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[发明专利]具有铜布线的半导体器件的制造方法及半导体器件-CN200810202842.X有效
发明人：蔡明;赵简 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种具有铜布线的半导体器件的制造方法及半导体器件。所述具有铜布线的半导体器件的制造方法，包括：在形成铜布线之后，在铜布线表面形成工艺层，所述工艺层的压应力抑制所述铜布线向所述工艺层的弹性变化。所述具有铜布线的半导体器件的制造方法及半导体器件能够改善铜布线出现鼓包状缺陷的情况。
具有布线半导体器件制造方法

[发明专利]多层布线基板、多层布线基板的制造方法-CN201180022501.4无效
发明人：樋口贵之;平井昌吾;桧森刚司;石富裕之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：一种多层布线基板，其具备将第一铜布线和第二铜布线连接的通路孔导体，通路孔导体包含金属部分和树脂部分，金属部分具有：第一金属区域，其包含形成将第一铜布线和第二铜布线电连接的路径的铜粒子的结合体；第二金属区域，其以选自由锡、锡‐铜合金及锡‐铜金属间化合物组成的组中的至少1种的金属为主成分；第三金属区域，其以铋为主成分；形成结合体的铜粒子彼此间相互面接触，第一铜布线、第二铜布线与铜粒子相互面接触，第一铜布线及第二铜布线中的至少一个布线与铜粒子相互面接触的部分被第二金属区域的至少一部分覆盖
多层布线制造方法

[实用新型]多层布线板-CN200820182189.0无效
发明人：吉野丰一;森本信司;中岛晃治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-12-11 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有连接可靠性较高、铜布线层的细微化达到最佳且生产率优良的层间连接部的多层布线板。所述多层布线板(1)包括：绝缘层(2)；铜布线上层(3)和铜布线下层(4)，其层叠在绝缘层(2)的两面上；贯通孔(5)，其贯通绝缘层(2)和至少其中一方的铜布线层；以及焊锡导体(6)，其填充于贯通孔(5)中，对铜布线上层(3)和铜布线下层(4)之间进行连接而将其导通。在一部分焊锡导体(6)与铜布线上层(3)、铜布线下层(4)相接且露出到最外表面的焊锡露出表面与铜布线上层(3)、铜布线下层(4)表面上覆盖有由金属构成的镀膜(8)，通过所述金属镀膜将所述焊锡导体与所述布线层接合
多层布线

[发明专利]一种铜再布线层的制造方法、硅光器件及芯片-CN202011142132.X有效
发明人：杨妍 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开一种铜再布线层的制造方法、硅光器件及芯片，涉及硅光器件制造技术领域，用于解决硅光器件或芯片中的铝再布线层的电导率低、集肤效应大，高频特性不足的问题。铜再布线层的制造方法包括：提供一基底；在基底的表面形成再布线图形，再布线图形包括布线区和第一隔离区；在布线区形成铜再布线层；形成与铜再布线层接触的微凸块或凸块下金属。铜再布线层由上述铜再布线层的制造方法制造。本发明提供的铜再布线层的制造方法用于硅光器件和芯片制造。
一种布线制造方法器件芯片

[发明专利]具有银覆盖的电极的LCD器件-CN200680007900.2无效
发明人：韩熙;河龙浚 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2006-03-07 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明披露了一种由在铜布线或铜电极表面上涂敷的银薄层保护的铜布线或铜电极，以及一种制造该铜布线或铜电极的方法。本发明也披露了一种液晶显示器件以及一种制造该液晶显示器件的方法。在基板上形成铜布线或铜电极后，在该铜布线或铜电极的表面上涂敷银薄层，从而使银薄层保护铜。因此，所述铜对氧化反应或其它不需要的反应具有优异的耐性，从而提高了所述铜布线或铜电极的性能。
具有覆盖电极 lcd 器件

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN03125494.2有效
发明人：山崎舜平;纳光明 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-09-22 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的一个目的是消除由布线电阻引起的电压降的影响而使显示装置的图像质量均匀。另外，本发明还有一个目的是消除由用于将驱动电路部分电连接到输入/输出端子的布线引起的时延，以提高驱动电路部分的工作速度。在本发明中，用于实现低布线电阻并经过微加工的含铜布线用作半导体器件的布线，并为TFT提供防止铜扩散的阻挡层导电薄膜作为所述含铜布线的一部分，以形成含铜布线但却没有铜扩散到TFT的半导体层中。含铜布线是一种包括叠层薄膜的布线，所述叠层薄膜至少包括以铜为主要成分的、经过微加工的导电薄膜和阻挡层导电薄膜。
半导体器件制造方法

[发明专利]复合铜布线以及具有抗蚀层的层压体-CN202180010197.5在审
发明人：佐藤牧子;寺木慎 -专利权人：纳美仕有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种新型复合铜布线和用于制造复合铜布线的具有抗蚀层的层压体；本发明提供了一种复合铜布线，其中，所述复合铜布线具有第一面、第二面和第三面，在由铜构成的布线的第一面上具有含有第一铜氧化物的层，并且在该含有第一铜氧化物的层的表面上形成有含有铜以外的金属的第一镀层。
复合布线以及具有抗蚀层层压

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810008930.6有效
发明人：铃木贵志;北田秀树 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-01-25 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件中铜布线的抗电迁移性提高。铜布线形成为使得在它的中心部分铜颗粒较大，在它的上部和下部铜颗粒较小。通过镶嵌方法形成具有这种结构的铜布线。对于具有这种结构的铜布线，电流通过其中心部分比通过其上部更容易。因此，能够抑制上部的铜原子扩散，从而能够抑制铜原子从铜布线与覆盖膜之间的界面扩散。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN01145067.3无效
发明人：石丸一成 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-09-27 - 公布日： 2002-07-17 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种具有可通过能量束切断的熔丝的半导体器件,所述半导体器件具有在形成多个半导体元件的半导体衬底上配置的由铜布线构成的多个铜布线层;配置在多个所述铜布线层上方、至少包含连接于最上层的所述铜布线的高熔点金属膜的最上层布线;作为所述最上层布线的一部分形成的熔丝;配置在所述最上层布线上的表面保护膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]COF器件、显示面板及显示装置-CN202310181493.2在审
发明人：李国腾;董水浪;卢鑫泓;李柳青;周靖上;杨少鹏;崔钊;李宝曼 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种COF器件、显示面板及显示装置，包括保护层和布线层，保护层包裹布线层设置，保护层为光敏聚酰亚胺光刻胶层，布线层包括金属层和至少一层铜布线层，金属层覆盖每层铜布线层设置。根据本申请实施例提供的技术方案，通过在金属铜布线上覆盖金属层，该金属层一般为具有延展性的金属，通过金属层对铜布线层进行保护，防止铜布线氧化同时增加COF器件的耐弯折性能；并且通过保护层对铜布线层进行封装和保护，采用光敏聚酰亚胺光刻胶作为保护层材料，该保护层形成为柔性的层结构，增加COF器件的耐弯折性能，并且COF器件不容易弯折断裂能够进一步的改善铜布线层之间的信号串扰现象，提升器件性能的稳定性。
cof 器件显示面板显示装置

[发明专利]铜布线表面保护液及半导体电路元件的制造方法-CN200980135121.4有效
发明人：山田健二;岛田宪司;松永裕嗣 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2009-09-02 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种铜布线材料表面保护液，其在制造包含铜布线的半导体电路元件时使用，含有水系溶剂和至少包含3-苯基-2-丙炔-1-醇的炔醇类。此外，提供一种半导体电路元件的制造方法，在形成有包含铜布线的半导体基板的半导体电路元件的制造中，用上述铜布线材料表面保护液对露出铜布线材料表面的半导体基板进行液体接触处理，所述包含铜布线的半导体基板是如下形成的：在硅基板上形成绝缘膜和/或防扩散膜后，通过溅射法形成铜膜，再通过镀覆法在其上形成铜膜或含有80质量％以上铜的铜合金膜，然后通过化学机械研磨(CMP)进行平坦化。
布线表面保护半导体电路元件制造方法

[发明专利]互连结构制造方法-CN201110342188.4有效
发明人：王冬江;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种互连结构制造方法，先在层间介质层中刻蚀金属布线沟槽，然后对金属布线沟槽铜电镀完成后去掉层间介质层再沉积所述低K介质层，避免了现有技术的金属布线工艺中金属布线沟槽刻蚀时造成的两侧低k介质损伤，以及对金属布线沟槽铜电镀时，使用Ta/TaN等内阻挡层和籽晶层而造成的金属布线沟槽的底部低k介质层损伤，而且所述金属阻挡层在对金属布线沟槽铜电镀时起到了电极作用，使得铜沿通孔底部竖直向上生长，可以避免铜填充空隙，获得较好的铜填充性能，提高金属布线质量以及器件的可靠性和电学性能。
互连结构制造方法

[发明专利]一种重布线层构造方法及结构-CN202211036738.4在审
发明人：郑毛荣 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装技术领域，提出一种重布线层构造方法及结构，该方法包括下列步骤：在衬底上布置第一钛/铜种子层；在所述第一钛/铜种子层上布置第一重布线图形；去除位于所述衬底的非图形区域上的所述第一钛/铜种子层；在布置有所述第一重布线图形的所述衬底上布置第二钛/铜种子层；在所述第二钛/铜种子层上布置第二重布线图形；去除位于非图形区域以及所述第一重布线图形上方的所述第二钛/铜种子层的铜层；以及去除位于非图形区域以及所述第一重布线图形上方的所述第二钛/铜种子层的钛层。
一种布线构造方法结构

[发明专利]铜布线表面保护液及半导体电路的制造方法-CN200980137077.0有效
发明人：山田健二;岛田宪司;松永裕嗣 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2009-09-02 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件制造用的铜布线材料表面保护液，其含有对炔二醇加成碳原子数2或3的氧化烯而成的炔二醇的氧化烯加成物。此外，提供一种半导体电路元件的制造方法，在形成包含铜布线的半导体基板的半导体电路元件制造中，使用上述铜布线材料表面保护液对露出了铜布线材料表面的半导体基板进行液体接触处理，所述包含铜布线的半导体基板如下形成：在硅基板上形成绝缘膜和/或防扩散膜后，通过溅射法而形成铜膜，并在其上通过镀覆法配置含有80质量％以上铜的铜布线，然后通过CMP(化学机械研磨)进行平坦化。
布线表面保护半导体电路制造方法

[发明专利]基于S型铜布线的芯片级三维柔性封装结构-CN201110458669.1无效
发明人：潘开林;李鹏;黄鹏;任国涛 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于S型铜布线的芯片级三维柔性封装结构，包括设有钝化层的硅芯片、铜接线柱、再分布铜布线、凸点下金属层和焊料凸点，硅芯片焊盘区域与铜接线柱连接，凸点下金属层设置在再分布铜布线上并通过再分布铜布线与铜接线柱相连接，焊料凸点设置在凸点下金属层上，其特征是：钝化层上设有柔性层，再分布铜布线设置在柔性层的表面上，再分布铜布线与凸点下金属层连接的一端设置为具有微弹簧效果的S形状，凸点下金属层旁边的柔性层上设有通孔，焊料凸点正下方的钝化层中设有空气隙本发明采用空气隙和S形再分布铜布线使得封装结构具有三维柔性，实现芯片和基板间的三维柔性连接，解决热循环中热不匹配引起的热应力导致的可靠性问题。
基于布线芯片级三维柔性封装结构

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