专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种钆致密膜的制备方法-CN201210310445.0无效
  • 金利华;卢亚锋;李成山;于泽铭 - 西北有色金属研究院
  • 2012-08-28 - 2012-12-05 - C04B35/622
  • 本发明公开了一种钆致密膜的制备方法,包括以下步骤:将三氟乙酸钆、三氟乙酸和三氟乙酸溶解于甲醇中,得到三氟乙酸盐前驱液一;将螯合剂与三氟乙酸盐前驱液一加入搅拌器中,搅拌反应后形成络合物,将络合物在甲醇和丙酸混合溶液中定容得三氟乙酸盐前驱液二;采用旋涂法将三氟乙酸盐前驱液二均匀涂覆在铝酸镧单晶基片上,后将涂覆有涂层的铝酸镧单晶基片置于热解炉中进行热解,得到表面光滑的前驱膜;将前驱膜置于管式炉中进行晶化处理,晶化处理后将管式炉中的温度降到渗处理的温度进行渗处理,随炉冷却得钆致密膜。本发明工艺简单、设计合理且易于操作,采用本制备方法制备的钆致密膜表面光滑、平整致密、性能优异。
  • 一种钆钡铜氧致密制备方法
  • [发明专利]一种调控钕薄膜取向的方法-CN201810563086.7有效
  • 涂溶;王凯东;章嵩;张联盟 - 武汉理工大学
  • 2018-06-04 - 2020-02-18 - C23C16/40
  • 本发明公开了一种调控钕薄膜取向的方法,在传统金属有机物化学气相沉积技术的基础上,进一步引入高能量密度的连续激光,可降低化学反应活化势垒,加快反应速率,并同时保证沉积区域辐射场均匀稳定分布,因此制备的薄膜结构连续均匀,面内排布有序;本发明通过对激光功率和加载时间的简单调控,可实现钕薄膜取向结构的可控调节,尤其可制备得到具有沿厚度方向a,c轴取向混合结构的钕薄膜,为含有两种取向结构复合薄膜的制备提供了一条全新思路
  • 一种调控钕钡铜氧薄膜取向方法
  • [发明专利]单畴钆超导块材的制备方法-CN200910024036.2有效
  • 杨万民;李国政 - 陕西师范大学
  • 2009-09-25 - 2010-03-10 - C30B29/22
  • 一种单畴钆超导块材的制备方法,由配制Gd2BaCuO5先驱粉、配制液相源粉、压制Gd2BaCuO5先驱块和液相块、压制支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钆块材、渗处理步骤组成。采用Y2O3制备液相源粉,提高了液相源粉的利用率,采用了Yb2O3制备支撑块,在钆块材的慢冷生长过程中,稳定地支撑上面的两个坯块本发明可用于制备钆超导块材,也可用于制备Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。
  • 单畴钆钡铜氧超导制备方法

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