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[发明专利]金属钨的填充方法-CN201910999534.2在审
发明人：詹侃;胡凯;李远;万先进 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明属于半导体设计及制造领域，本发明提供一种金属钨的填充方法，方法包括步骤：于开口的侧壁形成氮化钨钝化层；以及于所述开口中进行金属钨填充。本发明在金属钨填充过程中特别插入了氮化钨钝化层。由于金属钨在钨种子层和氮化钨钝化层表面的生长具有显著不同的沉积速率，本发明利用氮化钨钝化层对金属钨的进一步生长具有的钝化作用，促使金属钨的后续沉积产生一定的迟滞时间。本发明通过在金属钨填充过程插入的特征氮化钨钝化层，使得结构内外侧产生迟滞强度差异，可以显著增强金属钨的填充效果，实现金属钨的完全填充，避免结构内部孔隙等缺陷的产生，并大大提高了填充工艺的可调节能力。
金属钨填充氮化钨钝化层迟滞沉积开口半导体设计钝化层表面钝化作用强度差异钨种子层可调节生长侧壁制造

[发明专利]一种从含钨溶液中分离回收钨的方法-CN202210461112.1在审
发明人：冯浩;周伟;黄健;黄毅;蔡祥 -专利权人：湖北绿钨资源循环有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C22B34/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种从含钨溶液中分离回收钨的方法，包括以下步骤：(1)将含钨溶液用酸溶液调节pH至酸性，得到酸性含钨溶液；(2)利用阴离子树脂吸附酸性含钨溶液，得到负钨树脂，以及含有价金属的交后液；(3)用碱性溶液对负钨树脂进行解析，得到钨酸盐溶液，完成含钨混合液中钨与有价金属的分离回收。本发明利用离子交换工艺进行含钨溶液中钨和有价金属的分离，其中液相钨以含钨酸盐的形式吸附于阴离子树脂中，剩余含有价金属溶液则进入交后液中，使钨、有价金属两者有效进行初步分离，再经过解析回收钨，从而充分回收钨资源；本发明流程短，能耗低，极大降低了钨与有价金属分离成本。
一种溶液分离回收方法

[发明专利]钴钨膜的电沉积-CN202080046980.2在审
发明人：泰伊·A·斯柏林;爱德华·C·欧普森斯基;冯展格;马修·A·里格斯比;乔纳森·大卫·里德 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：含钨金属膜可通过电沉积而沉积于半导体衬底的凹入特征中。含钨金属膜在一定条件下电沉积，使得含钨金属膜不含或基本上不含氧化物。在电沉积期间，除其他参数外尤其对pH、钨浓度及电流密度进行条件优化。含钨金属膜可包括钴钨合金、钴镍钨合金或镍钨合金，其中含钨金属膜中的钨含量介于约1‑20原子％之间。
钴钨膜沉积

[发明专利]钨双大马士革工艺-CN200910201709.7有效
发明人：邓镭;方精训;程晓华 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-10-22 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨双大马士革工艺，包括以下步骤：通孔的光刻与刻蚀，通孔由晶圆表面上层金属层至下层金属层中的金属布线槽；在所述通孔中填充钨；上层金属层中的金属布线槽的光刻和钨刻蚀，将上层金属层中的金属布线槽上方的钨去除；上层金属层中的金属布线槽刻蚀，形成上层金属层中的金属布线槽；对通孔和上层金属层中的金属布线槽进行钨填充；钨化学机械抛光，磨去晶圆表面多余的钨。本发明的钨双大马士革工艺，能简化工艺，降低工艺成本。
大马士革工艺

[发明专利]金属钴互连层和钨金属接触孔层的形成方法-CN202011479348.5在审
发明人：张文广;朱建军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属钴互连层和钨金属接触孔层的形成方法，包括提供一含有金属钴互连线层结构的衬底，在衬底上形成介质层；对介质层进行光刻刻蚀工艺，形成金属钨通孔层；利用湿法刻蚀工艺向下刻蚀位于金属钴互连线层结构表面的部分金属钴，在金属钨通孔层中的通孔底部形成铆钉状形貌；用选择性钨沉积工艺填充金属钨通孔层中的通孔，形成底部铆钉状的钨通孔；依次沉积TiN粘附层和金属钨层，在通孔层形成通孔钨塞覆盖层；对金属钨通孔层进行钨化学机械平坦化，去除通孔钨塞覆盖层，以形成平坦化的所述通孔层。本发明利用湿法工艺各向同性特点，在通孔底部形成铆钉状的钨来阻挡CMP研磨液渗透的方法，解决了7nm及以下节点钴缺失的问题。
金属互连接触形成方法

[发明专利]一种金属钨的沉积方法-CN201610478672.2有效
发明人：李远;万先进;潘杰;周小云;张高升 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种金属钨的沉积方法，可应用于三维存储器的制备工艺中，通过在金属钨栅刻蚀之后，增加一道以金属钨栅作为形核层的金属钨的选择性生长工艺，以延长金属钨栅的截面长度，改善金属钨栅由于刻蚀造成的凹陷，完善结构，降低金属钨栅的电阻，进而为后续工艺打下良好基础。
一种金属沉积方法

[发明专利]一种双金属复合材料的制备方法-CN201610977541.9有效
发明人：易大伟 -专利权人：西安科技大学
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： B22F7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种双金属复合材料的制备方法，双金属复合材料包括两个钨金属层，分别为第一钨金属层和第二钨金属层，中间为钛金属层，其中，第一钨金属层的厚度为4‑5mm，第二钨金属层的厚度为2‑3mm，所述的钛金属层的厚度为上述方法制备的双金属复合材料，钛层的厚度远大于钨层，并且，在钨层设置中空结构，一方面增强了钨层的韧性，另一方面，在充分利用钨金属的高熔点的情况下，充分发挥了钛的高韧性、高强度；复合材料的应用范围更大。
一种双金属复合材料制备方法

[发明专利]钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或它们的氮化物的蚀刻液-CN200980135062.0无效
发明人：佐藤浩之介;齐藤康夫 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2009-08-25 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： C23F1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或者它们的氮化物的蚀刻液，该蚀刻液含有过氧化氢、有机酸盐和水。通过使用该蚀刻液，可进行抑制了起泡的钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或者它们的氮化物的均匀的蚀刻，可得到钛系金属、钨系金属、钛钨系金属的相对于其他金属和基板材料的选择蚀刻性优异的蚀刻液。
金属钛钨系它们氮化物蚀刻

[发明专利]改善钨金属层蚀刻微负载的方法-CN201710216987.4有效
发明人：陈立强;李甫哲;郭明峰 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种改善钨金属层蚀刻微负载的方法。首先，提供一半导体基底，具有一主表面，其中该半导体基底上具有多个沟槽。在该半导体基底上全面沉积一钨金属层，并使该钨金属层填满该多个沟槽。对该钨金属进行一平坦化制作工艺，以于该钨金属层上形成一平坦化层。进行一第一蚀刻步骤，完全蚀除该平坦化层及部分该钨金属层，其中该平坦化层及该钨金属层于该第一蚀刻步骤的蚀刻选择比为1：1。再进行一第二蚀刻步骤，继续蚀刻该钨金属层，直到该钨金属层的上表面低于该半导体基底的该主表面。
钨金属层蚀刻半导体基底平坦化层微负载主表面平坦化制作工艺蚀刻选择比上表面钨金属沉积蚀除填满

[发明专利]金属钨增强压型石墨管-CN201610316135.8在审
发明人：王国保 -专利权人：太仓市顺邦防腐设备有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： F28F21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种金属钨增强压型石墨管，所述的金属钨增强压型石墨管包括最外层的形状记忆合金、中间层的金属钨和最内层的石墨组合而成，所述形状记忆合金为镍钛合金，所述的形状记忆合金占金属钨增强压型石墨管总体分量的6%‑10%，所述的金属钨占金属钨增强压型石墨管总体分量的5%‑6%，所述的石墨占金属钨增强压型石墨管总体分量的83%‑91%。本发明提供一种金属钨增强压型石墨管，具有提高了压型石墨管力学性能的优点。
金属增强石墨

[实用新型]带有碳化钨表层的金属工件-CN200720186907.7无效
发明人：陈建国 -专利权人：陈建国
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有碳化钨表层的金属工件，属于一种带有高硬度、高耐磨、耐高温表层材料的金属工件。结构是在其断面上分为碳化钨层、金属与碳化钨接合相的熔融层、金属层。工件的碳化钨表层可以是平面或者是曲面；是工作面的全部表面或者是局部表面；是单层碳化钨与金属工件接合或者是碳化钨与金属相间的多层接合。这种带有碳化钨表层的金属工件其碳化钨表层与金属接合强度高，可以适应不同的工件表面形状，使用范围广泛，成本大大降低。
带有碳化表层金属工件

[发明专利]三五族化合物半导体组件的铜金属连接线-CN201210034035.8无效
发明人：花长煌;朱文慧 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种三五族化合物半导体组件的铜金属连接线，包含一金属接触层以及一含铜金属层；其中该金属接触层位于该含铜金属层下方，由选自下列材料组成的群组所构成：钛/钯/铜(Ti/Pd/Cu)、钛/镍钒/铜(Ti/NiV/Cu)、钛钨/氮化钛钨/钛钨/铜(TiW/TiWN/TiW/Cu)、钛钨/氮化钛钨/钛钨/金(TiW/TiWN/TiW/Au)、钛钨/铜(TiW/Cu)以及钛钨/金(TiW/Au)；该含铜金属层还包含一金属保护层，覆盖于该含铜金属层的上方，用以防止含铜金属层的氧化；该金属保护层的材料为镍/金(Ni/Au)、镍/钯/金(Ni/Pd/Au)或焊接剂(solder)。
三五化合物半导体组件金属连接线

[发明专利]金属钨膜及其制备方法-CN202310009875.7有效
发明人：卢金德;庄琼阳;贾晓峰;陈献龙 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种金属钨膜及其制备方法，其制备方法包括：提供半导体衬底；于半导体衬底上沉积钨成核层；于钨成核层上沉积钨体沉积层；钨成核层与钨体沉积层的总厚度小于预设厚度，重复进行沉积钨成核层及钨体沉积层至少一次形成多层结构，直至得到预设厚度的金属钨膜。本发明通过一种简单的多层膜层结构设计和WCVD制备方法结合的方式，在不需要改变现有工艺参数的基础上，解决制备大厚度的金属钨膜因应力、衬底弯曲形变较大，出现膜层破裂、剥离翘曲或剥落等问题；本发明以多层结构的方式，将金属钨膜分层沉积，通过细化晶粒、增加晶界面积，使得金属钨膜沉积过程中产生的应力、应变在钨膜中均匀化，实现低应力、低弯曲形变金属钨膜的制备。
金属及其制备方法

[发明专利]多层布线铝互连工艺方法、铝线互连通孔及半导体产品-CN201110404077.1无效
发明人：张国伟;陈建国 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层布线铝互连的工艺方法、铝线互连的通孔及半导体产品，其中方法包括：对已在接触孔中形成钨塞的晶片进行钨回刻，去除接触孔之外的金属钨；所述钨塞连通下层金属铝；在经过钨回刻的晶片表面溅射导通材料层铝线互连通孔的结构包括：下层金属铝、钨塞、金属钛层和上层金属铝。本发明在钨回刻步骤之后增加溅射金属钛层的步骤，由于作为导通材料层例如金属Ti层的阶梯覆盖率较高，与钨塞和上层金属铝之间的粘附性较好，提高了上下铝金属互连通孔的可靠性，有效地降低了上层和下层铝金属的接触电阻，钨塞的导通电阻由此变的更为稳定。
多层布线互连工艺方法半导体产品

[发明专利]生态弹药-CN201280038241.4无效
发明人：弗朗西斯科·哈维尔·佩雷斯特鲁希略;玛丽亚·皮拉尔·耶罗德本戈瓦;玛丽亚·伊莎贝尔·拉桑塔卡拉斯科;玛尔塔·特赫罗加西亚;艾托尔·雷博内特;安格尔·加布里埃尔·费尔南德斯迪亚兹-卡拉莱罗 -专利权人：西班牙狩猎联合会
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C22C32/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造生态弹药的复合材料，其特征在于包括：a)由锌铋合金、锌铝合金、锡铋合金或锌锡合金和选自铝、铋及其组合的金属组成的金属基体和b)分布于其中的强化金属颗粒，其选自钨、铁钨、碳化铁钨、碳化钨、氧化钨和氧化铁钨，所述强化金属颗粒在添加到所述金属基体之前经历氧化。
生态弹药

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