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[发明专利]一种铁电器件及制备方法-CN202110862824.X在审
发明人：罗庆;姜鹏飞;王渊;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本申请公开一种铁电器件及制备方法，涉及微电子技术领域，能够提高铁电器件的剩余极化强度稳定性，进而提高铁电器件的寿命。铁电器件，包括：下电极；上电极；铁电材料层；非铁电材料层，所述非铁电材料层与所述铁电材料层连接，所述非铁电材料层用于在被施加电场时发生晶相相变而具有铁电性；所述铁电材料层和所述非铁电材料层均设置于所述下电极和所述上电极之间，所述上电极和所述下电极用于对所述铁电材料层和所述非铁电材料层施加电场。
一种器件制备方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202210466103.1在审
发明人：乔治奥斯韦理安尼堤斯;马可范达尔;荷尔本朵尔伯斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本揭露涉及一种包括铁电层的集成芯片。铁电层包括铁电材料。第一松弛层包括与铁电材料不同的第一材料，且位于铁电层的第一侧上。第二松弛层包括与铁电材料不同的第二材料，且位于铁电层的第二侧上，第二侧与第一侧相对。第一松弛层的杨氏模量小于铁电层的杨氏模量。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]一种稀土掺杂铪基铁电材料、制备方法及半导体器件-CN201910675057.4在审
发明人：张青竹;张兆浩;魏千惠;屠海令;殷华湘;魏峰;赵鸿滨;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种稀土掺杂铪基铁电材料，包括铪基铁电材料，铪基铁电材料中掺杂有稀土元素，掺杂的稀土元素与铪基铁电材料中铪元素原子比例介于(0.1~0.9):1。本发明还提供一种稀土掺杂铪基铁电材料的制备方法，包括：将含有稀土元素的物质掺杂至铪基铁电材料中，形成稀土掺杂的铪基铁电材料；在惰性气体中对稀土掺杂的铪基铁电材料进行退火，得到经退火处理后的稀土掺杂的铪基铁电材料本发明制备的稀土掺杂的铪基铁电材料，使得材料的非对称性增加，可以使负电容材料更薄，具有很强的负电容特性；同时，利用稀土掺杂的铪基铁电材料制备的半导体器件，具有很高的电畴和反转速度，抗疲劳和可靠性更高。
铁电材料铪基稀土掺杂稀土元素制备半导体器件退火电容材料电容特性惰性气体非对称性退火处理物质掺杂掺杂的抗疲劳铪元素电畴反转掺杂

[发明专利]一种铁电抗菌材料及其制备方法和应用-CN202011551058.7在审
发明人：杜学敏;王芳;刘美金;刘聪 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： A61L2/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电抗菌材料及其制备方法和应用，所述铁电抗菌材料包括铁电材料或铁电基复合材料的基层，所述基层为经过极化处理的基层；所述铁电基复合材料为包括所述铁电材料作为基体的复合材料。所述铁电抗菌材料在抑制细菌黏附、灭菌中的应用。本发明利用铁电材料经极化后偶极子有序排列，在材料表面产生电荷减少细菌在材料表面的黏附，或铁电材料在外界刺激下产生瞬态电荷，进一步产生活性氧杀灭细菌。
一种抗菌材料及其制备方法应用

[发明专利]一种提高铁电材料表观挠曲电效应的方法-CN201710817074.8有效
发明人：初宝进;章小同 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高铁电材料表观挠曲电效应的方法，包括：将铁电材料进行热处理，所述热处理的温度高于铁电材料的居里温度或介电峰值温度，将热处理后的铁电材料进行缓冷。本申请在高于铁电材料居里温度或者介电峰值温度以上进行热处理并且以缓冷的方式冷却至室温，可以大幅度提高铁电材料的表观挠曲电效应。
一种提高材料表观挠曲效应方法

[发明专利]铁电器件及其制造方法-CN201811365456.2有效
发明人：刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B51/00 文献下载
摘要：本发明提供一种铁电器件及其制造方法。在制造铁电器件的方法中，提供衬底。在衬底之上形成铁电材料膜。在铁电材料膜之上形成结晶化晶种膜。利用结晶化晶种膜对铁电材料膜热处理，以将铁电材料膜转变为结晶铁电膜。去除结晶化晶种膜以暴露结晶铁电膜。在铁电膜之上形成电极膜。
器件及其制造方法

[发明专利]铁电装置及形成铁电装置的方法-CN201780032702.X有效
发明人： A·A·恰范;R·甘地;B·R·库克;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一些实施例包含一种铁电装置，所述铁电装置包括邻近电极的铁电材料。所述装置包含沿着所述铁电材料最接近所述电极的表面的含半导体材料的区域。与所述铁电材料的其余部分相比，所述含半导体材料的区域具有较高半导体材料浓度。举例来说，所述装置可为晶体管或电容器。所述装置可并入到存储器阵列中。一些实施例包含一种形成铁电电容器的方法。在第一电极上方形成含氧化物的铁电材料。在所述含氧化物的铁电材料上方形成第二电极。邻近所述第二电极形成所述含氧化物的铁电材料的富含半导体材料的部分。
装置形成方法

[发明专利]使用脉冲电磁辐射来处理薄膜有机铁电材料-CN201580031038.8有效
发明人：马哈茂德·N·阿尔玛德豪恩;伊哈卜·N·奥登;穆赫德·阿德南·坎 -专利权人：沙特基础全球技术有限公司
申请日： 2015-05-19 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：公开了一种用于产生聚合铁电材料的方法。所述方法可以包括(a)获得聚合铁电前体材料，以及(b)使聚合铁电前体材料经受足以形成具有铁电滞后性质的聚合铁电材料的脉冲电磁辐射，其中，所述聚合铁电前体材料在步骤(b)之前先前并未经受热处理超过55分钟
使用脉冲电磁辐射处理薄膜有机材料

[发明专利]一种基于施加脉冲磁场的铁电材料减薄加工方法-CN201611096365.4在审
发明人：杭伟;周立波;袁巨龙;赵军;吕冰海;邓乾发 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：一种基于施加脉冲磁场的铁电材料减薄加工方法，铁电材料表面减薄加工时施加脉冲磁场，所述方法包括以下步骤(1)表面加工铁电材料，砂轮以ns的转速，f的进给速度对铁电材料进行加工，铁电材料的转速是nw；(2)本发明提供一种提高加工效率的基于施加脉冲磁场的铁电材料减薄加工方法。
一种基于施加脉冲磁场材料加工方法

[发明专利]一种铁电发光材料、其制备方法及应用-CN201811545644.3有效
发明人：龙西法;苏彬;何超;许兰;王祖建;杨晓明 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种铁电发光材料，所述铁电发光材料为掺杂稀土元素的钙钛矿结构铁电氧化物材料。该材料结合了铁电材料优良的铁电、压电性能和电场可调谐的发光性能，使得材料发光性能具有电场可调的光电多功能材料。
一种发光材料制备方法应用

[发明专利]使用两步温度处理来制造薄膜铁电装置的方法-CN201580044753.5有效
发明人：朴志勋;胡萨姆·N·阿尔沙里弗;伊哈卜·N·奥德赫;莫哈末·A·卡恩 -专利权人：沙特基础全球技术有限公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：描述了用于制造铁电装置的方法。一种方法包括将有机聚合物铁电层定位在两种导电材料之间以形成堆叠。该堆叠可以经受两步热处理过程。第一热处理步骤将有机聚合物铁电前体转变为具有铁电电滞特性的铁电材料，并且第二热处理步骤使铁电材料致密化以获得铁电装置。薄膜铁电装置可以包括薄膜铁电电容器、薄膜铁电晶体管或薄膜铁电二极管。
使用温度处理制造薄膜装置方法

[发明专利]以铁电转换将热转换为电能的设备及方法-CN201080020767.0有效
发明人：阿尔贝拉·艾哈迈德;大卫·F·艾伯特 -专利权人：地热能源公司
申请日： 2010-05-05 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G01N25/02 文献下载
摘要：本发明运用相改变期间发生在铁电材料内的自发极化的迅速改变。在一个态样内，本发明是关于一种将热转换成电能的设备，其包含一对电极；一铁电层由一铁电材料形成在其间，该材料具有一居里温度(Curie temperature)Tc，当该铁电材料的温度低于该居里温度Tc时，该铁电材料会处于一铁电相内，在该铁电相中该铁电材料的单位晶胞内会建立起自发极化，而该铁电材料的温度高于该居里温度Tc时，不建立起自发极化；以及一装置，用于交替地传递一冷流体和一热流体流至该铁电层，以交替地以低于Tc的一第一温度TL冷却该铁电层，并且以高于Tc的一第二温度TH加热该铁电层。
转换电能设备方法

[发明专利]一种反铁电单晶材料、其制备方法及其应用-CN201910183580.5有效
发明人：杨晓明;何超;苏榕冰;龙西法 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种反铁电单晶材料，所述反铁电单晶材料为钨镁酸铅‑铌镥酸铅二元反铁电单晶材料。该反铁电单晶材料为反铁电领域提供一种可开关、可调变的新型单晶材料，有望在能量储能、脉冲电源、精密致动等领域中有所应用。
一种反铁电单晶材料制备方法及其应用

[发明专利]铁电电容器、铁电场效应晶体管及在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法-CN202110941803.7在审
发明人： A·A·恰范;D·V·N·拉马斯瓦米;M·纳哈尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本申请涉及铁电电容器、铁电场效应晶体管及在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法。一种在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法包含在衬底上方形成非铁电含金属氧化物的绝缘体材料。在所述衬底上方形成包含至少两种不同组合物非铁电金属氧化物的复合堆叠。所述复合堆叠具有至少1×102西门子/厘米的总体导电率。使用所述复合堆叠来使所述非铁电含金属氧化物的绝缘体材料变为铁电的。在所述复合堆叠及所述绝缘体材料上方形成导电材料。本发明还揭示独立于制造方法的铁电电容器及铁电场效应晶体管。
电容器电场效应晶体管形成包含导电材料电子组件使用方法

[发明专利]一种基于极性拓扑畴结构的复合薄膜和铁电存储器及其制备方法-CN202210040890.3在审
发明人：聂越峰;韩露 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于极性拓扑畴结构的复合薄膜和铁电存储器及其制备方法，属于铁电材料技术领域。它包括介电层和铁电层，介电层包括介电材料，铁电层包括铁电材料，所述铁电层平行设置于介电层表面；在所述介电层和铁电层中，其中一层是在另外一层表面生长形成；所述介电层的厚度为其中介电材料单个晶胞层厚度的X倍，铁电层的厚度为其中铁电材料单个晶胞层厚度的Y倍，0.5＜Y/X＜10，复合薄膜的厚度不超过30nm。本发明能实现超薄复合薄膜中单层极性类斯格明子拓扑纳米畴的制备，并可制备出高密度、高响应速度和低能耗调控的铁电存储器。
一种基于极性拓扑结构复合薄膜存储器及其制备方法

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