“表面形成凹槽”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8373664个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201310261324.6有效
发明人：谢欣云 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，所述晶体管的形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在第一区域表面形成第一伪栅结构以及位于所述第一伪栅结构两侧的第一源/漏极，在第二区域表面形成第二伪栅结构以及位于第二伪栅结构两侧的第二源/漏极；在半导体衬底表面形成介质层；去除所述第一伪栅结构和第二伪栅结构，形成第一凹槽和第二凹槽；在所述第一凹槽和第二凹槽底部形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成盖帽层，第一凹槽和第二凹槽侧壁表面的盖帽层厚度小于第一凹槽和第二凹槽底部表面的盖帽层厚度；形成填充满第一凹槽的第一栅极和填充满第二凹槽的第二栅极。所述晶体管的形成方法可以提高晶体管的阈值电压稳定性。
晶体管形成方法

[发明专利]基于垂直GaN器件形成栅极凹槽的工艺方法-CN202310577814.0在审
发明人：祝庆;冯文军 -专利权人：福州镓谷半导体有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制造领域，具体涉及一种基于垂直GaN器件形成栅极凹槽的工艺方法。>2、NH3和三甲基镓气氛下的垂直GaN器件进行刻蚀并实时修复，保证在刻蚀的过程中GaN会同步再生，且保持刻蚀速率大于再生速率，得到带有凹槽GaN晶圆片，再通过表面处理及p‑GaN层的再生长，最终形成栅极凹槽。本发明基于垂直GaN器件形成栅极凹槽的工艺方法简单可靠，成本较低，能够有效的解决传统干法刻蚀带来的损伤和杂质，可用于不同装置中不同用途的无损伤凹槽，并且不会在生长过程中由于放气、分层、扩散、熔化、层开裂等现在而引起其他问题
基于垂直 gan 器件形成栅极凹槽工艺方法

[发明专利]平坦化凹槽和形成半导体结构的方法-CN201110204521.5有效
发明人：赖朝文;林靖凯 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：本发明公开了一种平坦化凹槽的方法，首先，提供一基底包括一凹槽部分和一平坦部分，然后，进行一氧化速率改变步骤用来改变凹槽部分的氧化速率，使得凹槽部分的氧化速率与平坦部分的氧化速率不相同，然后，形成两层氧化层分别位于凹槽部分和平坦部分，上述的两层氧化层的厚度不相同，最后，移除氧化层并且于基底上形成一平坦表面。
平坦凹槽形成半导体结构方法

[发明专利]具有促进分支井筒形成的凹槽的井组件-CN201110079204.5有效
发明人：斯图亚特·亚历山大·特尔弗;丹·帕内尔·绍雷尔 -专利权人：哈利伯顿能源服务公司
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： E21B17/00 文献下载
摘要：在窗体(穿过其可形成分支井筒)在所述外壁中的凹陷部分内形成之前，所述组件能够在由所述组件所界定的内部区域与所述组件的外部环境之间提供密封。所述内壁中的凹陷部分可将切削工具导向所述外壁中的凹陷部分。
具有促进分支井筒形成凹槽组件

[发明专利]半导体器件的凹槽栅极及其形成方法-CN200810133392.3无效
发明人：金大荣 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-08-11 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明披露了一种用于制造半导体器件的方法，更具体地，披露了一种用于形成凹槽栅极的方法。该用于形成凹槽栅极的方法包括：在半导体衬底上方形成第一氮化层，通过选择性地蚀刻第一氮化层来形成第一氮化层图样以暴露衬底的一个部分，在第一氮化层图样的侧壁上方形成隔离体，通过使用第一氮化层图样和隔离体作为蚀刻掩膜蚀刻衬底来形成用于栅极沟道区的凹槽，在凹槽的侧壁和底部表面上方形成栅极氧化层，形成栅极多晶硅层图样以埋置凹槽和由隔离体限定的间隔，以及去除第一氮化层图样。
半导体器件凹槽栅极及其形成方法

[发明专利]一种半导体芯片封装方法-CN201810609583.6在审
发明人：王洪辉;戴颖 -专利权人：南通通富微电子有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体芯片封装方法，该方法包括：提供一具有第一表面及第二表面的金属板，金属板的第一表面形成有第一凹槽，金属板的第二表面形成有第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽贯通以形成通孔，通孔在金属板上定义出多个矩阵排列的承载单元；将芯片电性连接于承载单元上；用塑封料对承载单元进行塑封以形成塑封层，第一凹槽和第二凹槽被塑封料填充；在金属板的第二表面形成第三凹槽，第三凹槽连接相邻的承载单元；在金属板的第二表面形成电镀层，电镀层延伸入第三凹槽；分离塑封层以形成独立的半导体芯片封装器件。
金属板承载单元第二表面半导体芯片封装第一表面电镀层塑封层塑封料通孔半导体封装器件凹槽连接矩阵排列芯片电性焊锡攀爬塑封引脚申请填充贯通延伸

[发明专利]用于制造强化传热表面的方法及工具-CN200480038922.6有效
发明人： P·托尔斯;N·佐布科夫 -专利权人：沃尔弗林管子公司
申请日： 2004-10-25 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： F28F1/40 文献下载
摘要：本发明涉及强化传热表面和用于制成强化传热表面的方法和工具。特定实施例包括沸腾表面，其包括多个主凹槽、凸起和副凹槽以便形成沸腾腔。沸腾表面借助使用一用于切割管内表面的工具来形成。还披露了用于制造沸腾表面的方法，其包括切入管的内表面以便形成主凹槽，以便切割并提升该内表面从而形成凸起和副凹槽。
用于制造强化传热表面方法工具

[发明专利]凹槽刻蚀方法及鳍式场效应晶体管的制造方法-CN202310211699.5在审
发明人：王启飞;朱海云 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍式场效应晶体管中的凹槽刻蚀方法，包括：提供衬底，衬底表面具有多个栅极和位于栅极之间的鳍形结构；刻蚀相邻栅极之间的鳍形结构，形成初始凹槽，初始凹槽的内壁表面附着有刻蚀过程中产生的副产物；去除初始凹槽内壁表面上的副产物；再次对初始凹槽进行刻蚀，形成内壁表面光滑的凹槽。本发明能够实现在Fin‑FET的鳍形结构的凹槽刻蚀中降低凹槽表面的粗糙度和缺陷态密度，形成光滑表面的凹槽。
凹槽刻蚀方法场效应晶体管制造

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201410441272.5有效
发明人：肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，包括NFET区域和PFET区域；在半导体衬底表面依次形成隔离层、牺牲层；刻蚀牺牲层和隔离层，形成第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽内形成第一过渡层；第一过渡层表面形成填充满第一凹槽和第二凹槽的第一半导体层；去除第二凹槽内的第一半导体层，在第二凹槽内形成第二过渡层，第二过渡层的表面低于隔离层的表面；在第二过渡层表面形成第二半导体层；去除牺牲层，暴露出第一半导体层和第二半导体层的部分侧壁；形成横跨第一半导体层的第一栅极结构和横跨第二半导体层的第二栅极结构。上述方法形成的半导体结构性能得到提高。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]接受喷涂的表面、将涂层施加于表面的方法及内燃发动机-CN201210308572.7有效
发明人：罗德尼·G·惠特贝克;基斯·雷蒙德·巴图;大卫·艾伦·史蒂芬森;杰姆斯·威廉·佩里 -专利权人：福特全球技术公司
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： F02F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种接受喷涂的表面、将涂层施加于表面的方法及内燃发动机，所述方法用于制备表面，以将喷涂层机械地固定到该表面。在表面中形成的第一组凹槽与在表面中形成的第二组凹槽交叉。在交叉点处形成多个倒钩。喷涂层被机械地固定至悬于第一组凹槽之上的倒钩。所述表面包括第一组凹槽和与第一组凹槽交叉的第二组凹槽。第二组凹槽在第一组凹槽和第二组凹槽的交叉点处形成底切部分或倒钩，所述底切部分或倒钩机械地锚固喷涂层。
接受喷涂表面涂层施加方法内燃发动机

[发明专利]图像传感单元及其形成方法-CN201310505156.0在审
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感单元及其形成方法，所述图像传感单元的形成方法包括：提供基底，所述基底内形成有金属插塞，所述金属插塞的表面与基底表面齐平；形成覆盖所述基底表面和金属插塞表面的介质层；在所述介质层表面形成具有开口的掩膜层，所述开口位于金属插塞表面正上方；沿所述开口，刻蚀所述介质层，形成凹槽，所述凹槽底部暴露出金属插塞的顶部表面；去除所述掩膜层；在所述凹槽内壁表面形成像素电极层；在所述像素电极层表面形成填充满所述凹槽并覆盖所述介质层的有机光电转换层
图像传感单元及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201410483649.3有效
发明人：郑超;王伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括提供半导体衬底，半导体衬底包括微机电区域，微机电区域上具有器件，器件包括微机电器件及电感；提供盖板，在盖板上形成凹槽；在凹槽底部表面形成分散的凸起部；在凹槽内壁表面以及盖板表面形成吸附层，吸附层覆盖所述凸起部；去除盖板表面以及凹槽部分内壁表面的吸附层；将所述盖板与半导体衬底进行键合，所述盖板凹槽与半导体衬底构成密闭空腔，且所述半导体衬底的微机电区域上的器件位于密闭空腔内，剩余的吸附层位于微机电器件正上方的凹槽底部表面及靠近微机电器件一侧的凹槽侧壁表面。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]CMOS晶体管的形成方法-CN201310612561.2在审
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS晶体管的形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，包括NMOS区域和PMOS区域，位于所述NMOS区域表面的第一凹槽，位于所述PMOS区域表面的第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽的内壁表面以及介质层表面依次形成栅介质材料层、第一金属层、第二金属层、第三金属层；形成填充第一凹槽和第二凹槽的覆盖材料层，覆盖材料层的材料为绝缘介质材料；去除NMOS区域上的覆盖材料层；去除第二凹槽内部分厚度的覆盖材料层，形成覆盖层；去除第一凹槽内、介质层上方以及覆盖层上方的第二凹槽内的第三金属层、第二金属层；去除覆盖层，在第一凹槽和第二凹槽内形成第一栅极和第二栅极。
cmos 晶体管形成方法

[实用新型]芯片封装结构-CN201620924753.6有效
发明人：吕军;朱文辉;赖芳奇;王邦旭;沙长青 -专利权人：苏州科阳光电科技有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：该芯片封装结构包括晶圆，晶圆具有第一表面以及第二表面，晶圆第一表面集成有多个芯片单元；相邻芯片单元的焊盘衬垫之间形成有第一凹槽；第一凹槽内以及晶圆第一表面形成有第一绝缘层；第一绝缘层的表面形成有第一线路层，第一线路层与焊盘衬垫电连接；第一凹槽内填充有固化的第一胶水；晶圆第二表面形成有第二凹槽，且第二凹槽底部露出第一绝缘层；第二凹槽内以及晶圆第二表面形成有第二绝缘层；第二凹槽内形成有第三凹槽；第二绝缘层表面以及第三凹槽内形成有第二线路层
芯片封装结构

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201610082716.X有效
发明人：神兆旭 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，表面形成有若干鳍部及其顶部的第一掩膜层，相邻鳍部之间具有第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽、第二凹槽内形成隔离层；使第二凹槽内的隔离层表面低于鳍部顶面；形成第一介质层和位于第一介质层表面的第二介质层；对第二介质层进行平坦化，形成第二掩膜层；以第二掩膜层为掩膜，刻蚀第二介质层和第一掩膜层，形成保护层；去除所述第二掩膜层；以所述保护层为掩膜，刻蚀隔离层，使第一凹槽内的隔离层表面低于第二凹槽内的隔离层表面；形成栅极和伪栅极，所述栅极横跨鳍部，所述伪栅极位于保护层表面。所述方法在未被回刻蚀的隔离层表面形成伪栅极，可以提高在此结构基础上形成的晶体管的性能。
半导体结构形成方法