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[发明专利]一种提高钛酸铜锶钙介电陶瓷材料储能密度的方法-CN202210792300.2在审
发明人：张建花;郝嵘;卢文敏;郭向阳;陈子成;王大伟;雷志鹏;郑丽君 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开一种提高钛酸铜锶钙介电陶瓷材料储能密度的方法。工艺为：以硝酸铜、硝酸钙、硝酸锶、双(乙酰丙酮基)二异丙基钛酸酯为原料，按各化学元素的计量比进行称量配料；并选取适宜的聚合物单体和引发剂；将上述原料混合后置于水浴锅中，不断搅拌至形成干凝胶；除去干凝胶中的有机物，形成前驱体粉末；之后制成陶瓷胚体，烧结冷却得到CSCTO介电陶瓷。
一种提高钛酸铜锶钙介电陶瓷材料密度方法

[发明专利]一种高击穿场强钛酸铜锶钙介电陶瓷材料及其制备方法-CN201910095081.0有效
发明人：张建花;吝伶艳;刘玉倩;李卓晓;郑杰诚;宋建成;李媛媛 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开一种高击穿场强钛酸铜锶钙(CSCTO)介电陶瓷材料及其制备方法。具体工艺为：以硝酸铜、硝酸钙、硝酸锶、钛酸四丁酯为原料，按照各化学元素的计量比进行称量配料；以无水乙醇为溶剂；调节溶液的pH值为3~5；将上述溶胶置于水浴锅中，不断搅拌至形成干凝胶；利用电炉和马弗炉除去干凝胶中的有机物，形成CSCTO前驱体粉末；之后进行加胶、研磨、造粒、压片，制成陶瓷胚体，再把胚体放入马弗炉内烧结；在炉内自然冷却至室温，得到CSCTO介电陶瓷。
一种击穿场强钛酸铜锶钙介电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种钛酸锶钡星状晶体的制备方法-CN201110448975.7无效
发明人：王永刚;杨琳琳;王玉江;王晓峰;徐国辉;林海燕;罗伟 -专利权人：洛阳理工学院
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：一种钛酸锶钡星状晶体的制备方法，包括制备钛、锶和钡的羟基氧化物沉淀作为反应物料，加入适宜浓度的氢氧化钾促进晶化，于120~200oC下，以水为溶剂，水热反应得到钛酸锶钡星状晶体。本发明首次实现了钛酸锶钡星状晶体的合成，并且工艺过程简单，星状晶体的尺寸容易控制，成本低，无污染，易于实现规模化生产。该产品在电容器、电光器件、铁电探测器、动态存储器、微波调谐器等领域具有非常广泛的应用前景。
一种钛酸锶钡星状晶体制备方法

[发明专利]一种巨介电常数CCTO基薄膜材料的制备方法-CN201910196716.6在审
发明人：黄延伟;曾和平 -专利权人：上海朗研光电科技有限公司;华东师范大学
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明属于巨介电常数薄膜材料技术领域，具体为一种巨介电常数CCTO基薄膜材料的制备方法。具体为：先以钛酸四丁脂、硝酸铜、醋酸钙等含有金属阳离子源的材料为先驱物原料，以能溶解先驱物原料的水、无水乙醇、冰醋酸等为溶剂，配制含有钛源、铜源和钙源等的先驱物溶胶，即CCTO基材料的先驱物溶胶，将此溶胶静置一段时间进行老化采用提拉法或旋涂法在玻璃或硅衬底上进行镀膜，然后置于红外灯下烘烤10‑30min，将烘烤过的薄膜在一定条件下进行激光辐照，除去有机溶剂及溶剂阴离子，即得到纯相的CCTO基薄膜材料，该制备方法成本低廉、快速高效，适合CCTO巨介电材料的推广应用
先驱物巨介电常数基薄膜制备烘烤溶剂金属阳离子巨介电材料钛酸四丁脂薄膜材料激光辐照无水乙醇有机溶剂冰醋酸醋酸钙硅衬底红外灯基材料提拉法硝酸铜旋涂法阴离子镀膜钙源铜源钛源薄膜配制溶解老化玻璃

[发明专利]一种低损耗的外延钛酸锶钡薄膜材料及其制备方法-CN202310690364.6在审
发明人：蒋书文;叶东瑾;聂鹏昊;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明属于功能材料技术领域，提供一种低损耗的外延钛酸锶钡薄膜材料及其制备方法，用以作为介质薄膜变容器的介质层材料。本发明基于磁控溅射方法在低失配衬底上以较高的衬底温度、较低生长速率制备得到钛酸锶钡薄膜，实现薄膜与衬底之间的外延生长关系，得到外延钛酸锶钡薄膜材料；所述外延钛酸锶钡薄膜材料具有(001)外延结构，比多晶结构的钛酸锶钡薄膜具有更大的介电常数；并且，外延钛酸锶钡薄膜材料具有缺陷少、外延质量高的优点；同时，外延钛酸锶钡薄膜材料在高频下具有低损耗特性；另外，本发明中外延钛酸锶钡薄膜材料的外延制备工艺采用射频磁控溅射工艺，能够实现钛酸锶钡薄膜的大面积和大批量制备
一种损耗外延钛酸锶钡薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种还原气氛下具有高电阻率、巨介电常数和低损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法-CN201911113373.9有效
发明人：刘鹏;宋月婵;吴雯雯;雷明亮 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种还原气氛下具有高电阻率、巨介电常数和低损耗的二氧化钛基陶瓷的制备方法，通过二氧化钛中同时添加三价元素Al和等摩尔质量的五价元素Nb，将预烧粉置于3～12T的磁场下，获得生胚，之后在N2气氛下高温烧结，在陶瓷内部形成“巨缺陷”偶极子，形成较多的局域化电子，获得巨介电陶瓷，且在磁场下会使此类偶极子被磁场定向，限制自由电荷的移动从而提高电阻率和降低介电损耗本发明制备的陶瓷表现出了优良的温度稳定性和频率稳定性，相对介电常数大于103，介电损耗可达到0.05～0.1，电阻率可达到107
一种还原气氛具有电阻率介电常数损耗氧化陶瓷制备方法

[发明专利]介电陶瓷材料及采用该材料的电介质谐振器-CN01137711.9有效
发明人：须惠敏幸 -专利权人：京都陶瓷株式会社
申请日： 2001-10-31 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明提供一种介电陶瓷材料，包含其主晶相是钙钛矿晶体的固溶体，并且该钙钛晶体包含至少钡(Ba)、锶(Sr)、镁(Mg)、钨(W)和稀土元素的复合氧化物，且所述介电陶瓷材料优选用于电介质谐振器，因为这种介电陶瓷材料可获得高频区域内的高数值
陶瓷材料采用材料电介质谐振器

[发明专利]一种钛酸锶复合金属有机薄膜及其制备方法和应用-CN202211441510.3在审
发明人：段东平;任玉枝;贾奇博;李焱 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B01J35/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸锶复合金属有机薄膜及其制备方法和应用，所述钛酸锶复合金属有机薄膜的原料包括二元胺、二元酸酐、金属盐、钛酸锶、金属配体和溶剂。所述制备方法包括：(1)在溶剂存在下，二元胺与二元酸酐反应，得到聚酰胺酸；(2)将步骤(1)得到的聚酰胺酸与钛酸锶混合，得到钛酸锶聚酰亚胺预聚物；(3)将步骤(2)得到的钛酸锶聚酰亚胺预聚物与金属盐络合物混合，成型、高温处理，得到所述钛酸锶复合金属有机薄膜。本发明中，所述钛酸锶复合金属有机薄膜采用有机材料复合金属的方式，使得金属在有机膜表面形成连续相，钛酸锶在金属表面均匀分散成连续相，相互配合，具有优异的光催化活性，可以工业化应用。
一种钛酸锶复合金属有机薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种二氧化钛基巨介电常数电介质陶瓷材料的改性方法-CN201910751133.5在审
发明人：李玲霞;王梦龙;彭伟;王文波;张凯 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化钛基巨介电常数电介质陶瓷材料的改性方法，先按摩尔比TiO₂：Ta₂O₅：Eu₂O₃＝97:0.015:0.015进行配料，经过球磨、烘干、过筛后进行造粒，再压制成坯体，排胶后于1400～1450℃烧结，制成二氧化钛基电介质陶瓷材料；再利用直流磁控溅射方法，制备出具有超宽温度范围巨介电常数低损耗的二氧化钛基电介质陶瓷材料本发明具有优良的介电性能，介电常数ε_25℃为1553219，介电损耗tanσ为0.4293，开发出能满足当今小型化MLCC制备与应用要求的电介质陶瓷材料。
电介质陶瓷材料二氧化钛基巨介电常数制备直流磁控溅射介电常数ε 介电损耗介电性能应用要求烧结成坯体低损耗再利用烘干超宽改性过筛排胶球磨造粒按摩压制开发

[发明专利]钛酸锶钡/聚苯乙烯核壳结构及其制备方法-CN201310697909.2有效
发明人：蔡铜祥;杨晓伟;杨玉晴 -专利权人：江苏悦达新材料科技有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C08F112/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛酸锶钡/聚苯乙烯核壳结构及其制备方法。采用微波辅助Glycothermal法制备的钛酸锶钡纳米晶（Ba0.6Sr0.4TiO3）以及苯乙烯单体（St）为原料，2-溴-2-甲基丙酸(Br-MPA)为引发剂，在无溶剂条件下，通过原子转移自由基聚合合成得到钛酸锶钡本发明制备的钛酸锶钡/聚苯乙烯核壳结构具有壳层厚度可控、尺寸分布均匀和分散稳定性好等特点。本发明对超高密度铁电存储器平面纳米有序阵列结构的制备具有重要应用价值。
钛酸锶钡聚苯乙烯结构及其制备方法

[发明专利]介电陶瓷组合物-CN97102334.4无效
发明人：川本光俊;浜地幸生 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 1997-01-23 - 公布日： 2001-02-28 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：一种主要由镁铌酸铅、钛酸锶和钛酸铅组成的介电陶瓷组合物，其特征在于，此三种主要组分的摩尔比为［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Nb2/3)O3］x·［SrTiO3］y·［PbTiO3］z,(其中,x+y+z=100摩尔份数$此介电陶瓷组合物能在低温下烧结，并具有高介电常数和高机械强度。$#!
陶瓷组合

[发明专利]一种水热法合成晶界层陶瓷电容器用粉体的方法-CN201710052051.2有效
发明人：丁明建;庄彤;杨俊峰 -专利权人：广州天极电子科技有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种钛酸锶粉体，以及一种水热法合成晶界层陶瓷电容器用粉体的方法，该方法主要包括如下步骤：(1)球形偏钛酸的制备；(2)球形掺铌钛酸锶的制备；(3)半导化掺铌钛酸锶；(4)包裹偏钛酸；(5)表面偏钛酸转换为钛酸锶本发明采用两步水热合成的办法，制备出绝缘钛酸锶包裹半导化钛酸锶的核‑壳结构粉体，实现了最终合成核‑壳结构粉体的球形形貌，同时为晶界层陶瓷电容器制备提供一种高性能粉体。
一种水热法合成晶界层陶瓷电容器用方法

[发明专利]一种巨介电常数纳米钛酸铜钙陶瓷材料的制备方法-CN201510831544.7在审
发明人：张家松 -专利权人：胡晓鸿
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明涉及一种巨介电常数纳米钛酸铜钙陶瓷材料的制备方法，将Cu(NO₃)₂·3H₂O和Ca(NO₃)₂·4H₂O溶于无水乙醇，制成A液；将钛酸丁酯溶于无水乙醇，制成B液；将乙二醇、柠檬酸、碳酸锂和草酸水溶液混合，制成C液；将B液滴入A液中并搅拌，控制反应温度80～95℃，pH值5.0～6.0；再将C液滴入上述得到的A、B混合液，控制pH值为3.0～4.0，温度75～85℃；产物经后处理，然后再经煅烧得纳米钛酸铜钙，煅烧温度700～850℃。制备出了粒径分布均匀，化学活性高，易于改性和掺杂，具有极高的介电常数和极低的介电损耗的纳米钛酸铜钙，该方法大大缩短了反应周期，烧成温度低，能耗低。
一种介电常数纳米钛酸铜钙陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种巨介电、低损耗二氧化钛基复合陶瓷的制备方法-CN201610033935.9有效
发明人：刘鹏;郭保春;宋月禅;刘冬冬 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种巨介电、低损耗二氧化钛基复合陶瓷的制备方法，该复合陶瓷用通式(A0.5Nb0.5)0.005Ti0.995O2表示的材料组成，其中A代表La、TL、Sm或Gd，其制备方法是将原料球磨混合后直接造粒过筛，成型得到陶瓷的坯体，然后在N2气氛保护下烧结得到致密陶瓷，烧银后再在通空气的环境下800～900℃退火1～2小时，得到巨介电、低损耗二氧化钛基复合陶瓷。本发明方法制备的陶瓷常温条件下在频率为20Hz～100kHz范围内相对介电常数均大于104、介电损耗均低于0.05，具有优良的频率稳定性和温度(‑75～150℃)稳定性，在电容器及动态存储器等各种电子器件中具有实际的应用价值
一种巨介电损耗氧化复合陶瓷制备方法

[发明专利]一种含巨介电粉的铝电解电容器用材料及其制备方法-CN202110971288.7有效
发明人：史瑞科;张于胜;白光珠;王立强;王海丽;刘璐 -专利权人：西安稀有金属材料研究院有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01G9/045 文献下载
摘要：本发明公开了一种含巨介电粉的铝电解电容器用材料及制备方法，该材料组成原料中含有铝粉和通过施主掺杂方法向SrTiO3介质材料中引入施主离子改性得到的SrTiO3基巨介电粉；该制备方法包括：一、将SrTiO3与施主离子的前驱体球磨后预烧再球磨得到巨介电粉体；二、将铝粉、巨介电粉体制成铝浆本发明的材料中添加有施主掺杂方法得到的SrTiO3基巨介电粉，其电容值提高且仍保持较小的介电损耗；本发明采用固相法结合基体涂覆和烧结工艺，引入巨介电粉体，提高了巨介电粉体的稳定性和添加量
一种含巨介电粉铝电解电容器用材料及制备方法