专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]用于降低Cl-浓度的氨法脱硫蒸发结晶装置-CN201420243377.5有效
  • 汤静芳;靳美程;郑建新;李富智;陈云;吴英;任强;鲁久柱;杨慧 - 武汉钢铁(集团)公司
  • 2014-05-13 - 2014-10-29 - B01D53/96
  • 本实用新型公开了一种用于降低Cl-浓度的氨法脱硫蒸发结晶装置,它是将硫铵蒸发结晶系统结晶器中排出的硫铵结晶浓溶液分离出固体硫酸铵之后,其离心分离液不返回结晶器,而是进入到耙式真空蒸发干燥器中,耙式真空蒸发干燥器通入蒸汽,使分离液蒸发、干燥;分离液分离出的固体从耙式真空蒸发干燥器下部中排放并加工;在耙式真空蒸发干燥器中蒸发出的气体从耙式真空蒸发干燥器上部进入到空气过滤器中,以分离出硫酸铵颗粒;从空气过滤器中出来的气体进入到冷凝冷却器中,以分离出不凝性气体;分离出来的不凝性气体进入到真空泵中,并通过真空泵排放。本实用新型可有效降低氨法脱硫蒸发结晶系统Cl-浓度,解决Cl-蒸发结晶系统富集的难题。
  • 用于降低clsup浓度脱硫蒸发结晶装置
  • [实用新型]一种低温真空蒸发浓缩机-CN201420742373.1有效
  • 朱常合;韦占杰 - 洛阳人康食品有限公司
  • 2014-12-01 - 2015-04-08 - B01D1/00
  • 本实用新型提供一种低温真空蒸发浓缩机,其包括蒸发罐、加热器、冷凝器、热泵系统、真空装置、温度压力检测装置及控制器。所述蒸发罐使用食品级不锈钢材料,为液态物料蒸发的器皿。本实用新型结构简单、功能实用,采用真空装置将蒸发罐抽真空,使液态物料的蒸发环境接近于真空蒸发温度控制在25-30摄氏度,液态物料不会因蒸发浓缩而发生化学反应,利用内置温度压力检测装置和单片机,自动反馈式控制整个蒸发浓缩过程
  • 一种低温真空蒸发浓缩
  • [实用新型]一种防指纹光学薄膜镀膜设备-CN202020110952.X有效
  • 王为城 - 厦门立扬光学科技有限公司
  • 2020-01-17 - 2020-08-18 - C23C14/24
  • 本实用新型公开一种防指纹光学薄膜镀膜设备,包括真空室腔体、工转架、蒸发器、蒸发电源、流量阀、温控器、真空计、残余气体分析仪、膜厚仪和控制单元,在真空室腔体内的上部设置一可转动的工转架用于承载镜片,在真空室腔体内的下部设有惰性气体管道和蒸发器,膜厚仪安装在真空室腔体外且探头伸入真空室腔体内的工转架中,真空计、残余气体分析仪和温控器安装在真空室腔体的侧壁上,蒸发器与安装在真空室腔体外的蒸发电源连接,惰性气体管道通过真空室腔体外的流量阀与供气管道连接,蒸发电源、流量阀、温控器、真空计、残余气体分析仪和膜厚仪都与控制单元连接。
  • 一种指纹光学薄膜镀膜设备
  • [实用新型]一种新型PECVD等离子设备智能药水配比系统-CN201920897168.5有效
  • 杨福年;郑锡文 - 东莞市和域战士纳米科技有限公司
  • 2019-06-14 - 2020-04-10 - C23C16/50
  • 本实用新型公开一种新型PECVD等离子设备智能药水配比系统,包括一个PECVD等离子设备真空仓体、两个第一药水蒸发罐、一个第二药水蒸发罐、一真空泵组,在PECVD等离子设备真空仓体的外周配设了多个药水蒸发罐,这些药水蒸发罐通过各自对应的多个接口与PECVD等离子设备真空仓体相连,且这些接口在PECVD等离子设备真空仓体上是均匀分布的,从而使得多种药水蒸发蒸发出的等离子气体在PECVD等离子设备真空仓体上均匀分布同时,还配设有真空泵组,真空泵组与PECVD等离子设备真空仓体的两个以上的第三接口相接,相对于传统只有一个接口,两个以上的第三接口使得抽真空更为快速,再配置真空角阀和碟阀,用于与控制中心连接,实现智能控制
  • 一种新型pecvd等离子设备智能药水配比系统
  • [实用新型]一种蒸发源离子轰击刻蚀装置-CN202021511986.6有效
  • 卢国英;石昌仑;兰睿 - 常州夸克涂层科技有限公司
  • 2020-07-28 - 2021-05-07 - C23C14/02
  • 本实用新型涉及公开了一种蒸发源离子轰击刻蚀装置,其包括真空室,真空室后侧固定连接蒸发源,蒸发源前端面与真空室内部连通,蒸发源旁边设置有在真空室外部的弧电源,弧电源负极和蒸发源通过电线电性连接,蒸发源的前端面上固定连接Ti靶,Ti靶前侧设置挡板,挡板在真空室内,挡板转动连接在真空室右端面上,挡板前侧间隔设置有水冷阳极,水冷阳极在真空室内,弧电源正极和水冷阳极通过电线电性连接,水冷阳极前侧间隔设置工作转架,工作转架在真空室内,工作转架转动连接在真空室左端面上,真空室外部设置有偏压电源且偏压电源正极和真空室通过电线电性连接,偏压电源负极和工作转架通过电线电性连接,本发明具有快速对材料表面清洗刻蚀的效果。
  • 一种蒸发离子轰击刻蚀装置
  • [发明专利]一种高纯铟提纯方法-CN202010660255.6有效
  • 曹昌威;唐朝辉 - 楚雄川至电子材料有限公司
  • 2020-07-10 - 2021-04-23 - C22B58/00
  • 本发明公开了一种高纯铟提纯方法,在102Pa真空条件下,将原料铟溶液通过真空负压吸入真空炉下段蒸发区,真空炉下段蒸发区温度为1020~1180℃,真空炉上段精馏塔温度为900~1000℃;原料铟溶液在真空炉下段蒸发蒸发为铟蒸汽,铟蒸汽在真空炉上段精馏塔冷凝为高纯铟溶液并流出;将流出的高纯铟溶液冷凝至170~230℃,获得高纯铟固体与现有技术相比,本技术方案提供的高纯铟提纯方法,利用真空环境降低铟溶液的沸点,同时利用较小的汽化和冷凝温差,使真空炉内的环境满足铟的蒸发和冷凝,其他杂质在该条件下难以蒸发或冷凝,以提高获得的高纯铟固体的纯度
  • 一种高纯提纯方法
  • [实用新型]简易型蒸发-CN200920011046.8有效
  • 郭方准 - 大连齐维科技发展有限公司
  • 2009-02-27 - 2010-01-20 - C23C14/26
  • 本实用新型涉及真空设备。简易型蒸发器,回转导入器导入棒真空端固定安装遮板,遮板位于坩埚上方,坩埚上缠绕有加热丝,加热丝接通电极。本实用新型蒸发器可蒸发绝大多数金属,坩埚的材质为氧化铝,可耐1800摄氏度的高温,而且放出气体少,热源采用高熔点的钨丝,通电加热,使用方式简单,安装蒸发遮挡板,可以控制蒸发的时机,同时也可以确保蒸发的质量,蒸发遮挡板的驱动靠超高真空旋转驱动器实现,可以人工从外界控制,和真空接触部件选用材质适合超高真空环境的使用,简易蒸发源可耐高温烘烤,整体构造独特且操作简单。
  • 简易蒸发器

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