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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

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华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种钨硅靶坯的制备方法-CN202011098020.9有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;李岢 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种钨硅靶坯的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将硅化钨粉和硅粉进行混合，得到混粉；(2)将步骤(2)得到混粉进行热压烧结，得到所述钨硅靶坯；所述热压烧结包括依次进行的第一升温、第二升温和加压处理本发明提供的方法，通过对制备原料的重新设计，同时采用特定热压烧结过程进行制备钨硅靶坯，制备得到了致密度≥99％的钨硅靶坯，靶坯无缺陷且微观结构均匀，利用其生产的钨硅靶材有优异的溅射使用性能。
一种钨硅靶坯制备方法

[发明专利]一种大尺寸细晶钨硅合金靶材制备方法-CN202310303875.8在审
发明人：户赫龙;李利利;许兴;丁照崇;陈明;贾倩;李勇军;熊晓东 -专利权人：有研亿金新材料（山东）有限公司;有研亿金新材料有限公司;有研新材料股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种大尺寸细晶钨硅靶材的制备方法，包括如下步骤：1、将高纯钨粉和硅粉进行混合，得到混合粉体；2.将混合粉体置于热压炉中多工艺段热压烧结，得到钨硅预制靶坯；3.采用热等静压设备将钨硅预制靶坯热等静压处理，得到大尺寸细晶钨硅靶材。该制备方法采用多工艺段热压和热等静压联合工艺，制备得到直径≥460mm、致密度≥99％、无缺陷、晶粒细小且均匀的大尺寸细晶钨硅靶坯。
一种尺寸细晶钨硅合金制备方法

[发明专利]一种钨硅靶坯的制备方法-CN202111133848.8在审
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;李岢 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钨硅靶坯的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将钨粉和硅粉的混粉进行高能球磨，得到初合金粉；(2)将步骤(1)得到的初合金粉置于模具中并进行抽真空处理，之后依次进行第一热处理、保温保压和冷却，得到所属钨硅靶坯。本发明提供的技术方案通过将高能球磨和特定的烧结过程相结合，实现了高性能钨硅合金靶坯的制备，解决了钨硅合金靶坯在作为靶材使用时溅射膜表面会产生微粒的问题。
一种钨硅靶坯制备方法

[发明专利]一种钨硅合金靶材的制备方法-CN201210495701.8无效
发明人：白锋;于洋;赖亚洲;彭福生;庄志刚;宋久鹏;石涛;刘盈霞 -专利权人：厦门虹鹭钨钼工业有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨硅合金靶材的制备方法。本发明包括如下步骤：（1）将钨粉、硅粉和成形剂充分混合，得到钨硅合金粉末；（2）将步骤（1）所得钨硅合金粉末冷压得预成形坯；（3）将步骤（2）所得预成形坯进行真空热压成形，冷却后得烧结毛坯；（4）将步骤（3）的烧结毛坯切割后即得钨硅合金靶材。本发明能耗小，成本低，成品率高，有效降低了钨硅合金靶材的成本；生产无污染、不产生任何废料、废酸等污染物。
一种合金制备方法

[发明专利]钨靶坯结构的制造方法以及钨靶材组件的制造方法-CN201610718463.0在审
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;王学泽;寿奉粮 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种钨靶坯结构的制造方法以及钨靶材组件的制造方法，所述钨靶坯结构的制造方法包括提供钨靶坯，所述钨靶坯具有焊接面；采用化学镀工艺，在所述钨靶坯焊接面上形成镍镀层。本发明采用化学镀工艺，在钨靶坯的焊接面上形成镍镀层，由于镍镀层材料与常用焊料之间具有良好的浸润性，因此利用所形成的镍镀层可以有效改善钨靶坯与其他材料的焊接性能，例如，可以提高钨靶坯与背板之间的结合力，使得钨靶坯与背板实现可靠结合，满足钨靶材组件长期稳定使用的需要。
钨靶坯结构制造方法以及钨靶材组件

[发明专利]钨钛合金靶坯及靶材的制造方法-CN201110382822.7有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：钨钛合金靶坯及靶材的制造方法，所述钨钛合金靶坯的制造方法包括：在模具中装入混合钨钛粉末；进行冷压成型工艺和真空热压烧结工艺，将所述模具中的钨钛粉末制成钨钛合金靶坯毛料，所述真空热压烧结工艺的参数为：真空度小于或等于本发明技术方案的钨钛合金靶坯的制造方法，获得的钨钛合金靶坯的微观结构均匀、致密度高、无裂纹符合半导体溅射用，且采用所述钨钛合金靶坯的制造方法获得钨钛合金靶坯的成本低。
钛合金制造方法

[发明专利]一种钒钨合金靶坯的制备方法-CN202011525482.4有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;李苛 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C22C27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种钒钨合金靶坯的制备方法，所述钒钨靶坯中以质量百分含量计包括：11‑19％W，余量为钒；所述制备方法包括如下步骤：(1)将钒粉和钨粉按配方进行混合，之后装入模具中；(2)放入炉中并抽真空，之后进行热压烧结，得到所述钒钨合金靶坯。本发明提供的制备方法，通过对靶坯中钒和钨配比的重新设计，采用特定的烧结工艺实现了致密度≥98.79％的钒钨合金靶坯的制备，利用该靶坯制备的靶材进行溅射时，具有优异的溅射性能，溅射过程中可避免异常放电等现象
一种合金制备方法

[发明专利]掺杂氧化钨靶材及其制备方法-CN201910683562.3有效
发明人：孟政;余刚;代强;汪洪 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明是关于一种掺杂氧化钨靶材及其制备方法，其制备方法包括：将氧化钨活化并粉磨,得到活化氧化钨；将掺杂氧化物活化并粉磨，得到活化掺杂氧化物，其中，所述掺杂氧化物为钛、镍、钽、铼、铱、钼、铌、硅、锡、锌、锆和锗中一种或多种组成的氧化物；将所述的活化氧化钨和活化掺杂氧化物混合均匀，压制，得到坯体；将所述的坯体烧结，得到掺杂氧化钨靶材；其中，所述的活化氧化钨与活化掺杂氧化物的粒度比与摩尔比的关系式如下：本发明通过建立粒度与摩尔比之间的关系，得到成分均匀、致密度高的电致变色用掺杂氧化钨靶材；掺杂氧化钨靶材具有一定的导电性，可使用直流或中频电源。
掺杂氧化钨及其制备方法

[发明专利]钨硅靶材的制造方法-CN201210374813.8有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了钨硅靶材的制造方法。所述钨硅靶材的制造方法包括：提供高纯钨粉和高纯硅粉；采用湿混工艺将所述钨粉和所述硅粉进行混合，形成混合粉末；采用冷压工艺将所述混合粉末制成钨硅靶材坯料；采用真空热压工艺将所述钨硅靶材坯料制成钨硅靶材。采用本发明的制备方法能够获得了致密度大于或者等于99%的钨硅靶材，并且所获得的钨硅靶材微观结构均匀，具有优异的溅射使用性能。
钨硅靶材制造方法

[发明专利]一种钨硅靶材的制备方法-CN202111227245.4有效
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;李岢 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钨硅靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将钨粉和硅粉进行第一热处理，得到钨硅合金；(2)将步骤(1)得到的所述钨硅合金进行破碎，得到钨硅合金粉末；(3)将步骤(2)得到的所述钨硅合金粉末进行第二热处理，得到钨硅靶材。本发明提供的钨硅靶材制备方法可以满足大批量生产钨硅靶材的需求，所得靶材内部结构均匀且没有缺陷，致密度≥99％，氧含量500ppm。
一种钨硅靶材制备方法

[发明专利]钨硅靶材的制造方法-CN201410668721.X在审
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;张涛 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种钨硅靶材的制造方法，包括：提供钨粉和硅粉；利用混粉工艺将所述钨粉和硅粉混合均匀，以形成混合粉末；利用冷压工艺对所述混合粉末进行致密化处理，以形成钨硅靶材坯料；将所述钨硅靶材坯料置于包套内，利用热等静压工艺对所述包套内的钨硅靶材坯料进行致密化处理；去除所述包套，得到钨硅靶材。本发明的技术方案能够使形成的钨硅靶材具有较高的致密度、以及均匀的内部组织结构。
钨硅靶材制造方法

[发明专利]一种钨钛靶材的绑定方法-CN202210245381.4在审
发明人：余芳;文崇斌;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-03-13 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明属于半导体靶材制备技术领域，公开了一种钨钛靶材的绑定方法。所述绑定方法包括如下步骤：将钨钛靶坯加热至300～320℃保温，然后超声涂覆SnAgCu焊料层，得到金属化的靶坯；将背板加热至300～320℃保温，然后超声涂覆SnAgCu焊料层，得到金属化的背板；将熔化后的SnAgCu焊料涂覆于金属化的背板表面，并在焊料中均匀放置直径为0.1～0.5mm的铜丝；再将金属化的靶坯盖向处理后的背板进行挤压，放置压重物定位固定，降温，即得到绑定好的钨钛靶材。本发明方法可解决钨钛靶材绑定不良的问题，绑定率大于99％。
一种钨钛靶材绑定方法

[发明专利]一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法-CN202211399556.3在审
发明人：何金江;贾倩;王兴权;丁照崇;滕海涛;罗俊锋;李勇军;曹书光 -专利权人：有研亿金新材料（山东）有限公司;有研亿金新材料有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B22F3/14 文献下载
摘要：本发明属于磁控溅射靶材制造技术领域，公开了一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法。以纯度大于5N的W粉为原料，先通过真空热压烧结的方式获得相对密度为80％～90％的预成型钨靶坯。然后通过多道次小变形热轧的方式在预成型钨靶坯表面0.5～2mm厚度的范围内形成相对密度为95％～99％的致密化表层，心部密度及组织状态仍保持不变。最后将多道次小变形轧制后的钨靶坯进行无包套热等静压烧结致密化处理，处理后将表层0.5～2mm厚度的轧制态组织去除，获得致密度≥99.5％，平均晶粒尺寸≤10μm，氧含量≤10ppm的高纯W靶坯。
一种高纯致密低氧钨靶材制备方法

[发明专利]一种改善钨靶材扩散焊接过程变形现象的焊接结构-CN202210203384.1在审
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;廖培君;沈学峰 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种改善钨靶材扩散焊接过程变形现象的焊接结构，所述焊接结构包括依次连接的钨靶层、中间层以及背板层，所述中间层被分割为至少6份。所述焊接结构可以减小扩散焊接过程中W靶所受应力的力矩，从而降低靶坯变形量，解决靶坯开裂问题。
一种改善钨靶材扩散焊接过程变形现象结构

[发明专利]一种钒钨合金靶坯的制备方法-CN202011301391.2有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;章丽娜 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钒钨合金靶坯的制备方法，所述钒钨合金靶坯中钒和钨的质量比为(10.06‑10.16):1；所述制备方法包括如下步骤：按配方将钒粉和钨粉在转速为500‑600r/min下进行球磨，之后加入模具中夯实后进行烧结，得到所述钒钨合金靶坯；所述烧结为先进行第一保温，之后升温进行第二保温，然后依次进行加压和保温保压。本发明提供的方法，通过在金属粉末混合过程中引入高能球磨(转速为500‑600r/min)，使得在混粉阶段就使得钒和钨之间进行初步合金化，使得溅射所得的镀膜厚度均匀，提高了靶材的实际使用效率。
一种合金制备方法

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