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[发明专利]具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构及其形成方法-CN02106071.1有效
发明人：林友民;侯拓宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-04-10 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构及其形成方法，该复晶硅栅间介电层结构至少包括：至少一第一金属氧化层，其中该第一金属氧化层为氧与三价金属所组成的氧化物；至少一第二金属氧化层，其中该第二金属氧化层为氧与三价金属所组成的氧化物；及至少一第三金属氧化层，其中该第三金属氧化层位于该第一金属氧化层与该第二金属氧化层之间，而该第三金属氧化层中所含的金属包含Zr、Hf、Ti或Ta；而该复晶硅栅间介电层的结构的形成方法至少包括下列步骤：形成一第一三价金属氧化层于一复晶硅层上；形成一金属氧化层于该第一三价金属氧化层上；及形成一第二三价金属氧化层于该金属氧化层上。
具有介电常数复晶硅栅间介电层结构及其形成方法

[发明专利]显示面板-CN202211272822.6有效
发明人：黄嘉辉;江志雄;王强;弓程;余明爵;蔡志辉 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板，包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：栅极；源极和漏极；以及金属氧化物层，对应栅极设置，包括：下金属氧化物层，下金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物；以及上金属氧化物层，与下金属氧化物层叠置且位于下金属氧化物层靠近源极和所述漏极的表面上，源极和漏极与上金属氧化物层连接，上金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物，上金属氧化物层包括多晶相。金属氧化物层包括下金属氧化物层和上金属氧化物层，下金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物，有利于包括下金属氧化物层的薄膜晶体管实现高迁移率，上金属氧化物层包括多晶相，有利于提高包括上金属氧化物层的薄膜晶体管稳定性
显示面板

[发明专利]一种多元复合金属氧化物催化剂催化制备间苯二酚的方法-CN201710443833.9有效
发明人：张金军;禚林海 -专利权人：泰山学院
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种多元复合金属氧化物催化剂催化制备间苯二酚的方法，多元复合金属氧化物为氧化镍与其他金属氧化物复合的氧化物，并且氧化物中附着有贵金属的纳米颗粒，多元复合金属氧化物中其他金属氧化物的质量分数为5～20％，贵金属的质量分数为0.5～2.0％；其中，其他金属氧化物为三氧化二铁、五氧化二钒、氧化铜、氧化镁、氧化钙、氧化钾、氧化钠、氧化锆、氧化锡、氧化锌、氧化钴、氧化铅、氧化铋、氧化铝、氧化钛、氧化锰、氧化铷、氧化锶、氧化钯、氧化铑、氧化钡、氧化银或氧化铂；贵金属为金、铂、钯、银、钌、锇或铱。该类复合金属氧化物在间苯二甲酸液相合成间苯二酚工艺中具有催化性能，间苯二酚收率最高可达30.4％。
一种多元复合金属氧化物催化剂催化制备间苯二酚方法

[发明专利]还原氧化石墨烯-金属/金属氧化物功能复合材料、制备方法及其应用-CN202110262074.2有效
发明人：陈春;李涛;韦革宏;胡莹玮;花俊文;张希珂;郭璐璐;王攀;秦培岩 -专利权人：西北农林科技大学
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： A01N59/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种还原氧化石墨烯‑金属/金属氧化物功能复合材料，涉及抗菌纳米材料技术领域。所述复合材料包括还原氧化石墨烯及金属或金属氧化物；所述还原氧化石墨烯与所述金属或金属氧化物的质量比为1：3.5～4.5；所述金属为银：所述金属氧化物为氧化锌或氧化铜。本发明以氧化石墨烯为原料，通过一步水热法原位制备还原氧化石墨烯‑金属/金属氧化物功能复合材料，提高了石墨烯及金属或金属氧化物在水中的分散性以及协同抗菌性能，成本低，方法简便，对大豆疫霉的抑制效应显著。
还原氧化石墨金属氧化物功能复合材料制备方法及其应用

[发明专利]制备高浓度金属氧化物层的方法以及由此制造的层-CN200880105894.3无效
发明人：安德鲁·B·博查尔斯利;布伦特·W·柯比;戴维·道林 -专利权人：应用半导体国际有限公司;普林斯顿大学理事会
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C23F13/00 文献下载
摘要：用于制造氧化物层的方法包括使金属表面氧化，其中所述金属表面与电子控制单元(ECU)电连接；其中，与通过在没有ECU下使所述金属表面氧化所制造的金属氧化物层中存在的金属的量相比，所制造的金属氧化物层具有更高的存在于所述金属氧化物层的金属量；或者使可氧化的非金属导电表面氧化，其中所述可氧化的非金属导电表面与电子控制单元(ECU)电连接；其中所制造的氧化物层比通过在没有ECU下使所述可氧化的非金属导电表面氧化制造的层具有更高浓度；以及由此所制造的金属氧化物层
制备浓度金属氧化物方法以及由此制造

[发明专利]生产金属氧化物和有机金属氧化物组合物的方法-CN98805503.1无效
发明人：肯尼思·C·凯勒特;道格拉斯·M·史密斯;威廉·C·阿克曼;史蒂芬·华莱士;戴维·J·考尔 -专利权人：卡伯特公司
申请日： 1998-04-09 - 公布日： 2000-06-28 - 主分类号： C01B33/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种用速度调节干燥剂从金属氧化物和有机金属氧化物前体中生产金属氧化物和/或有机金属氧化物组合物的方法。该方法使得可从大量广泛的金属氧化物和有机金属氧化物前体(包括金属卤化物和有机金属卤化物)中生产金属氧化物和/或有机金属氧化物组合物。
生产金属氧化物有机组合方法

[发明专利]一种陶瓷及其制备方法和电磁炉用陶瓷锅-CN201810497413.3在审
发明人：屈雪平;曹达华;黄宇华;杨玲 -专利权人：佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： C04B35/19 文献下载
摘要：该陶瓷含有第一碱金属氧化物、第二碱金属氧化物、碱土金属氧化物、氧化铝和氧化硅，其中，第一碱金属氧化物为氧化锂，第二碱金属氧化物为除氧化锂以外的碱金属氧化物，以陶瓷的总量为基准，第一碱金属氧化物的含量为2重量％以上，第二碱金属氧化物的含量为4重量％以下，碱土金属氧化物的含量为1.5重量％以下。本发明通过控制陶瓷中碱金属氧化物和碱土金属氧化物的质量百分数，提高了陶瓷的耐干烧性。
碱金属氧化物陶瓷碱土金属氧化物电磁炉陶瓷锅氧化锂制备质量百分数家电领域氧化硅氧化铝干烧

[发明专利]解聚方法-CN201680009811.5有效
发明人：罗伯特·巴尔泰克;巴赫曼·雷加 -专利权人：克里斯能量有限公司
申请日： 2016-02-09 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C10G27/00 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：使碳质原料的混合物与包含处于第一较高氧化态的金属的金属氧化物反应，以通过从金属氧化物中释放至少一个氧原子将金属氧化物的金属还原成第二较低氧化态。从金属氧化物释放的氧被用于氧化碳质原料。然后，将至少一部分金属或含有处于第二较低氧化态的金属的金属氧化物氧化成含有处于第一较高氧化态的金属的金属氧化物，以在反应步骤中重新使用。
解聚方法

[发明专利]用于烃纯化的方法-CN201780033879.1在审
发明人： A·凯孔;A·卡玛福;A·旺莉亚 -专利权人：艾斯希吉化工有限公司
申请日： 2017-05-29 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C07C7/148 文献下载
摘要：本发明涉及烃纯化方法，包括使烃混合物与混合金属氧化物吸附剂接触，其中所述混合金属氧化物吸附剂包含：a)第一金属的氧化物，所述第一金属选自氧化态为+1的金属、氧化态为+2的金属，以及它们的混合物；和b)第二金属的氧化物，所述第二金属选自氧化态为+3的金属、氧化态为+4的金属，以及它们的混合物。
金属混合金属氧化物混合物金属选烃纯化吸附剂氧化态自氧化氧化物烃混合物

[发明专利]形成金属氧化物层图案的方法及制造半导体装置的方法-CN200810127783.4无效
发明人：朴玟俊;姜昌珍;金东贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-02-15 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了形成金属氧化物层图案的方法及制造半导体装置的方法。在基板上形成金属氧化物层图案的方法包括：在基板上提供初步金属氧化物层；蚀刻该初步金属氧化物层以提供初步金属氧化物层图案，其线宽在垂直向下的方向上逐渐增加；以降低该初步金属氧化物层图案的下部线宽的方式蚀刻该初步金属氧化物层图案，形成金属氧化物层图案。制造半导体装置的方法包括在基板上形成金属氧化物层和第一导电层；蚀刻该金属氧化物层以提供初步金属氧化物层图案，其线宽在垂直向下的方向上逐渐增加；蚀刻该第一导电层以提供第一导电层图案；和以降低该初步金属氧化物层图案的下部线宽的方式蚀刻该初步金属氧化物层图案，以提供金属氧化物层图案。
形成金属氧化物图案方法制造半导体装置

[发明专利]金属氧化膜-CN201780020114.4在审
发明人：安德鲁·西尔;彼得·爱德华兹;乔纳森·迪尔沃思;弗拉基米尔·库兹涅佐夫;凯瑟琳·海斯 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C03C17/10 文献下载
摘要：一种制备金属氧化膜的方法，包括：提供含有金属络合物的前体溶液或分散液；在有水的情况下，将前体溶液喷射到加热基底上，以在基底上沉积材料；以及对所述沉积材料进行干燥，以制备金属氧化膜。
金属氧化膜沉积材料前体溶液基底制备金属络合物分散液加热喷射

[发明专利]玻璃基板与金属基板的结合方法-CN201310336906.6在审
发明人：张仁淙 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明提供一种玻璃基板与金属基板的结合方法，其包括以下步骤：提供一玻璃基板，在所述玻璃基板的一侧镀设一层金属氧化物薄膜；提供一金属基板，在所述金属基板的一侧放置多个金属氧化物颗粒；将镀设有所述金属氧化物薄膜的玻璃基板放置在所述金属基板上，使所述金属氧化物薄膜与所述金属氧化物颗粒相接触；透过所述玻璃基板对所述金属氧化物颗粒进行激光聚焦加热，使熔化后的金属氧化物颗粒融合在所述金属氧化物薄膜和所述金属基板之间。本发明提供的玻璃基板通过融合在金属氧化物薄膜与金属基板之间的金属氧化物颗粒与金属基板相结合，从而有效提高了玻璃基板与金属基板之间的结合稳定性。
玻璃金属结合方法

[发明专利]半导体材料及包含其的半导体结构-CN202210992574.6在审
发明人：蔡明志 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体材料，所述半导体材料包括：金属；第一金属氧化物，包覆金属，其中第一金属氧化物为金属青铜类氧化物；第二金属氧化物，包覆第一金属氧化物；及另一第一金属氧化物，包覆第二金属氧化物。
半导体材料包含半导体结构

[发明专利]可溶性金属氧化物和金属氧化物溶液-CN200480039137.2有效
发明人： P·D·克宁翰;J·麦克马纳斯 -专利权人：高尔韦爱尔兰国立大学
申请日： 2004-11-22 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： C09C3/08 文献下载
摘要：本发明涉及可溶性的金属氧化物和混合金属氧化物，并且涉及包含金属氧化物和混合金属氧化物的溶液。本发明进一步涉及制备可溶性金属氧化物和可溶性混合金属氧化物的方法，并且另外涉及一种用于改进可溶性金属氧化物的溶解性的方法。该金属氧化物、混合金属氧化物及其溶液具有许多应用，并且特别适合用作催化剂以及用作用于形成金属薄膜的前体。
可溶性金属氧化物溶液

[发明专利]一种金属氧化物叠层场效应电极-CN201810695140.3有效
发明人：吕正红;张涛;王登科 -专利权人：云南大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物叠层场效应电极。该金属氧化物叠层场效应电极包括多个金属条和金属氧化物叠层薄膜，金属氧化物叠层薄膜的第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度大于3eV；第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；第一金属氧化物薄膜、所述第二金属氧化物薄膜和所述第三金属氧化物薄膜的厚度小于或等于采用本发明的金属氧化物叠层场效应电极，具有光透过率高、场致导电性能好的优点。
金属氧化物薄膜金属氧化物禁带电极场效应叠层叠层薄膜导电性能光透过率金属条场致

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