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[发明专利]一种螺旋波等离子体溅射沉积氮化钨薄膜的方法-CN202210851191.7有效
发明人：黄天源;李茂洋;季佩宇;吴雪梅 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种螺旋波等离子体溅射沉积氮化钨薄膜的方法。包括以下步骤：（1）基片预处理：将基片置于等离子溅射沉积装置内，在氩气和氮气存在的条件下，控制磁场强度为50‑1000高斯，对基片进行预处理；（2）溅射沉积：对钨靶板施加0‑300v的直流负偏压，调节输入功率为100‑1000w，进行等离子体溅射沉积，时间为5‑30；（3）真空退火：将基片置于马弗炉中进行真空退火处理，得到最后的氮化钨薄膜。本发明通过基片预处理再进行溅射沉积可以实现硅基片表面高质量氮化钨薄膜的快速制备，薄膜厚度、化学组分、结晶度可控，内应力小，薄膜无明显的开裂及脱落。
一种螺旋等离子体溅射沉积氮化薄膜方法

[发明专利]一种超粗钨粉和超粗碳化钨粉及其制备方法-CN202210767983.6有效
发明人：陈玉柏;肖颖奕;张帆;杨树忠;蓝希鑫 -专利权人：赣州有色冶金研究所有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B22F9/22 文献下载
摘要：本发明提供的制备方法：将氧化钨成型，得到氧化钨坯体；将所述氧化钨坯体加热熔化，熔体滴入水中淬火，得到重构氧化钨；将所述重构氧化钨进行破碎，得到重构氧化钨颗粒；在还原性气氛中，将所述重构氧化钨颗粒进行还原反应本发明提供的制备方法将成型的氧化钨坯体加热熔化滴入水中淬火，通过淬火促使氧化钨晶体重构，得到的重构氧化钨晶粒粗，且具有较大的致密度和脆性，通过破碎得到粒径均匀的超粗晶颗粒后，在还原性气氛中利用重构氧化钨的晶体遗传性
一种超粗钨粉碳化及其制备方法

[发明专利]溅镀靶材及调整溅镀靶材周围磁力线分布的方法-CN202010913229.X在审
发明人：黄民育;张廖万民;陈志豪;韩中明 -专利权人：优贝克科技股份有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种溅镀靶材及调整溅镀靶材周围磁力线分布的方法，所述溅镀靶材包含靶坯、背板单元、数个磁性件及数个固定件。所述背板单元包括与所述靶坯间隔设置的背板及接合层，所述背板具有朝向所述靶坯的底面的第一板面及反向于所述第一板面的第二板面。所述接合层设置于所述第一板面。所述磁性件设置于所述靶坯的底面与所述背板的第一板面间。所述固定件分别对应于所述磁性件，所述固定件具有导电、导热及耐高温的性质且接合于所述靶坯的底面或所述背板的第一板面，每一所述固定件的熔点高于所述接合层的熔点，所述接合层一体地填充于所述靶坯与所述背板间。
溅镀靶材调整周围磁力线分布方法

[发明专利]镍靶坯及靶材的制造方法-CN201811239443.0在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;黄东长 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种镍靶坯及靶材的制造方法，镍靶坯的制造方法包括：提供镍锭；将所述镍锭进行第一退火工艺处理，所述第一退火工艺温度为900℃‑950℃；将经过第一退火工艺处理后的所述镍锭进行轧制，形成初级镍靶坯。控制所述第一退火工艺温度为900℃‑950℃，使得轧制后的镍靶坯内部无缺陷，将所述镍靶坯与背板焊接后所获得的所述镍靶材亦无缺陷，减少了由于述镍靶坯不符合需求而造成的靶材报废的情况。
镍靶坯制造方法

[发明专利]一种氧化铟镓锌靶材的制备方法-CN202011121750.6在审
发明人：张来稳;邵学亮;李开杰;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明揭示了一种氧化铟镓锌靶材的制备方法，包括以下步骤：将氧化铟粉末、氧化镓粉末、氧化锌粉末加入球磨罐中，再加入分散剂、粘接剂以及纯水混合，进行预分散后得到混合液，将所述混合液进行湿法研磨后得到混合浆料；将混合浆料进行喷雾造粒、混料筛分，得到氧化铟镓锌粉末；将氧化铟镓锌粉末进行液压成型、冷等静压，得到氧化铟镓锌靶坯；将氧化铟镓锌靶坯进行烧结，烧结的过程中，在氧化铟镓锌靶坯底部铺上一层衬底材料，烧结完成后得到氧化铟镓锌靶材本发明烧结过程中在靶坯底部铺上一层衬底材料，让靶坯在衬底材料的挥发氛围中烧结，从而抵消靶坯组分因为分子热运动导致的损失，烧结出组分均匀的氧化铟镓锌靶材。
一种氧化铟镓锌靶材制备方法

[发明专利]一种高性能钨镍铜合金板材及其制备方法-CN202110427551.6在审
发明人：吕思键;王玲;秦颖楠;熊宁;周武平;杨林;姚惠龙 -专利权人：安泰天龙钨钼科技有限公司;安泰科技股份有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C22C27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种高性能钨镍铜合金板材及其制备方法，所述方法包括以下步骤：S1、将钨粉、镍粉、铜粉和钼粉进行活化混合处理，得到钨镍铜合金粉末；S2、将所述合金粉末装入模具内成型处理，得到钨镍铜合金压坯；S3、将所述钨镍铜合金压坯进行烧结处理，得到烧结坯；S4、将所述烧结坯进行轧制变形处理，得到钨镍铜合金轧制板坯；S5、将所述合金轧制板坯进行真空油淬热处理，得到所述高性能钨镍铜合金板材。本发明通过轧制强化与热处理工艺相结合，全面提高了钨镍铜板材的性能，能够满足高速、高精度导航陀螺仪等特殊用途的使用要求，且生产成本低，可操作性强，适于批量生产。
一种性能铜合金板材及其制备方法

[发明专利]一种铜钨触头的制作方法-CN201110154003.7有效
发明人：张国顺 -专利权人：河南新丰新材料有限公司
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜钨触头的制作方法，包括制钨坯、制作石墨坩埚、烘干石墨坩埚、保护石墨坩埚、制备含铜材料、装坩埚、装炉抽真空加热熔渗、冷却出炉等步骤。本发明在真空环境条件下，利用特制石墨坩埚盛装材料，采用真空负压熔渗方法将铜或铬青铜溶液充分熔渗到钨坯中制得触头，在真空环境下铜的熔点被降低，含铜材料更容易溶渗入钨坯，与钨坯的熔合更充分平均，提高了整个产品的使用性能以及产品的成品率
一种铜钨触头制作方法

[发明专利]一种X射线管用钨铼‑钼合金旋转阳极靶材及其制备方法-CN201610967103.4有效
发明人：董帝;刘国辉;吕周晋;王寅 -专利权人：安泰天龙钨钼科技有限公司;安泰科技股份有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01J35/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种X射线管用钨铼‑钼合金旋转阳极靶材及其制备方法，属于粉末冶金技术领域。该X射线管用钨铼‑钼合金旋转阳极靶材，包括钨铼合金层和钼合金层，以钨铼预合金粉末和钼合金粉末为原料，依次经模压成型、高温烧结、热等静压、矫直整形、机械加工工序制备而成。本发明制得的钨铼‑钼合金具有晶粒细小、组织均匀、杂质元素含量较低、高致密性、高强度等优异性能；用钨铼‑钼合金制得的X射线管用旋转阳极靶具有产品合格率高、散热性好、抗热冲击性好、使用寿命长等优点。
一种射线管用合金旋转阳极及其制备方法

[发明专利]一种离子束辅助沉积工艺制备W掺杂ZrO2-CN201911353350.5在审
发明人：沈洪雪;姚婷婷;李刚;彭塞奥;杨扬 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：W掺杂ZrO2薄膜的方法，包括以下步骤：a、采用单晶硅片为衬底，清洗衬底，去除衬底表面的污垢；b、将衬底放入离子束辅助沉积系统的腔室内，离子束辅助沉积系统采用钨靶与锆靶；c、启动离子束辅助沉积系统，先使用钨靶，在衬底表面沉积氧化钨薄膜；然后使用锆靶，在氧化钨薄膜表面沉积氧化锆薄膜；d、将沉积了薄膜的衬底放入退火炉，在1000℃的氧气气氛中退火3小时，使氧化钨在氧化锆薄膜中均匀扩散；然后随炉冷却至常温即得到W掺杂ZrO2薄膜；该方法能够进行任意W掺杂量的ZrO2薄膜的制备，并且不需要另外制作混合靶材
一种离子束辅助沉积工艺制备掺杂 zro base sub

[发明专利]钨钛合金靶材加工方法和加工装置-CN201010530355.3有效
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;鲍伟江 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种钨钛合金靶材加工方法和加工装置，所述方法包括：采用粒度为120至150目的金刚石磨具对钨钛合金靶材进行机械加工，金刚石磨具转速为3500至4000转/分钟，进给量为每次不大于0.02应用本发明实施例提供的加工方法，能够减少钨钛合金材靶材在加工过程中产生的崩裂缺陷，并能够明显的提高加工精度，本发明实施例提供的钨钛合金靶材加工装置的材料中，包括了硬度较高的金刚石，能够提高加工装置的整体硬度，减少钨钛合金靶材的崩裂缺陷，提高加工质量，同时减少加工装置的磨损，无需频繁的更换加工装置，提高加工效率，降低加工成本。
钛合金加工方法装置

[发明专利]一种高纯硅钨粉的制备方法-CN202210256005.5在审
发明人：张龙辉;徐国钻;周俊安;羊求民;王韶毅;刘莉;林丽萍;黄春燕;黄月玲 -专利权人：崇义章源钨业股份有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B22F3/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯硅钨粉的制备方法，为了解决传统的硅钨粉制备过程中容易生成二氧化硅以及高纯硅钨粉中氧含量不能有效降低等问题，本发明提供了一种高纯硅钨粉的制备方法。本发明以高纯钨粉、高纯硅粉为原料，经混合、高温烧结后制备得到高纯硅钨粉团聚体，然后经气破处理，制备得到分散性较好的高纯硅钨粉。采用本发明的高纯硅钨粉的制备方法，可以制备得到分散性更好的高纯硅钨粉，能够更好的满足高纯度钨硅靶材对高纯硅钨粉原料的需求，在电子栅门材料以及电子薄膜领域的应用市场非常广阔。
一种高纯硅钨粉制备方法

[发明专利]一种用偏钨酸铵直接制备高压坯强度钨粉的方法-CN200810031746.3无效
发明人：范景莲;田家敏;游峰;刘涛 -专利权人：中南大学
申请日： 2008-07-14 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： B22F9/20 文献下载
摘要：一种用偏钨酸铵(AMT)直接氢还原生产高压坯强度钨粉的方法，本发明方法生产的钨粉，在不添加任何成型剂的情况下直接成型为强度高的压坯，压坯的横向断裂强度达到2.5～4.0MPa，采用该方法制备的钨粉可广泛应用于制备大制品钨和钨合金产品，用偏钨酸铵直接还原，不需要经过煅烧和其它中间工艺的处理，过程简洁，能耗低；制备的钨粉粒度控制较均匀，烧结活性高，有利于高性能钨产品的制备。
一种用偏钨酸铵直接制备高压强度方法

[发明专利]一种长效数据存储记录靶材的制备方法及靶材和存储光盘-CN202211503766.2在审
发明人：周自文;罗铁威;陈强旺;叶剑峰;陈小兰;杨秋香 -专利权人：广东紫晶信息存储技术股份有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本方案属于存储光盘的记录材料技术领域，具体公开了一种长效数据存储记录靶材的制备方法及记录层，其制备方法包括如下步骤：S1.将50～70份氧化铜(CuO)、10～15份氧化镍(NiO)、10～15份二氧化锗(GeO2)和15～20份三氧化铋(Bi2O3)材料粉末充分混合后，填充于模具进行压缩成型即为靶材坯体；S2.将靶材坯体烧结后，采用压延工艺对所述烧结后靶材坯体进行锻造压延处理，以提高其致密度；S3.将S2锻造压延处理后的靶材坯体，加工成需要的形状，得到靶坯，靶坯再与钼或铬锆铜合金背板进行绑定，形成记录靶材。本发明提供的方法记录靶材，在制作存储光盘过程中，通过溅镀本发明提供的记录靶材所形成的记录层，提高了存储光盘的记录质量、延长了数据存储光盘的寿命。
一种长效数据存储记录制备方法光盘

[发明专利]钨的回收方法-CN202080015850.2在审
发明人：原口大辅;阿部淳二;永井裕树 -专利权人：三菱综合材料株式会社;日本新金属株式会社
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：一种钨的回收方法，其特征在于，对于含有氧化钨和硅的钨原料，通过使用弱碱化合物，在抑制硅的浸出的同时浸出钨，钨浸出时将硅的大部分作为残渣分离，回收硅浓度极低的钨浸出液。
回收方法

[发明专利]平面锂靶材组件的制造方法和设备-CN201910015660.X在审
发明人：齐大志;程滋平;杨诚;陈强;牟瀚波;吴春敢;刘慧芳;代春雨 -专利权人：天津中能锂业有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：公开了一种平面锂靶材组件的制造方法和设备。平面锂靶材组件的制造方法包括：提供锂靶坯和背板，所述锂靶坯具有第一主表面和与第一主表面相反的第一背面，所述背板具有第二主表面和与第二主表面相反的第二背面；将所述锂靶坯的第一主表面与所述背板的第二主表面相对设置并贴合，形成初始组件；在真空环境中，使用施压块对所述锂靶坯的第一背面施加压力，同时加热所述初始组件，使所述锂靶坯与所述背板在贴合表面处发生扩散焊接，形成平面锂靶材组件。本发明技术方案解决了平面锂靶材生产中靶材质量不佳的问题，所制造的靶材组件具有高抗拉强度，还可以解决金属锂柔软和黏性所导致的生产问题，使靶材组件的生产简洁易行，且基本无原材料浪费。
平面锂靶材组件制造方法设备