专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]树脂交联剂-CN201080056526.1有效
  • 柳泽健一;小谷沙织 - 日清纺控股株式会社
  • 2010-12-24 - 2012-09-12 - C08L71/00
  • 本发明提供一种在将碳化二亚胺化合作为交联剂添加到水性树脂中时,可以提高耐磨性以及耐化学药品性的树脂交联剂。该树脂交联剂由碳化二亚胺化合以及水合性液态化合构成,所述碳化二亚胺化合为通过选自二烷基胺醇、羟基羧酸烷基酯以及(聚)亚烷基二醇单烷基醚中的至少一种化合的亲水性有机化合Ⅰ和比所述亲水性有机化合Ⅰ的亲水性更高的、且至少具有一个羟基的化合的亲水性有机化合Ⅱ将至少具有一个以上的碳化二亚胺基的碳化二亚胺化合的末端封闭而形成的碳化二亚胺化合
  • 树脂交联剂
  • [发明专利]双层硅碳化阻障层-CN01143894.0有效
  • 杨能辉;蔡正原;吴欣昌 - 联华电子股份有限公司
  • 2001-12-18 - 2003-07-02 - H01L23/532
  • 本发明揭露了一种应用于半导体集成电路中的双层硅碳化阻障层及其形成方法。本发明的双层硅碳化阻障层覆盖于一金属导线层以及一第一介电层上。该双层硅碳化阻障层利用等离子体加强化学气相沉积制作工艺形成,其具有一氮掺杂硅碳化底层以及一氧掺杂硅碳化上层。此外,该氮掺杂硅碳化底层具有一最小厚度,用以避免该金属导线层的金属原子扩散至一第二介电层中,同时避免该掺杂氧硅碳化上层中的氧原子扩散至该金属导线层中。
  • 双层碳化阻障
  • [发明专利]聚酯类树脂组合-CN202080027894.7有效
  • 佐佐木雄大;谷口彰;小谷沙织 - 日清纺化学株式会社
  • 2020-03-16 - 2023-05-16 - C08K5/05
  • 本发明提供一种能够得到耐水解性优异的聚酯类树脂,并且抑制了因熔融混炼或成型加工时的加热而产生异氰酸酯气体的聚酯类树脂组合。聚酯类树脂组合含有聚酯类树脂(A)、规定的碳化二亚胺化合(B)、以及具有环氧基和羟基中的至少任一者的有机化合(C),相对于聚酯类树脂(A)、碳化二亚胺化合(B)和有机化合(C)的合计100质量份,碳化二亚胺化合(B)的含量为0.1~10.0质量份,有机化合(C)相对于碳化二亚胺化合(B)的质量比为0.1~10.0。
  • 聚酯树脂组合
  • [发明专利]一种高压断路器-CN200610144399.6无效
  • 郭卉;张国强;顾国彪 - 中国科学院电工研究所
  • 2006-12-06 - 2008-06-11 - H01H33/91
  • 一种高压断路器,本发明包含两种高压断路器:一种是采用氟碳化液体(或气液两相混合)替换变压器油的氟碳化液体绝缘或气液两相绝缘高压断路器;另一种是采用氟碳化气体(或气液两相混合)替换SF6气体的氟碳化气体绝缘或气液两相绝缘高压断路器本发明将氟碳化放置在高压断路器的灭弧室中,在高压断路器分断过程中,利用氟碳化吸收电弧产生的能量,实现了安全可靠、不燃不爆、绿色环保。
  • 一种高压断路器
  • [发明专利]化合合成装置及方法-CN201611149036.1在审
  • 张卫 - 中国地质大学(武汉)
  • 2016-12-13 - 2017-05-10 - C07C2/48
  • 本发明提供一种化合合成装置及方法,属于地质样品检测领域。其中,所述化合合成装置包括主控装置、真空装置以及合成装置,所述合成装置包括碳化合成装置、碳氢化合合成装置以及苯合成装置。通过主控装置与合成装置的连接,主控装置控制合成装置进行苯的合成,而所述碳化合成装置与所述碳氢化合合成装置连接,碳化合成装置生成的碳化用于在所述氢化合合成装置中合成碳氢化合,通过所述碳氢化合合成装置与所述苯合成装置连接,所述苯合成装置用于将所述碳氢化合合成所述苯,其各个装置的执行由主控装置来控制,极大地缩短了苯的合成时间,提高了苯合成效率。
  • 化合物合成装置方法

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