专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果3712920个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种反材料快速反向相变时间的测试方法-CN202110299410.0有效
  • 徐然;徐卓;冯玉军;魏晓勇 - 西安交通大学
  • 2021-03-22 - 2022-02-11 - G01R29/12
  • 本发明公开了一种反材料快速反向相变时间的测试方法,首先测试反材料在设定电场下的极化强度;然后将反材料充电至一定电场;将充电后的反陶瓷放电,测量得放电过程中的瞬态电流、电压曲线,分别对瞬态电流和电压波形进行数值处理,获得反材料放电过程中的极化强度曲线以及电场曲线,利用极化强度曲线和电场曲线,获得放电过程中的极化强度‑电场曲线,对极化强度‑电场曲线进行处理,获得微分介电常数‑电场曲线,根据微分介电常数‑电场曲线本发明可测试反材料在低于毫秒量级时间尺度的反向相变时间。
  • 一种反铁电材料快速反向相变时间测试方法
  • [发明专利]敏感元件、制备方法、探测组件及探测设备-CN202111369585.0在审
  • 张凯;阳柳;董卓 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2021-11-16 - 2022-05-17 - G01V8/10
  • 本发明公开了敏感元件、制备方法、探测组件、探测设备,其中敏感元件包括顺次设置的:衬底,缓冲层,用于改善衬底与薄膜之间的晶格匹配性能;薄膜,薄膜为锆钛酸铅层;标记电极,设置于薄膜表面;蝶形天线,蝶形天线形成于所述薄膜上,蝶形天线包括组件一和组件二,组件一和组件二之间形成有沟道,组件一和组件二分别连接到两个标记电极,沟道中形成有沟道材料层,沟道材料层为二维材料形成的,沟道材料连接所述组件一和组件二本发明方案突破性地利用了薄膜和沟道材料层之间的异质结构,从而实现高灵敏度、低功耗的宽谱室温太赫兹探测器。
  • 敏感元件制备方法探测组件设备
  • [发明专利]一种移相器用低压高介可调材料及其制备方法-CN202310660254.5在审
  • 闫非;廖佳佳;周益春;廖敏 - 西安电子科技大学
  • 2023-06-05 - 2023-10-17 - H10N30/853
  • 本发明涉及一种移相器用低压高介可调材料及其制备方法,制备方法包括:步骤1、清洗单晶Si衬底,得到清洗完成的单晶Si衬底;步骤2、在所述清洗完成的单晶Si衬底上制备底电极金属层;步骤3、在所述底电极金属层的上表面制备层,所述层从下至上包括依次层叠的第一HfO2层、ZrO2层和第二HfO2层;步骤4、在所述层上制备顶电极金属层,以得到HfO2薄膜;步骤5、对所述HfO2薄膜进行退火处理,得到低压高介可调材料本发明所制备的移相器用低压高介可调材料可以实现多种组成材料优异性能的互补,并且制备温度低至400℃,能够与Si基CMOS工艺表现出良好的兼容性,可实现大面阵、高密度集成。
  • 一种移相器低压高介电可调材料及其制备方法
  • [发明专利]一种多晶薄膜基电阻变存储器-CN201410249458.0有效
  • 王金斌;宋宏甲;钟高阔;李波;钟向丽;周益春 - 湘潭大学
  • 2014-06-06 - 2017-10-03 - H01L45/00
  • 本发明涉及一种多晶薄膜基电阻变存储器,在下电极层、多晶薄膜层之间和/或多晶薄膜层、上电极层之间含缺陷调控层;所述缺陷调控层材料的相对介电常数不低于5,且不高于材料相对介电常数,厚度为1~20nm,且缺陷调控层与多晶薄膜层厚度比为0.001~0.2;所述缺陷调控层材料的能带带隙大于3eV,与多晶薄膜的晶格失配小于0.1。通过在下电极层、多晶薄膜层之间和/或多晶薄膜层、上电极层之间植入缺陷调控层,降低了存储单元中的缺陷及其控制难度,进而降低了缺陷对阻变行为的不利影响,从而显著提高了存储器的数据保持力、抗疲劳特性、
  • 一种多晶薄膜电阻存储器
  • [发明专利]无水酒石酸锌功能材料及其制备方法-CN200910100797.1无效
  • 郑岳青;刘文;林建利;许伟 - 宁波大学
  • 2009-07-23 - 2010-02-24 - C07C59/255
  • 本发明公开了一种无水酒石酸锌功能材料,该无水酒石酸锌功能材料分子式为[Zn(C4H4O6)],该功能材料为能通过100目筛的纯度不低于99%的白色粉体,该白色粉体的热温定性温度为350℃,该功能材料的铁电性能参数分别为:Ps=0.43μC·cm-2,2Pr=0.73μC·cm-2,2Ec=0.47kv·cm-1;所以是一种特性能更佳,热稳定性更好的无水酒石酸锌功能材料;本发明还公开了该功能材料的制备方法,该方法通过控制物料的浓度和配比、反应物的加入速度、搅拌时间、反应体系温度,以及溶液的pH控制等条件,实现无水酒石酸锌前期产物的成核与生长过程,再进一步进行脱水处理,得到了上述纯度较高、性能好的无水酒石酸锌粉体。
  • 无水酒石酸锌铁电功能材料及其制备方法
  • [发明专利]半导体器件及制造方法-CN202011363677.3在审
  • 朱小娜 - 复旦大学
  • 2020-11-27 - 2021-03-12 - H01L29/78
  • 本发明提供了一种半导体器件,包括层衬底、栅极、源极、漏极、浅沟槽隔离结构和侧墙,所述层衬底自下而上包括第一硅层、第一氧化层、层、第二氧化层和第二硅层,所述栅极自下而上包括层间介质层、介层、所述半导体器件中,所述层的材料为铁电性材料,所述介层的材料包括二氧化铪基高介电常数材料或二氧化铪基材料中的一种,能够在写入时在表面栅和底电极施加相反或相同的电压信号,使所述层和所述介层朝相同方向极化或相反方向极化,抑或通过所述层和所述介层写入方向调控半导体器件的存储状态,从而实现多态存储。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]一种基于弛豫相变的电场调控热膨胀行为的方法-CN201210538679.0无效
  • 孙军;丁向东;周玉美;薛德祯;任晓兵 - 西安交通大学
  • 2012-12-13 - 2013-04-03 - C04B35/491
  • 本发明公开了一种基于弛豫相变的电场调控热膨胀行为的方法,该方法首先选择一种在降温过程中发生能够引起体积膨胀的相变的基体材料,掺入缺陷。当掺杂浓度超过临界值时,材料发生弛豫相变。一部分高温顺相转变成纳米尺寸铁畴,产生体积膨胀;剩余的部分不发生结构变化,在降温过程中体积收缩。对此弛豫材料加电场,纳米尺寸铁畴数量和大小随着外加电场的增加而增大,纳米尺寸铁畴引起的体积膨胀效应也增加。相反,不发生结构变化的基体的体积收缩效应逐渐减小。因此,通过改变外加电场来调节纳米畴在材料中的体积分数,以调节上述体积膨胀和体积收缩这两种相反效应的比例,从而实现对材料整体热膨胀行为的调控。
  • 一种基于弛豫铁电相变电场调控热膨胀行为方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top