专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]金属多孔体及使用该金属多孔体的电池用电极、以及金属多孔体的制法-CN201010557380.0有效
  • 土田齐;齐藤英敏;西村淳一 - 富山住友电工株式会社
  • 2010-11-19 - 2011-07-27 - H01M4/70
  • 本发明提供一种使其中残留的碳降低从而使品质大幅提高的片状金属多孔体,其通过以树脂多孔体为骨架并实施导电化处理后,实施金属镀敷、并且至少实施热处理而获得,所述热处理包括在氧化性气氛下加热的第一工序和在还原氛下加热的第二工序,该还原氛由第一还原体和第二还原体构成,各还原体被分别供给到第二工序的热处理室中,其中第一还原体以氢气或氢气与惰性气体的混合气体为主,第二还原体在第一还原体中添加H2O而获得;在第二工序中,将第二还原体加入到热处理室的连续地加入金属多孔体一侧的开口部附近,并将第一还原体加入到热处理室的连续地排出金属多孔体一侧的开口部附近。
  • 金属多孔使用电池用电以及制法
  • [发明专利]高温还原体的净化方法-CN90100015.9无效
  • 末弘贡;濑户彻;光冈薰明;井上健治 - 三菱重工业株式会社
  • 1990-01-04 - 1994-01-19 - C01B17/04
  • 本发明是关于高温还原体净化方法,其特征在于(1)利用干式法用吸收剂映收除去高温还原体中所含的硫化物的高温还原体的净化方法中,将还原体供给再生系统(包括用吸收剂吸收上述硫化物的吸收系统及该吸收剂的再生系统)放出的含亚硫酸气体中,使这种混合气体通入装填有催化剂的反应器在加压条件下使该亚硫酸气体与该还原本反应,直接生成单质硫以液体硫的形式回收。(2)将亚硫酸气体与还原体反应的反应器的催化剂层分为数层,或者将该层分为数段,其间设置热交换器、硫冷凝器,在上述反应过程中进行亚硫酸气体和还原体的温度调节,以除去由该反应所生成的硫。
  • 高温原性气体净化方法
  • [实用新型]磁化焙烧还原氛制备装置及铁矿闪速磁化焙烧系统-CN201320236121.7有效
  • 黄恒升;李永恒;高泽斌 - 湖南长拓高科冶金有限公司
  • 2013-05-03 - 2013-11-13 - C22B1/02
  • 本实用新型公开了一种磁化焙烧还原氛制备装置及铁矿闪速磁化焙烧系统,包括:煤粉燃烧室及设置在煤粉燃烧室上端的煤粉燃烧器,煤粉燃烧室设有高温烟气出口及位于煤粉燃烧室底部的第一排渣口;烟气混合室,包括与高温烟气出口相连通的高温烟气入口、还原体入口、还原氛出口及设置在烟气混合室底部的第二排渣口;还原体入口位于高温烟气入口的上方;还原氛出口接入铁矿闪速磁化焙烧系统。本实用新型将煤粉燃烧室和烟气混合室分室设置,避免装置内结块积焦,使得燃烧过程稳定,保证了温度及氧含量稳定的高温烟气进入烟气混合室内与焙烧系统的尾气及还原体进行混合,得到稳定的还原氛。
  • 磁化焙烧原性气氛制备装置铁矿系统
  • [发明专利]氧化硅膜的成膜方法以及成膜装置-CN200510084288.6有效
  • 长谷部一秀 - 东京毅力科创株式会社
  • 2005-07-15 - 2006-02-15 - H01L21/316
  • 一种成膜方法,在能够选择性地供给含硅气体、氧化性气体以及还原体的处理区域之内,利用CVD在具有金属表面的被处理基板之上形成氧化硅膜。该成膜方法交互具有第一至第四工艺。在第一工艺中,向处理区域供给含硅气体,而停止向处理区域供给氧化性气体以及还原体。在第二工艺中,停止向处理区域供给含硅气体、氧化性气体以及还原体。在第三工艺中,同时向处理区域供给氧化性气体以及还原体,而停止向处理区域供给含硅气体。在第四工艺中,停止向处理区域供给含硅气体、氧化性气体以及还原体。
  • 氧化方法以及装置
  • [发明专利]利用合成气直接还原铁矿石的方法和设备-CN200880017379.X有效
  • J·O·贝塞拉-诺沃亚;P·-E·杜亚特-埃斯卡雷诺;E·津德亚斯-马丁内斯 - 伊尔技术有限公司
  • 2008-05-14 - 2010-06-23 - C21B13/00
  • 本发明涉及用于通过还原块或丸形式的铁矿石生产金属化产品(DRI)的直接还原装置,其中DRI反应器中使用的还原体包含酸性气体例如含硫化合物和二氧化碳。补充还原体一般通过在高压下部分氧化烃(合成气)制得,同时DRI反应器通常在低压下工作。从DRI反应器中流出的还原体物流(顶部气体),经过冷却和脱水之后,其压力水平增加到所述合成气的压力水平,由此得到的循环还原体与补充合成气组合,并在单一的酸性气体吸收单元中处理,以形成清洁的、提升的还原体的组合物流,该组合物流随后在涡轮机中膨胀,以使组合的还原体压力降低到DRI反应器的压力水平,之后加热到优选高于950℃的温度,然后用于DRI反应器中用于生产所述DRI。用于增加初始冷却循环气体压力的压缩机使用的能量来自于膨胀涡轮机(用于降低高压组合的还原体的压力)。
  • 利用合成气直接还原铁矿石方法设备
  • [发明专利]深沟槽清洗方法-CN202210597565.7在审
  • 蔡亚果;张小龙;赵春山;张武志;曹亚民 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-05-30 - 2022-09-06 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种深沟槽清洗方法,其用于背照式图像传感器制作工艺,通过改变干法刻蚀清洗环境修复深沟槽表面的损伤,在执行所述干法刻蚀时通过增加还原体流量和比例修复深沟槽表面的损伤。还原体通过可产生还原体的前驱体产生,在执行所述干法刻蚀时通过标定深沟槽表面逐步增加还原体流量和比例修复深沟槽表面的损伤。本发明通过在进行背照式图像传感器深沟槽清洗时,改变干法刻蚀清洗环境修复深沟槽表面的损伤,增加Dry strip中还原体流量和比例修复深沟槽表面的损伤,降低缺陷密度,从而降低白像素形成。通过实验证明,本发明通过增加还原体流量,白像素P50可改善20~25%,P95改善10~20%。
  • 深沟清洗方法
  • [实用新型]一种镓镁或铟镁合金合成炉-CN201320841090.8有效
  • 冯先达;黄和明 - 南京中锗科技股份有限公司
  • 2013-12-19 - 2014-06-25 - F27B14/04
  • 本实用新型一种镓镁或铟镁合金合成炉,包括箱体、炉体、真空系统、电源系统和控制柜,所述炉体架设在所述箱体上,所述电源系统通过电缆与所述控制柜相连,所述控制柜通过导线与所述箱体的内加热系统连接,所述真空系统包括真空泵、过滤器和还原体进气阀,所述真空泵和过滤泵依次通过管道与所述炉体连接,所述过滤器和所述炉体的连接管道上设有还原体进气阀;本实用新型在传统真空合成炉的基础上,在真空环境中冲入还原体,以还原体置换出空气,故金属在还原体环境中即使高温也不会挥发,还原体也避免了氧化现象的发生,得到的产品合金成分符合工艺要求,合格率大大提高。
  • 一种镁合金合成

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