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[发明专利]一种半导体激光器-CN202310936483.5在审
发明人：张江勇;王星河;陈婉君;刘紫涵;蔡鑫;胡志勇;请求不公布姓名 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述下限制层与下波导层之间从下至上依次设置有第一子载流子匹配层、第二子载流子匹配层和第三子载流子匹配层，所述上波导层与上限制层之间设置有第四子载流子匹配层，所述第一子载流子匹配层、第二子载流子匹配层、第三子载流子匹配层和第四子载流子匹配层组成载流子匹配层。本发明能够提升有源层中电子和空穴载流子的浓度匹配度和对称性，降低电子泄漏和载流子去局域化，同时，降低激光器价带带阶，提升空穴注入效率，提升载流子注入均匀性和激光增益均匀性，从而提升激光器的斜率效率、光功率、外量子效率和限制因子。
一种半导体激光器

[发明专利]用于自旋-极化的电流-自旋转换和放大的非线性自旋-轨道相互作用装置和方法-CN201680072149.8有效
发明人： P·B·奥尔特曼;G·R·萨利斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该设备包括一个限制部分。它还包括具有输入装置的电路，其可激励以将自旋极化注入到限制部分的输入区域中的电荷载流子。该电路还包括输出装置，其可用于检测限制部分的输出区域中的电荷载流子的自旋极化。限制部分可以被配置为使其中漂移的电荷载流子受到非线性自旋‑轨道相互作用，这导致漂移电荷载流子的自旋极化旋转非线性取决于这种电荷载流子的动量的角度。该电路可以被配置为允许在限制部分中漂移的电荷载流子的动量被改变，同时在输入区域中注入自旋极化。由于所述非线性自旋‑轨道相互作用，变化的动量允许漂移电荷载体的自旋极化旋转。
用于自旋极化电流转换放大非线性轨道相互作用装置方法

[发明专利]光子晶体器件-CN201080038871.2有效
发明人：松尾慎治;硴冢孝明;纳富雅也;新家昭彦 -专利权人：日本电信电话株式会社
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够防止器件特性发生劣化且能够有效地限制载流子的光子晶体器件。本发明的光子晶体器件包括规律性地排列有不同折射率的介质的光子晶体，在光子晶体中设置有包括活性层(12)和载流子限制层(13、14)的芯层区域(11)，该载流子限制层(13、14)分别设置在活性层(12)的上部和下部并且限制载流子，光子晶体由带隙相比芯层区域(11)的带隙更大的埋入生长层(15)形成。
光子晶体器件

[发明专利]一种LED芯片的外延结构及其制备方法-CN202310491055.6在审
发明人：曹金如;张祥;乔元鹏;徐晶;马英杰 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请提供了一种LED芯片外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底、N型层、有源层和P型层，N型层包括N型限制层，N型限制层包括N个第一层叠单元，第一层叠单元包括带隙宽度不同的第一N型限制层和第二N型限制层，提升了电流在N型限制层中的横向扩展能力，使得N型限制层还为电流扩展层，节约了制备电流扩展层的时间材料等成本，还缩短了电流注入有源层的路径，提高载流子的注入效率，提高LED的发光亮度。另外，电流在N型限制层具有较好的横向扩展能力，使得载流子注入通道面积增加，增大发光面积，且提高了载流子迁移率，还使得载流子注入到有源层时，有源层单位截面内的载流子注入量减少，电子空穴数量平衡，复合效率提高
一种 led 芯片外延结构及其制备方法

[实用新型]LED芯片-CN202123437002.1有效
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种LED芯片，包括：衬底；外延结构，位于所述衬底的表面，所述外延结构包括发光层；氮化物限制层，位于所述外延结构背离所述衬底的表面，所述氮化物限制层中设置有开口，以暴露出部分所述外延结构背离所述衬底的表面；透明导电层，填满所述开口，并覆盖所述氮化物限制层背离所述衬底的表面。上述LED芯片，氮化物限制层中设置有开口，透明导电层填满该开口并覆盖于氮化物限制层的上表面，与氮化物限制层之间形成了高势垒接触，当通过开口附件的透明导电层形成载流子注入发光层时，载流子被有效限制在刻蚀开口下方，极大地降低侧壁缺陷对载流子的捕获，提高载流子注入效率。
led 芯片

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN201410513016.2有效
发明人： J·G·拉文;H-J·舒尔策;R·巴布斯克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：IGBT设置包括侧向设置在单元区域与敏感区域之间的载流子限制减小区域。配置或形成IGBT设置以使得单元区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第一平均密度，载流子限制减小区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第二平均密度，以及敏感区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第三平均密度自由电荷载流子的第一平均密度大于自由电荷载流子的第二平均密度，并且自由电荷载流子的第二平均密度大于自由电荷载流子的第三平均密度。
半导体器件用于形成方法

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN201810182957.0有效
发明人： J·G·拉文;H-J·舒尔策;R·巴布斯克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：IGBT设置包括侧向设置在单元区域与敏感区域之间的载流子限制减小区域。配置或形成IGBT设置以使得单元区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第一平均密度，载流子限制减小区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第二平均密度，以及敏感区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第三平均密度自由电荷载流子的第一平均密度大于自由电荷载流子的第二平均密度，并且自由电荷载流子的第二平均密度大于自由电荷载流子的第三平均密度。
半导体器件用于形成方法

[发明专利]一种面发射激光器及一种面发射激光器阵列-CN201910262413.X有效
发明人：佟存柱;王子烨;陆寰宇;田思聪;汪丽杰;舒世立;张新;王立军 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种面发射激光器，包括衬底和类三明治型结构的功能层，功能层包括第一掺杂层、有源层、限制层和第二掺杂层，其中有源层以及限制层位于第一掺杂层与第二掺杂层之间。第一掺杂层与第二掺杂层用于向有源层输送载流子，而载流子会先经过限制层，再传输至有源层复合发光。由于限制层包括绝缘层和导电柱，导电柱与按厚度方向贯穿绝缘层，使得载流子需要通过导电柱才能传输至有源层，会限制有源区发生载流子复合区域的面积，在维持相同载流子密度的情况下，所需的注入电流更小，从而在不改变光子晶体体积以及面积的前提下
一种发射激光器阵列

[发明专利]载流子扩展结构、生长方法及外延片-CN202111633493.9有效
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种载流子扩展结构、生长方法及外延片，所述载流子扩展结构生长在浅发光层上，包括：缓冲层单元；电子限制层单元，生长在所述缓冲层单元上；所述缓冲层单元和电子限制层单元中均包括交替生长的InGaN体系材料层和GaN体系材料层，其中，位于所述电子限制层单元中的GaN体系材料层包括依次生长的uGaN前限制层、nAlxGa1‑xN中限制层、uGaN后限制层。本发明的载流子扩展结构，生长在浅发光层与发光层之间，实现降低电子溢出，提高空穴注入发光层的几率，提升发光效率。
载流子扩展结构生长方法外延

[发明专利]无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法-CN201010528764.X有效
发明人：邹积彬;黄如;王润声;艾玉杰;樊捷闻 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G01N27/60 文献下载
摘要：所述器件的源漏左右对称，测试仪连接源漏的探针及电缆左右对称，首先控制栅、源、漏的偏压设置使器件处于不形成反型层且栅介质层陷阱不限制电荷的初始状态，然后通过改变偏压设置依次循环进行下述步骤：1)将载流子通过源漏送入沟道产生反型层，且部分载流子被栅介质层陷阱限制；2)将反型层载流子分别引回源漏，但被栅介质层陷阱限制住的载流子不流回沟道；3)使栅介质层陷阱限制的载流子仅通过漏端流出；根据循环周期、器件沟道尺寸和源漏直流电流计算出栅介质层陷阱密度
衬底引出半导体器件介质陷阱密度测试方法

[发明专利]超薄绝缘层半导体激光器及其制备方法-CN201210075628.9无效
发明人：郑钢;雷军;李弋;武德勇 -专利权人：中国工程物理研究院应用电子学研究所
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：半导体激光器包括衬底上的下金属化层，下限制层，下波导层，下过渡层，量子阱层，上过渡层，上波导层，上限制层，上金属化层，上下金属电极层，前后腔面分别镀的增透膜和高反射薄膜，在上金属化层和上金属电极层之间的上金属化层表面开有至少两条沟槽，两相邻沟槽之间设有载流子限制绝缘凸起。制备方法是采用光刻技术与刻蚀技术在上金属化层制备沟槽，然后在金属化层上沉积载流子限制层；将沟槽之间的载流子限制层进行裁减，形成载流子限制绝缘凸起。
超薄绝缘半导体激光器及其制备方法

[发明专利]量子点装置-CN202180020732.5在审
发明人：迈克尔·福加蒂;约翰·莫顿 -专利权人：量子运动科技有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：提供了一种用于限制电荷载流子的硅基量子装置。并且从第一平面区域(137)偏移；第一电绝缘层(42)，其设置在硅层(32)上、覆盖台阶(33)；第一金属层(51)，其设置在第一电绝缘层(42)上、覆盖台阶(33)、被布置成电连接，使得可以诱发第一限制区域(10)，可以将电荷载流子或多个电荷载流子限制在边缘(34)处的第一约束区域(10)中；以及第二金属层(52)，其设置成覆盖硅层的第二平面区域(135)，其中第二金属层：与第一金属层(51)电隔离；并且被布置成电连接，使得可以诱发第二限制区域(11)，可以将电荷载流子或多个电荷载流子限制在第二限制区域中，第二限制区域仅在硅层(32)的在第二金属层(52)下方的第二平面区(135)中，并且第一限制区域10)可耦合至第二限制区域(11)；其中，第一限制区域10)在垂直于边缘(34)的方向上从第二限制区域(11)移位。
量子装置

[发明专利]硅锗量子阱发光二极管-CN200980161152.7有效
发明人：亚历山大·M·布拉托科夫斯基;维亚切斯拉夫·约瑟波夫 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：所述量子阱部分(420)包括载流子限制区，所述载流子限制区被配置为促使使用被限制在所述载流子限制区内的电子(314)和空穴(324)的直接复合(340)所产生的光(344)发射来发光。
量子发光二极管

[发明专利]光寻址空间光调制器以及方法-CN200780012853.5有效
发明人： J·A·萨克斯;J·M·伍德尔 -专利权人：化合物光子学公司
申请日： 2007-03-02 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： G02F1/135 文献下载
摘要：光学器件具有部署在第一电极层上的电绝缘第一势垒层，部署在第一势垒层上的光电导层，以及部署在光电导层上的载流子限制层。载流子限制层定义遍及其中散布了多个载流子陷阱的体积。另外，电绝缘第二势垒层部署在载流子限制层上，光阻挡层部署在第二势垒层上用于阻挡选定波长频带的光。
寻址空间调制器以及方法

[发明专利]带有AlP载流子阻挡层的Ge/SiGe衬底黄光半导体激光器-CN202110712582.6有效
发明人：林涛;解佳男;穆妍;李亚宁;孙婉君 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：带有AlP载流子阻挡层的Ge/SiGe衬底黄光半导体激光器，并给定了其每层材料相应的组分范围，包括从上至下依次设置的P面电极，P型势垒层，SiN介质层，P型上限制层，载流子阻挡层，上波导层，量子阱，下波导层，N型下限制层，N型变掺杂缓冲层，Si1‑xGex基体层，Ge衬底，N面电极；本发明的带有AlP载流子阻挡层的Ge/SiGe衬底黄光半导体激光器，在实现黄光激射的同时通过载流子阻挡层抑制载流子泄露，减小了阈值电流，使输出光功率与转换效率得到提升。
带有 alp 载流子阻挡 ge sige 衬底半导体激光器

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