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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110695477.6在审
发明人：布兰卡·玛佳丽·科佩;王佳敏;阿什瓦蒂·艾耶;克里斯·刘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体结构从底部至顶部或从顶部至底部包括栅电极、铁电介电层、富金属的金属氧化物层、介电金属氮化物层和金属氧化物半导体层。可以通过在金属氧化物半导体层上形成源极区域和漏极区域来提供铁电场效应晶体管。富金属的金属氧化物层和介电金属氮化物层使铁电介电层和金属氧化物半导体层之间的界面均匀并且稳定，并且减少界面处的过量氧原子，从而改善铁电场效应晶体管的切换特性。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]多阶段离子化金属电浆制程-CN02122001.8有效
发明人：章越;徐锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2002-05-28 - 公布日： 2003-12-24 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明提供一种多阶段离子化金属电浆(IMP)制程，包括下列两阶段。在第一阶段中，利用金属电浆且仅使用直流电源沉积第一导电金属层于开口中。在第二阶段中，利用离子化金属电浆且使用直流电源、无线电频率电源、和无线电频率偏压源沉积第二导电金属层于第一导电金属层上。
阶段离子化金属电浆制程

[发明专利]半导体器件、金属-绝缘体-金属电容器结构及形成方法-CN202310347054.4在审
发明人：萧远洋;沈香谷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本文公开了用于金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的通孔阵列配置。示例性MIM电容器结构包括电容器底部金属层、位于电容器底部金属层上方的第一介电层、位于第一介电层上方的电容器中部金属层、位于电容器中部金属层上方的第二介电层以及位于第二介电层上方的电容器顶部金属层。具有第一金属通孔和第二金属通孔的金属通孔阵列被连接到电容器顶部金属层和电容器底部金属层。电容器顶部金属层的部分覆盖从第一金属通孔延伸到第二金属通孔的第二介电层的区域。本发明的实施例还提供了半导体器件和形成金属‑绝缘体‑金属电容器结构的方法。
半导体器件金属绝缘体电容器结构形成方法

[发明专利]一种半导体元件-CN202011604707.5在审
发明人：孔祥波;孔德锦;邵红旭;欧阳锦坚;李小军;管仁刚;谈文毅 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其主要包含第一金属间介电层设于基底上，第一金属内连线设于该第一金属间介电层内，一下电极设于该第一金属间介电层以及该第一金属内连线上并接触该第一金属间介电层以及该金属内连线，一阻抗感测元件设于该下电极上以及一上电极设于该阻抗感测元件上
一种半导体元件

[发明专利]集成电路结构-CN200710180146.9有效
发明人：陈宪伟;蔡豪益;郑心圃;许仕勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-10-10 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种集成电路结构，包括一半导体底材、一介电层、一金属熔丝、一无功能样品图案及一金属线。该介电层成形于该半导体底材上。该金属熔丝成形于该介电层中。该无功能样品图案邻接于该金属熔丝。该金属线成形于该介电层中。该金属熔丝的厚度小于该金属线的厚度。
集成电路结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810185755.8无效
发明人：尹基准 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：在半导体衬底上形成螺旋形的金属导线；通过选择性地刻蚀第一介电膜来形成暴露部分金属导线的连接孔，其中该第一介电膜被形成用来掩埋金属导线，以及在第一介电膜上形成第一金属膜，其中在该第一介电膜上形成有连接孔；在第一金属膜上形成第二介电膜；在第二介电膜上形成第一光刻胶图样，其中该第一光刻胶图样用于形成与螺旋形的金属导线相对应的第二金属导线，以及通过使用第一光刻胶图样作为刻蚀掩膜来选择性地刻蚀第二介电膜和第一金属膜以形成第二金属导线；其中第二介电膜防止了对第二金属导线顶部的刻蚀，该刻蚀是由于第一光刻胶图样和第一金属膜之间的刻蚀速率不同而引起的。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种恒压电池-CN201620327395.0有效
发明人：龙翔;叶凯;官洞山;林桂添;张菊花;李晓波 -专利权人：深圳市倍特力电池有限公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：一种恒压电池，涉及电池技术领域，包括金属外壳、电芯、第一线路板、第二线路板以及金属帽盖，金属外壳的前端设置有开口，电芯由该开口插装在金属外壳内部，金属帽盖匹配于金属外壳的前端开口，电芯的两个接线端分别通过导线连接于第二线路板上，在第一线路板上设置有充电电路以及保护电路，第二线路板上设置有升降压电路，该升降压电路用于：当电芯电压高于额定输出电压时，对电芯输出电压进行降压处理，当电芯电压低于额定输出电压时，对电芯输出电压进行升压处理；两线路板均内置于金属外壳中，电路正极端经金属片与金属帽盖点焊连接，电路负极端经金属片与金属外壳电性导通。
一种压电

[发明专利]更快速地切换低缺陷电致变色窗-CN201680023096.0在审
发明人：罗伯特·T·罗兹比金;安舒·A·普拉丹;斯里达尔·凯拉萨姆;罗宾·弗里德曼;戈登·杰克;丹恩·吉拉斯皮耶 -专利权人：唯景公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： G02F1/153 文献下载
摘要：本发明提供了电致变色器件，所述电致变色器件包括第一导体和第二导体，其中所述第一导体和所述第二导体中的至少一者是多层导体。所述电致变色器件还包括电致变色堆叠，所述电致变色堆叠在与基板相邻的所述导体之间。所述至少一个多层导体包括金属层，所述金属层夹在第一非金属层与第二非金属层之间，使得所述金属层不会接触所述电致变色堆叠。
快速切换缺陷变色

[发明专利]动态随机存取存储器的电容的制造方法-CN98118552.5有效
发明人：罗吉进;杜友伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 1998-09-01 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种制造MIM结构的电容器的方法包括在基底上形成第一介电层；在介电层上形成接触开口；形成第一金属层覆盖于第一介电层上与接触开口之中；在此金属层上依次形成阻挡层、第二介电层、不连续的半球形颗粒的多晶硅层；蚀刻第二介电层；去除多晶硅层；蚀刻阻挡层与第一金属层；去除第二介电层；对已限定的阻挡层与第一金属层构图与蚀刻；形成第三介电层覆盖阻挡层、第一金属层与第一介电层；在第三介电层上形成第二金属层。
动态随机存取存储器电容制造方法

[发明专利]半导体封装件和方法-CN201810584283.7有效
发明人：陈威宇;苏安治;叶德强;黄立贤;叶名世 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：在实施例中，一种器件包括：集成电路管芯；位于集成电路管芯上方的第一介电层；延伸穿过第一介电层以电连接至集成电路管芯的第一金属化图案；位于第一金属化图案上方的第二介电层；延伸穿过第二介电层的凸块下金属；位于二介电层和凸块下金属的部分上方的第三介电层；密封第三介电层和凸块下金属的界面的导电环；以及延伸穿过导电环的中心的导电连接件，导电连接件电连接至凸块下金属。
半导体封装方法

[发明专利]接触结构-CN201810455915.X在审
发明人：李颖;戴贤明;黄健铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：所述接触结构包含第一金属层和第二金属层。所述第一金属层设置在第一介电层中。所述第二金属层设置在第二介电层中并延伸到所述第一介电层中以电连接所述第一金属层，其中所述第一金属层和所述第二金属层包含不同金属。
第一金属层第二金属层接触结构介电层半导体器件电连接金属延伸

[发明专利]具有金属间介电图案的半导体元件及其制作方法-CN202111318146.7有效
发明人：郭彬;顾海龙;黄清俊;谈文毅 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开一种具有金属间介电图案的半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件主要包含一图案化金属层设于基底上、多个接触洞导体设于图案化金属层上、多个第一金属间介电图案镶嵌于图案化金属层内以及一第二金属间介电图案环绕该图案化金属层，其中第一金属间介电图案在一上视角度下设于接触洞导体之间且不重叠接触洞导体。
具有金属间介电图案半导体元件及其制作方法

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN02120373.3有效
发明人：刘光文;黄仲文;吕瑞霖 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-05-23 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：一种存储器装置及其制造方法，该装置包括存储器基板、绝缘层、阻挡金属层、第二介电层及第二金属层。存储器基板包括基板、存储单元区、外围电路区、第一介电层及第一金属层，存储单元区与外围电路区形成于基板，第一介电层形成于存储单元区与外围电路区，第一金属层形成于第一介电层，绝缘层形成于未被第一金属层覆盖的第一介电层上，阻挡金属层形成于存储单元区上方的绝缘层，第二介电层形成于阻挡金属层、未被阻挡金属层覆盖的绝缘层及未被阻挡金属层与绝缘层覆盖的第一金属层，第二金属层形成于第二介电层。本发明是于绝缘层形成阻挡金属层，能利用阻挡金属层挡住等离子体电荷，避免电荷被捕捉在存储单元栅极，提高元件的稳定性及可靠度。
存储器装置及其制造方法

[实用新型]一种电蚊纱窗-CN202320291314.6有效
发明人：刘金成;郭彦书;刘文;刘彩云;牛晓曼 -专利权人：刘金成
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： E06B9/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电蚊纱窗，属于电蚊纱窗领域，包括安装在窗框上的纱窗框和固定安装在纱窗框上的金属窗纱，所述金属窗纱的两侧分别安装金属防护网；所述纱窗框上设置有内置升压电路的电源、遇水断开的电接点开关、兼做窗把手的压敏开关和充电插座；所述电源与电接点开关、压敏开关、金属窗纱以及金属防护网电连接形成控制回路；所述电源与充电插座电连接；当金属窗纱接电源正极时，金属窗纱两侧的金属防护网接电源的负极；当金属窗纱接电源负极时，金属窗纱两侧的金属防护网接电源的正极。本实用新型能够在金属窗纱和其两侧的金属防护网间产生高电压，同时静电场产生较强的吸附力，当蚊、蝇等害虫在电蚊纱窗上驻留时，会被短路电流电毙。
一种纱窗

[发明专利]半导体封装件和方法-CN201810609924.X有效
发明人：黄子松;林修任;蔡豪益;曾明鸿;江宗宪;郭庭豪;林彦良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：在实施例中，器件包括：背侧再分布结构，背侧再分布结构包括：金属化图案，位于第一介电层上；以及第二介电层，位于金属化图案上；通孔，穿过第一介电层延伸以接触金属化图案；集成电路管芯，邻近第一介电层上的通孔；模塑料，位于第一介电层上，模塑料密封通孔和集成电路管芯；导电连接件，穿过第二介电层延伸以接触金属化图案，导电连接件电连接至通孔；以及金属间化合物，位于导电连接件和金属化图案的界面处，金属间化合物仅部分地延伸至金属化图案内
半导体封装方法

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