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[发明专利]用于耳机的短距离通信-CN202080087635.3在审
发明人： A·麦克法廷;Z·博兹 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H04W4/80 文献下载
摘要：本公开内容提供了用于近超低能量场(NULEF)耳机通信的系统、方法和装置，包括在计算机可读介质上编码的计算机程序。在一些方面中，位于座椅头枕中的源设备可以生成能够经由诸如NULEF通信链路之类的磁通信链路传输数据的调制磁场。
用于耳机短距离通信

[发明专利]一种三自由度超低频减振器-CN201310187711.X有效
发明人：陈学东;吴文江;单玉虎;徐振高 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： F16F15/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种结构紧凑的三自由度超低频减振器，属于精密减振领域。该减振器在空间三个自由度上分别利用正负刚度并联的原理实现超低频减振，在保证系统承载力的同时可以极大地降低系统的刚度，实现超低的固有频率。本发明所提供的三自由度超低频减振器在z向采用磁正刚度和磁负刚度并联的方式，x和y向采用片弹簧和磁负刚度并联的方式，整体结构更加紧凑，具有极低的固有频率，不仅对中高频振动干扰具有良好的减振效果，更可以有效地抑制低频和超低频振动
一种自由度低频减振器

[发明专利]一种超低频经颅磁刺激用装置及其制备方法-CN200910041002.4无效
发明人：徐建兰;刘恩平;侯建凯;侯兴凯 -专利权人：梅州康立高科技有限公司
申请日： 2009-07-10 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： A61N2/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低频经颅磁刺激用装置，该装置包括一个或者一个以上叠加在一起的中空线圈，所述中空线圈由导线绕制而成，中空线圈的中空部分能够容纳人或动物的部分或全部头部；所述中空线圈的内径为30-500mm相应地，本发明还公开了制备超低频经颅磁刺激用装置的方法。本发明的超低频经颅磁刺激用装置，用于使超低频电流产生超低频时变磁场，其所产生的刺激磁场能够覆盖大脑全域，且能够在大脑全域产生足够强度的磁场，线圈中心点处磁场的强度能够达到800高斯，可以保证疗效。
一种低频经颅磁刺激装置及其制备方法

[发明专利]一种双向瞬态电压抑制器件及其制备方法-CN202110927439.9有效
发明人：蒋骞苑;赵德益;吕海凤;霍田佳;严林;周凯;彭阳 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向瞬态电压抑制器件及其制备方法，属于半导体保护器件领域，包括：衬底、阱区；阱区包括第一预设区域和第二预设区域，第一预设区域内包括间隔布设的第一掺杂区；第二预设区域包括：场掺杂区，场掺杂区间隔布设于阱区内；第二掺杂区，设置于场掺杂区之间，第二掺杂区的邻边与场掺杂区紧密贴合，且第二掺杂区分别位于每个第一掺杂区的上表面；场氧化层自场掺杂区内形成，且凸出于场掺杂区。本发明技术方案的有益效果在于：同时具有击穿电压低，负阻特性更大的特性，因此具有更低的钳位电压，因此具有超低触发电压和超低钳位电压的特性，保护后级电路的能力更强。
一种双向瞬态电压抑制器件及其制备方法

[发明专利]包括部分补偿探测线圈中的磁激发场的用于磁感应阻抗测量设备的线圈装置-CN201280008833.1有效
发明人： C·H·伊格尼;F·J·罗塞利费雷尔;M·哈姆施 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G01V3/10 文献下载
摘要：一种用于磁感应阻抗测量设备（100）的线圈装置（215），包括：激发线圈（208），被配置为在对象（106）中生成磁激发场；匀场线圈（364），用于生成匀场场；以及探测线圈（210-214），被配置为探测磁响应场，所述磁响应场是对所述磁激发场在所述对象（106）中感生出电流作出响应而生成的。为了提高对象的参数的确定的精度，所述探测线圈（210-214）中的净磁激发场的场强的值大致在所述探测线圈（210-214）中的所述磁响应场的场强的平均值的大小范围内，所述净磁激发场为激发场和匀场场的和。
包括部分补偿探测线圈中的激发用于感应阻抗测量设备装置

[发明专利]超低磁空间与磁场复现的集成装置-CN200810187847.X无效
发明人：张景鑫;许亚峰;马长生;刘明非;史向前;王学民;冯哲;鞠石强;张瑞媛 -专利权人：北京瑞达思科技开发公司
申请日： 2008-12-24 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：一种能建立超低磁空间和复现三维磁场空间的集成装置，涉及磁空间技术领域。应用于物理学、地学、航空航天、生物医学工程、国防科技等领域。本发明是一种屏蔽室与三维线圈套装的磁空间装置，其屏蔽室用高磁导材料构筑，骨架采用非金属无磁性材料制作，其三维线圈系统以亥姆霍兹为基本，其屏蔽室为立方体，开门或凸道式或折道式；屏蔽室内装配三维线圈系统，并匹配补偿绕组和反向制衡线圈本发明不仅可以衰弱环境场强度，而且可以改善环境场的梯度，使线圈系统的均匀区域不失真；不仅可以抵消和屏蔽外场，而且可以产生定向磁场；不仅可以完成线圈系统的本身功能，而且可以实施对屏蔽室的磁清洗。
超低磁空间磁场复现集成装置

[发明专利]一种火箭发射场用涡街流量计流固耦合数值分析方法-CN202110809613.X有效
发明人：王新华;柴辉;张红星;李崧岳;亢勇;郑伟斌;孙涛;程一启;杨林 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-07-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本申请涉及一种火箭发射场用涡街流量计流固耦合数值分析方法，基于ANSYS软件中Fluent流体计算模块研究涡街流量计内部低温/超低温流场的流动特性，将上述计算结果导入到ANSYS软件中StaticStructural结构力学计算模块分析涡街流量计流道内低温/超低温流体对旋涡发生器的变形、应力应变的影响，并将变形后的结构再次导入到ANSYS软件中Fluent流体计算模块来研究发生变形后的旋涡发生器对流道内低温/超低温流体流动特性的影响，为发射场固定校验系统标定提供技术支撑，有助于进一步提高加注精度，减少加注过程中流量计量精度方面的误差，确保任务的顺利发射。
一种火箭发射场用涡街流量计耦合数值分析方法

[发明专利]一种具有超低后向散射特性的稀布相控阵天线-CN202111150585.1有效
发明人：李鹏发;屈世伟;李小秋;周志鹏;孙红兵;林维涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01Q1/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超低后向散射特性的稀布相控阵天线，属于天线工程技术领域与雷达隐身技术领域。本发明结合有源对消技术与相控阵天线稀布技术，利用无源单元散射场，使其与有源单元散射场在来波方向抵消，产生散射缩减；基于相控阵天线散射机理选取适量的无源单元数量并通过改变其短路面的位置优化散射场相位，实现超低带内本发明所采用的天线单元结构简单、易于加工装配，在不恶化有源天线单元驻波与辐射效率的前提下，实现了低副瓣宽角宽带扫描与超低带内RCS，且由于有源单元数量的减少也降低了阵列成本。
一种具有超低后散射特性相控阵天线

[发明专利]一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的制备方法-CN201610050185.6有效
发明人：李中兰 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的制备方法，采用直接磷源法形成前表面场和钝化氧化层，包括步骤在800℃‑810℃于氮气和氧气气氛中装硅片进舟，再在800℃‑950℃于氮气、氧气以及携带磷源的氮气气氛中进行磷源沉积所得前表面场的表面浓度可达1E18cm‑3到5E18cm‑3，结深为0.1μm‑0.2μm。应用本发明所述超低表面浓度前表面场的IBC电池，其短波段的内量子效率高达95%以上。
一种电极太阳电池表面浓度制备方法

[发明专利]集群无人磁总场全轴梯度探测方法及使用其的探测系统-CN202011420329.5在审
发明人：秦杰;陈路昭;王同雷;王春娥;江薇;万双爱;刘建丰 -专利权人：北京自动化控制设备研究所
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G01R33/022 文献下载
摘要：本发明提供了一种集群无人磁总场全轴梯度探测方法及使用其的探测系统，该方法包括：将至少三个无人磁总场探测平台构成集群磁探测系统；确认集群磁探测系统的平台间距要求和磁场采样间隔；协同控制至少三个无人磁总场探测平台沿规划任务航线飞行；建立集群磁探测系统的磁总场全轴梯度测量的数学模型；基于磁总场全轴梯度测量的数学模型，建立基于总场全轴梯度目标参数的状态方程与观测方程；基于各个无人磁总场探测平台剩磁干扰水平确定观测噪声协方差，通过标准的线性卡尔曼滤波算法可以实现空间磁总场全轴梯度磁场的实时计算应用本发明的技术方案，以解决全轴梯度探测系统测量精度低及对无人磁测系统平台载荷能力及供电性能要求高等技术问题。
集群无人磁总场全轴梯度探测方法使用系统

[发明专利]旋转电机及其场磁子制造方法-CN202310159865.1在审
发明人：熊谷健吾;茅野慎介;久保田健 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H02K1/2706 文献下载
摘要：本发明的目的在于获得一种能够力图对场磁子的轴向实现电磁力的均等化的旋转电机及其场磁子制造方法。各中央磁体(18)的残留磁通密度低于第一端部磁体(16)的残留磁通密度，并且低于第二端部磁体(17)的残留磁通密度。由此，磁体(12)在场磁子(8)的轴向中央的残留磁通密度低于磁体(12)在场磁子(8)的轴向两端的残留磁通密度。其结果是，对于从场磁子(8)到电枢(6)的磁通中场磁子(8)的径向分量，场磁子(8)的轴向中央的磁通密度低于场磁子(8)的轴向端部的磁通密度。
旋转电机及其场磁子制造方法

[发明专利]基于等效磁矩的潜航平台磁异特征场表征方法-CN201310602015.0有效
发明人：吴楠;王春;宋文武;李晶;谢大刚;潘涵 -专利权人：中国舰船研究设计中心
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及水下平台隐身设计领域，公开了一种基于等效磁矩的潜航平台磁异特征场表征方法，包括以下步骤：（1）联合边界条件下，对潜航平台磁化场数值的建模；（2）潜航平台磁异特征场分布表征：（3）基于场特征的潜航平台磁矩反演：（4）对潜航平台磁矩的磁偶极子进行模拟分析：（5）根据等效磁矩磁偶极子磁场表征潜艇磁异特征场。本发明建立了基于磁异特征场的等效磁矩反演方法，将复杂的磁异特征场分析问题归结为等效磁矩表征问题，解决了复杂因素导致的分析规模受限问题。适用于水下潜航平台的磁隐身设计，也可用于抗磁异探测的磁诱饵模拟。
基于等效潜航平台特征表征方法

[发明专利]一种超低温可换样显微成像系统及其工作方法-CN201910494761.X在审
发明人：李尉兴;纪伟;徐涛;付彦辉 -专利权人：中国科学院生物物理研究所
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低温可换样显微成像系统及其工作方法，包括光源系统、显微成像系统和真空可换样冷台系统；其中光源系统用于提供激发荧光或者明场照明等所需要的光源，显微成像系统用于接收荧光信号或者明场信号等进行成像，真空可换样冷台系统用于为样品提供超低温真空环境和作为显微物镜的承载体，所述的显微成像系统的显微物镜放置于真空可换样冷台系统内。本发明能够实现在真空超低温的环境下进行荧光显微成像，并能够提高显微成像的分辨能力，具有易操作、系统稳定、成像质量高等优点。
显微成像系统超低温冷台光源系统显微物镜成像荧光显微成像分辨能力激发荧光明场信号明场照明系统稳定显微成像样品提供荧光信号真空环境承载体光源

[实用新型]一种超低温可换样显微成像系统-CN201920857325.X有效
发明人：李尉兴;纪伟;徐涛;付彦辉 -专利权人：中国科学院生物物理研究所
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超低温可换样显微成像系统，包括光源系统、显微成像系统和真空可换样冷台系统；其中光源系统用于提供激发荧光或者明场照明等所需要的光源，显微成像系统用于接收荧光信号或者明场信号等进行成像，真空可换样冷台系统用于为样品提供超低温真空环境和作为显微物镜的承载体，所述的显微成像系统的显微物镜放置于真空可换样冷台系统内。本实用新型能够实现在真空超低温的环境下进行荧光显微成像，并能够提高显微成像的分辨能力，具有易操作、系统稳定、成像质量高等优点。
一种超低温换样显微成像系统

[发明专利]一种超低膨胀陶瓷体表面导磁膜的保护层-CN201510807256.8在审
发明人：李晓婷;资利云;袁家俭;施小罗 -专利权人：湖南嘉盛电陶新材料股份有限公司
申请日： 2015-11-22 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低膨胀陶瓷体表面导磁膜的保护层，主要包括锂-硼-硅系的超低膨胀、低熔点的熔块釉，再外加具有改性功能并增强导热性添加剂而成，用于取代现有的有机涂料保护层。本发明的此保护层具有良好的导热性和较低的膨胀系数、健康环保、经久耐用，具有低于导磁膜固化点的固化熔融温度，可很好的覆在超低膨胀陶瓷及其导磁膜的表面作为保护层，化学稳定性好、热稳定性好、耐明火干烧，能与陶瓷体及导磁膜很好地结合而永不脱落
一种膨胀陶瓷体表面导磁膜保护层