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[发明专利]一种基于铝热自蔓延-喷吹深度还原制备金属钛的方法-CN201410345905.2有效
发明人：张廷安;豆志河;张子木;刘燕;吕国志;赫冀成 -专利权人：东北大学
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C22B34/12 文献下载
摘要：一种基于铝热自蔓延-喷吹深度还原制备金属钛的方法，属于金属钛冶炼技术领域。采用铝热自蔓延还原工艺还原金红石或高钛渣得到高温熔体；然后将得到高温熔体在中频感应炉中进行保温熔炼分离，形成上层为氧化铝基熔渣层，下层为金属钛熔体层；以底吹方式向氧化铝基熔渣层喷吹CaF2-CaO预熔渣，进行渣洗精炼，然后通过惰性载气携带以底吹的方式向高温金属钛熔体层中喷吹高温钙蒸汽或高温镁蒸汽，偏心机械搅拌，进行深度还原精炼；最后将高温熔体冷却至室温除去上部的熔炼渣，得到金属钛。本发明方法实现了金属钛的低成本、短流程制备，制备出的金属钛中氧被彻底脱除，具有流程短、能耗低、操作简单等优点。
一种基于蔓延深度还原制备金属方法

[发明专利]镍金凸块的制作方法及镍金凸块组件-CN201510778810.4有效
发明人：梅嬿 -专利权人：颀中科技（苏州）有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种镍金凸块的制作方法，包括自上向下形成在晶圆和镍金凸块之间的钛或钛钨金属层和金质金属层，通过物理干蚀刻的方式自上向下去除所述凸块外侧的金质金属层，再利用湿蚀刻方式蚀刻去除所述钛或钛钨金属层，避免采用湿蚀刻方式造成原电池反应，以及所述凸块的镍材质被蚀刻过度；本发明还提供一种镍金凸块组件，包括上下依次形成预留层、金质金属层、镍质金属层的凸块，以及设置在所述凸块底部的种子金属层和衬底金属层，所述金质金属层的侧面与所述凸块的侧面在竖直方向上平齐
镍金凸块制作方法组件

[发明专利]包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法-CN201911274738.6在审
发明人： R·K·乔施;F·希勒;M·福格;O·亨贝尔;T·拉斯卡;M·米勒;R·罗思;C·沙菲尔;H-J·舒尔策;H·舒尔策;J·斯泰恩布伦纳;F·翁巴赫 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
包括金属粘附阻挡结构半导体器件及其形成方法

[发明专利]包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法-CN201710149143.2有效
发明人： R·K·乔施;F·希勒;M·福格;O·亨贝尔;T·拉斯卡;M·米勒;R·罗思;C·沙菲尔;H-J·舒尔策;H·舒尔策;J·斯泰恩布伦纳;F·翁巴赫 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
包括金属粘附阻挡结构半导体器件及其形成方法

[发明专利]钙钛矿电池组件的封装结构及其封装方法-CN202011528477.9在审
发明人：戴珊珊;王立旋;郑友伟;李晓丰;林俊良;林金锡;林金汉 -专利权人：常州亚玛顿股份有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿电池组件的封装结构及其封装方法，其中，钙钛矿电池组件的封装结构包括：基板、钙钛矿太阳能组件和封装部，基板的一端设有第一金属电极引出端，基板的另一端设有第二金属电极引出端，基板上设有导电层，导电层的一端与第一金属电极引出端相连，导电层的另一端与第二金属电极引出端之间设有非导电部，钙钛矿太阳能组件设于导电层的上部，钙钛矿太阳能组件的上部设有金属层，金属层与第二金属电极引出端通过导电部相连，封装部为具有下开口的盒体件，封装部的下开口与基板的外周缘相连，以将钙钛矿太阳能组件进行封装。该钙钛矿电池组件的封装结构及其封装方法具有结构紧凑以及封装工艺简单易操作等优点。
钙钛矿电池组件封装结构及其方法

[发明专利]金属化基板的制造方法-CN201180011815.4有效
发明人：高桥直人 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：本发明提供了金属化基板的制造方法，其可以降低金属化层的电阻值，使导电性变得良好，同时可以使该金属化层的密合性变得良好，而且可以使金属化层表面的镀覆性变得良好。所述金属化基板包括氮化物陶瓷烧结体基板、在烧结体基板上形成的氮化钛层、以及在氮化钛层上形成的含有铜、银和钛的金属层。该制造方法包括：在氮化物陶瓷烧结体基板上层叠含有铜粉和氢化钛粉的第一糊剂层从而制造第一层叠体的工序；在第一层叠体的第一糊剂层上层叠含有银和铜的合金粉的第二糊剂层从而制造第二层叠体的工序；以及，通过煅烧第二层叠体，在氮化物陶瓷烧结体基板上形成氮化钛层和金属层的工序。
金属化制造方法

[发明专利]空间传能用钙钛矿激光电池的制备方法-CN202210106788.9在审
发明人：邵宇川;丁国育;郑毅帆;郭鑫;张国栋;李清源 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种空间传能用钙钛矿激光电池，所制备的空间传能用钙钛矿激光电池由衬底、透明导电层、第一金属层、空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子传输层和第二金属层依次连接而成。通过优化的光学和结构设计，在第一金属层和第二金属层间形成谐振腔，进而整体器件针对空间800～810nm传能波长有着超高的响应。本发明提出的空间传能用钙钛矿激光电池，可以稳定的提高激光传能系统的整体效率。
空间能用钙钛矿激光电池制备方法

[发明专利]形成导电层的方法-CN201910465396.X在审
发明人：刘冲;吴继科;曹秀亮;丁同国 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成导电层的方法，形成导电层的步骤包括：首先在衬底上形成介电层，然后采用物理气相沉积工艺形成第一金属层，接着在所述第一金属层上形成第一氮化钛层，最后在所述第一氮化钛层上形成第二金属层，其中，所述第一金属层、第一氮化钛层及第二金属层构成导电层，通过物理气相沉积工艺形成的第一金属层的晶粒生长方向趋于一致，从而使得所述第一金属层上的所述第一氮化钛层及第二金属层中各层的晶粒生长方向均趋于一致且晶粒交界处缝隙减小，从而减小了所述导电层的表面粗糙度，避免了后续刻蚀所述导电层及部分厚度的所述介电层时所述介电层上形成凸起缺陷，提高了产品良率。
导电层第一金属层氮化钛层第二金属层介电层晶粒生长方向物理气相沉积减小表面粗糙度产品良率凸起缺陷晶粒交界处衬底刻蚀

[发明专利]一种高稳定性的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202211206634.3在审
发明人：王海桥;尹志鹏;王维燕;刘洋 -专利权人：浙大宁波理工学院
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H10K30/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种高稳定性的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明公开了一种高稳定性的钙钛矿太阳能电池，所述钙钛矿太阳能电池依次包括导电基层、空穴传输层、钙钛矿活性层、全面积电子传输层、非金属顶电极层；所述全面积电子传输层的面积等于钙钛矿活性层的面积；所述全面积电子传输层的面积大于非金属顶电极层的面积；非金属顶电极层边界与电子传输层边界的距离为0.1‑3.0mm。
一种稳定性钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种氮化钛基电阻层的制备方法-CN202310431296.1在审
发明人：冯昊;张王乐;龚婷;秦利军;李建国;惠龙飞;房佳斌;李丹;胡逸云 -专利权人：西安近代化学研究所
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化钛基电阻层的制备方法，该方法采用原子层沉积法循环多个周期，每个周期内包括氮化钛沉积循环工艺和金属氧化物沉积循环工艺；或每个周期内包括氮化钛沉积循环工艺和金属氮化物沉积循环工艺。氮化钛基电阻层的厚度为20nm～80nm，氮化钛基电阻层的电阻值在0.01MΩ～500MΩ范围内能够调节。本发明的制备方法首次将金属氧化物或金属氮化物掺杂制备电阻值可控的电阻层薄膜。本发明的制备方法通过调节氮化钛及金属氮化物或氧化物掺杂比例，可获得厚度精确可控、电阻值大小精确可调的致密且均匀薄膜。
一种氮化电阻制备方法

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202210009298.7在审
发明人：何凤琴;梁瑜芯;李慧;刘英;侯雯文 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：提供了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述制备方法包括：在透明衬底上形成金属阳极；其中，所述金属阳极为网格型金属电极；在金属阳极上形成空穴收集层；在空穴收集层上形成空穴传输层；在空穴传输层上形成钙钛矿光吸收层；在钙钛矿光吸收层上形成电子传输层；在电子传输层上形成金属阴极，以获得所述钙钛矿太阳能电池。本发明所提供的钙钛矿太阳能电池的制作方法，采用网格型金属电极代替由透明导电氧化物形成的透明电极，网格型金属电极的延展性较好，且具有较低的电阻率以及较高的透光率，此外，该网格型金属电极的制备成本较低，重复性好
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种钛真空保温容器的抽真空结构-CN202020281383.5有效
发明人：张威男 -专利权人：张威男
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： A47J41/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种钛真空保温容器的抽真空结构，属于容器制造技术领域。它解决了现有技术中存在固态玻璃胶和钛金属外杯体容易脱落等技术问题。本钛真空保温容器的抽真空结构，包括钛金属或钛合金制成的钛板，钛板的中部具有出气孔，钛板的底部设有铝金属或铝合金或不锈钢制成的金属板，金属板与钛板的底部之间通过铝层或钛焊膏层连接固连；金属板的中部具有与出气孔相对应的通孔
一种真空保温容器结构

[发明专利]一种银钛复合功能层低辐射节能玻璃及其制备方法-CN201410088397.4有效
发明人：刘战合;周钧;敖巍巍;韩汇如 -专利权人：江苏汇景薄膜科技有限公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种银钛复合功能层低辐射节能玻璃及其制备方法，银钛复合功能层低辐射节能玻璃主要包含玻璃基片、阻挡层、第一氧化铟锡膜层、银钛基复合功能层、第二氧化铟锡膜层、保护层。银钛复合功能层采用金属银层和金属钛层共同实现低辐射率、高可见光透光率、高红外反射率，银层主要实现低电阻，提高红外反射率，金属钛层可进一步降低面电阻的同时保护银层不被污染；相对传统银基低辐射节能玻璃，本发明具有耐候性强
一种复合功能辐射节能玻璃及其制备方法

[发明专利]包埋钛或钛合金金属团蔟的金属陶瓷薄膜-CN200410097125.7无效
发明人：邹定国;赵平;潘明君;吴典华 -专利权人：邹定国;赵平;潘明君;吴典华
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明涉及包埋钛或钛合金金属团蔟的金属陶瓷薄膜，属于太阳能选择性吸收涂层技术领域。该金属陶瓷薄膜由依次在基体上溅射的铜(Cu)或钛(Ti)反射层、氮化钛包埋钛或钛合金金属团簇(Ti－－TiN)吸收层和氮化钛(TiN)减反射层组成。本发明采用的钛或钛(Ti)合金的熔点均大于1570℃，使得复合金属陶瓷薄膜吸收层、反射层和减反射层的热稳定性好，长期使用于超过300℃的条件下不会发生变化，因此成为在中高温太阳能真空集热管中可以应用的太阳能选择性吸收涂层，其热稳定性远优于以铝作为反射材料、以氮化铝为包埋层和减反射层的太阳能选择性吸收涂层并可以与包埋非反应金属团簇的太阳能选择性吸收涂层相媲美。
包埋钛合金金属金属陶瓷薄膜

[发明专利]一种具有改进型金属电极的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202011468912.3在审
发明人：秦校军;赵志国;赵东明;肖平;董超;熊继光;刘娜;刘家梁;王百月;冯笑丹;梁思超;王森;张杰 -专利权人：华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开的一种具有改进型金属电极的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件技术领域。首先在高透玻璃层上制备透明电极层，在透明电极层上制备形成电子传输层，在电子传输层上制备钙钛矿活性层，在钙钛矿活性层上制备空穴传输层，得到钙钛矿电池主体；在背板基底上采用物理沉积发进行可图案化的批量制备，沉积完成后按照钙钛矿电池主体部分的形状和电路进行切割得到金属电极层，在金属电极层上制备阻隔层，得到电极主体；将钙钛矿电池主体与电极主体对准叠合，热处理后缓慢冷却至室温，得到具有改进型金属电极的钙钛矿太阳能电池
一种具有改进型金属电极钙钛矿太阳能电池及其制备方法