部分通过密封树脂被密封。作为密封树脂使用向环氧树脂添加作为硅烷偶联剂的环氧硅烷0.3～0.7质量%而成的环氧树脂组合物，作为引线框以及布线图案使用由铜或铜合金构成、在表面具有氧化膜的铜构件，该氧化膜具有呈现L^*
半导体装置及其制造方法以及粘接面强度评估

[发明专利]一种电能表抗干扰装置及其布线方法-CN202110481935.6在审
发明人：周尚礼;刘永光;张乐平;张本松;吴昊文;李川;吴莉莉;秦广素;薛振永;刘超夫 -专利权人：南方电网数字电网研究院有限公司;河南许继仪表有限公司;许继集团有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G01R11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种电能表抗干扰装置、用于该电能表抗干扰装置的布线方法、以及采用该布线方法的PCB板和包括该抗干扰装置的电能表。本发明所提供的电能表抗干扰装置，采用硬连接方式的锰铜分流器，并且利用工频磁场补偿针进行工频磁场补偿，通过补偿针产生一个与锰铜分流器感应电流方向相反、大小相等的感应电流，这样在锰铜分流器上产生的感应电流能够相互抵消，一致性好，不受电能表振动影响，可靠性高；用于该电能表抗干扰装置的布线方法中，通过将在布线过程中使得输入端各个点组成的封闭图形的面积与输出端的封闭图形面接相等，从而使得工频磁场可以相互抵消，能够取得较好的抗干扰补偿效果
一种电能表抗干扰装置及其布线方法

[发明专利]芯片封装结构的修复方法-CN202211080720.4有效
发明人：祝汉品;梁新夫;林煜斌;李雨;罗光耀 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供芯片封装结构的修复方法，所述方法包括：腐蚀去掉所述第一焊联体后，在所述芯片布线层上涂覆光刻胶形成第一固化介电层，使所述第一导电柱和第一金属阻挡层包封在所述第一固化介电层中；研磨所述第一固化介电层去除所述第一金属阻挡层得到第二固化介电层，形成芯片退镀封装体；在所述芯片退镀封装体与第一导电柱对应的第一金属阻挡层上制备第二外联导电部件，得到修复后的芯片封装结构；其解决了现有技术中芯片封装结构的修复方法存在腐蚀芯片布线层中铜层的问题，不存在化学药液渗透腐蚀芯片布线层中铜层的问题，保证了芯片布线层中铜层的结构完整性，从而提高了修复后的芯片封装结构的稳定性。
芯片封装结构修复方法

[发明专利]一种铜互连电镀液及铜互连电镀方法-CN202210447515.0在审
发明人：刘志权;李哲;彭振家;刘兴权;孙蓉 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜互连电镀液及铜互连电镀方法。所述铜互连电镀液包含铜离子、硫酸、氯离子、添加剂和溶剂；所述添加剂包括电镀助剂，所述电镀助剂包括具有式(I)所示结构的磺酸或其磺酸盐类。特别地，采用该铜互连电镀液不但可以满足一般布线电镀自下而上生长，更重要的是可实现低深宽比孔的超填充，孔口表面呈平坦或微凸形貌，从而解决包括集成电路制造、先进封装、线路板制造、微机电系统制造在内的微电子领域内，此类几何外形孔互连结构的超填充问题，及孔与布线互连结构共镀问题。
一种互连电镀方法

[发明专利]柔性印刷布线板用的铜箔、覆铜层叠板、柔性印刷布线板以及电子设备-CN201280042599.4有效
发明人：冠和树 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：提供一种折弯加工性优良的柔性印刷布线板用的铜箔以及使用了该铜箔的覆铜层叠板、柔性印刷布线板以及电子设备。该柔性印刷布线板用的铜箔具有处于晶体取向以001取向为中心的10º的范围内的面积A的比例为10%以上的截面。
柔性印刷布线铜箔层叠以及电子设备

[发明专利]制造薄膜晶体管阵列板的方法-CN201310571473.2在审
发明人：朴源模 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：并且该方法还包括：在牺牲层上形成铜覆层，该铜覆层填充开口；通过化学机械抛光将铜覆层抛光而形成栅极布线，直到牺牲层被暴露；以及除去牺牲层。此外，该方法还包括：通过将栅极布线用作掩模以将导电杂质掺杂在半导体上而形成源极区和漏极区；形成覆盖栅极布线的第一层间绝缘层；以及在第一层间绝缘层上形成源电极和漏电极，该源电极和漏电极分别连接至源极区和漏极区
制造薄膜晶体管阵列方法

[实用新型]前端保护封装光源模组-CN201420661159.3有效
发明人：邹义明 -专利权人：深圳市新月光电有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开一种前端保护封装光源模组，包括封装LED器件的荧光胶、围坝点胶层、发光芯片、覆铜布线层、前端保护组件以及铝基板热沉；所述的发光芯片固定在铝基板热沉的发光面区域上，所述的围坝点胶层固定在发光芯片四周，所述荧光胶涂覆在发光芯片的上表面，所述覆铜布线层上设有整流桥组件以及前端保护组件，覆铜布线层固定在铝基板热沉上。
前端保护封装光源模组

[发明专利]用于制备铜布线聚酰亚胺膜的方法和铜布线聚酰亚胺膜-CN200780018779.8有效
发明人：下川裕人;番场启太 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2007-03-23 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H05K3/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种高直线性和非常小-间距的酮布线聚酰亚胺膜。所述铜布线聚酰亚胺膜是由一种通过使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜(1)，由半添加法制备具有间距为20至45μm的铜布线部分的铜布线聚酰亚胺膜的方法所制备的。4b)，所述铜箔(4b)具有不大于1.0μm的膜-侧表面粗糙度Rz，并且具有在0.5至2μm的范围内的厚度，(b)形成镀敷抗蚀剂图案层(17)的步骤，其中可以在所述铜箔的表面上形成间距为20至45μm的布线图案
用于制备布线聚酰亚胺方法

[发明专利]粘接剂组合物、粘接剂组合物的相关制品及其制备方法-CN202011466755.2在审
发明人：山口贵史;盐谷淳;杉本启辅;中村太阳;田崎崇司 -专利权人：荒川化学工业株式会社
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C09J179/08 文献下载
摘要：[技术问题]提供粘接剂组合物、膜状粘接剂、粘接层、粘接片、附树脂铜箔、覆铜层压板、印刷布线板和多层布线板及其制备方法。[技术手段]提供粘接剂组合物、膜状粘接剂、粘接层、粘接片、附树脂铜箔、覆铜层压板、印刷布线板和多层布线板及其制备方法，该粘接剂组合物包含：含有酸二酐(a1)和二胺(a2)的单体组的反应产物(A)，该酸二酐
粘接剂组合相关制品及其制备方法

[实用新型]一种抗干扰高密度电路板-CN201620819311.5有效
发明人：刘治航 -专利权人：东莞联桥电子有限公司
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗干扰高密度电路板，包括N层的基板，所述N为大于2的整数，所述基板的两面均设有若干层布线层，且相邻布线层之间均设有绝缘层，所述每一基板的第一层布线层上表面设置有抗氧化层，所述每一基板的底层布线层的下表面设置有抗磁干扰层；所述N层的基板依次叠加设置，且相邻的基板之间设有通气层；所述基板上设有若干桥接铜杆，桥接铜杆依次穿过N层基板上的布线层、绝缘层、抗氧化层、抗磁干扰层与其一体连接。本实用新型的有益效果是通过第一层布线层的上表面设置抗氧化层，提高电路板的抗氧化性能，在每一基板的底层布线层的下表面设置抗磁干扰层，提高本电路板的抗磁干扰。
一种抗干扰高密度电路板

[发明专利]布线电路板及其制造方法-CN200510070108.9无效
发明人：恒川誠;中村圭;豊澤圭子;大和岳史;馬埸俊和 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2005-04-28 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：为了提供一种以精细的线条形成布线电路图形、而即使采用化学镀锡法在该布线电路图形上形成镀锡层也能够防止布线剥落的布线电路板以及布线电路板的制造方法，在绝缘层1上形成由铬的含有量为8～20重量百分比的镍－铬合金组成的金属薄膜2，在金属薄膜2上形成由铜组成的布线电路图形4。然后，采用化学镀锡法在布线电路图形4露出的表面上形成镀锡层5。
布线电路板及其制造方法

[发明专利]一种基于激光成型的扇出型封装结构及其制备方法-CN202110622165.2在审
发明人：杨冠南;崔成强;童金;张昱;徐广东 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于激光成型的扇出型封装结构及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1.将玻璃基板表面粗化，并在其上表面沉积或溅射一层Ti金属或者Ti合金，得到金属层玻璃基板；S2.将纳米铜、纳米银或纳米银包铜中的一种或多种涂覆在步骤S1得到金属层玻璃基板，进行激光照射，使金属层烧结形成再布线层；S3.去除未烧结的纳米铜、纳米银或纳米银包铜和未烧结的金属层；S4.进行激光照射使芯片与再布线层键合；最后后处理得到封装结构；所述步骤S2上述制备方法能够实现10微米厚度以上再布线层快速成型，得到的封装结构结合力好，不会脱落。
一种基于激光成型扇出型封装结构及其制备方法

[发明专利]形成布线结构的方法和半导体器件-CN200410012028.3有效
发明人：酒井久弥;清水纪嘉 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-09-28 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供形成布线结构的方法和半导体器件。通过优化作为分别适用于通孔和布线沟槽的阻挡金属膜的成膜模式，获得微型化布线结构，其中在此采用溅射工艺，其具体为用于在通孔上形成阻挡金属膜的多步骤溅射工艺，以及用于在布线沟槽上形成阻挡金属膜的单步骤、低功率溅射工艺，由此实现改进的电特性如通孔电阻以及布线电阻，以及改进的布线可靠性如铜填充特性和电迁移电阻。
形成布线结构方法半导体器件

[发明专利]挠性电路基板及电子设备-CN201510634089.1有效
发明人：松井弘贵;大野真;重松桜子 -专利权人：日铁化学材料株式会社
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：挠性电路基板包括：聚酰亚胺绝缘层；电路布线层设于聚酰亚胺绝缘层的至少其中一面；以及覆盖层层叠于电路布线层上；聚酰亚胺绝缘层的厚度为10μm～14μm或23μm～27μm；构成电路布线层的铜布线的厚度为10μm～14μm，且铜布线的容积比率为85％以上；当聚酰亚胺绝缘层的厚度为10μm～14μm时，将覆盖层设为内侧进行弯折时的等效抗弯刚度在0.03N·m²～0.04N·m²
挠性电路基电子设备