“腔室上盖 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果15125188个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]腔室上盖及包含该上盖的反应腔室-CN200610165461.X有效
发明人：张风港 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种腔室上盖及包含该上盖的反应腔室，腔室上盖的上部设有进气口、下部设有多个气孔，腔室上盖的内部还设有空腔，工艺气体可依次通过进气口、空腔、多个气孔注入反应腔室，对反应腔室内的半导体硅片进行刻蚀使得反应腔室内的气体分布更加均匀，从而得到满意的刻蚀效果。尤其适用于半导体晶片加工设备的反应腔室，也适用于其它的腔室。
腔室上盖包含反应

[发明专利]反应腔室的上盖结构和反应腔室-CN201410705206.4有效
发明人：张伟涛 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔室的上盖结构，包括线圈盒、隔板、盖板、多个开盖挂钩和与多个开盖挂钩一一对应的盖板挂钩，所述开盖挂钩在对正位时与所述盖板挂钩对正，在脱离位时与所述盖板挂钩相错开，所述开盖挂钩包括第一钩持部，所述盖板挂钩包括第二钩持部，所述第一钩持部的上表面的高度沿该第一钩持部的上表面的一端至另一端的方向逐渐降低，所述第二钩持部的下表面与所述第一钩持部的上表面相匹配，以使得位于对正位时的开盖挂钩的第一钩持部的上表面与所述第二钩持部的下表面相贴合本发明还提供一种反应腔室。与现有技术相比，本发明中的上盖结构上升时，开盖挂钩不需要移动一段空行程，因而可以减少铜连接条受到的拉力。
钩持部挂钩开盖盖板反应腔室上表面上盖结构下表面隔板铜连接条逐渐降低空行程上升时线圈盒错开对正贴合匹配脱离移动

[实用新型]MOCVD反应腔室的上盖-CN202122255056.X有效
发明人：张森;王祥;费磊 -专利权人：宁波沁圆科技有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种MOCVD反应腔室的上盖，所述上盖包括盖板本体，所述盖板本体上设有：探测窗口，其沿所述盖板本体的厚度方向贯通，多个进气口，位于所述盖板本体的第一端面上，且所述盖板本体内部具有用于连通所述进气口及与所述第一端面相对的第二端面的气流通道该MOCVD反应腔室的上盖水路通道结构简单、易于加工、成本低及搭建便捷灵活。
mocvd 反应

[发明专利]腔室盖-CN200410059034.4无效
发明人：赖纳·威兰 -专利权人：美创力公司
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： B65H11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种腔室盖，用于覆盖纸张输送设备与印刷机之间的缝隙区，包括至少一个垂直于纸张输送方向延伸的导引件(5)和多个可移动的单个支承件(1)，导引件(5)用于导引至少一个可运动的、构成一个用于纸张的侧向可调止挡的侧向件，其中，支承件(1)和所述至少一个侧向件按可变的宽度覆盖缝隙区，其中，所述至少一个侧向件和支承件(1)互相连接成尤其固定成，当侧向件向更大的宽度方向移动时，可借助至少一个连接件(7)在支承件(1)上施加一个拉力
腔室盖

[发明专利]加热腔室盖-CN201980073502.8在审
发明人：尼古拉斯·艾伦·布朗;尼古拉斯·赫德利·丘布 -专利权人： JT国际公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： A61M15/00 文献下载
摘要：一种蒸气产生装置包括布置成接纳蒸气产生物质的加热腔室以及布置成关闭该加热腔室的盖。该装置进一步包括布置成当该加热腔室的温度超过预定阈值时防止该盖从关闭位置移动到打开位置的锁定机构。
加热腔室盖

[发明专利]腔室开盖机构-CN202011058867.4在审
发明人：冯琳 -专利权人：上海广川科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开一种在半导体真空传输系统中方便开盖的腔室开盖机构，包括：腔室主体；所述腔室主体具有容纳腔室以及通入所述容纳腔室的开口；可盖合在所述开口上的盖体；所述盖体可转动地连接所述腔室主体；具有第一连接端和第二连接端的气体弹簧；所述第一连接端可转动地连接所述腔室主体，所述第二连接端可转动地连接所述盖体；所述气体弹簧在所述盖体位于盖合位置时处于压缩状态并向上顶抵所述盖体。
腔室开盖机构

[实用新型]腔室开盖机构-CN202022220921.2有效
发明人：冯琳 -专利权人：上海广川科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开一种在半导体真空传输系统中方便开盖的腔室开盖机构，包括：腔室主体；所述腔室主体具有容纳腔室以及通入所述容纳腔室的开口；可盖合在所述开口上的盖体；所述盖体可转动地连接所述腔室主体；具有第一连接端和第二连接端的气体弹簧；所述第一连接端可转动地连接所述腔室主体，所述第二连接端可转动地连接所述盖体；所述气体弹簧在所述盖体位于盖合位置时处于压缩状态并向上顶抵所述盖体。
腔室开盖机构

[发明专利]一种反应腔室的上盖开启机构-CN201410348775.8有效
发明人：张鹏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种反应腔室的上盖开启机构，上盖开启机构位于反应腔室的一侧，其包括至少一个驱动单元；每个驱动单元包括第一固定件、第二固定件、第一连接件和驱动装置；第一固定件固定于上盖上；其与第一连接件的第一端通过固定销和活动销铰接；且固定销和活动沿远离第一连接件的第一端的方向依次设置；驱动装置与第一连接件的第二端铰接；第二固定件固定于反应腔室的腔体上；其与第一连接件铰接于活动销与第一连接件的第二端之间。上盖开启机构具有更大的承载能力，更简单的结构，并可以使上盖具有更大的开启角度。
第一连接件上盖反应腔室开启机构固定件铰接驱动单元驱动装置固定销活动销承载能力依次设置第一端腔体

[实用新型]一出多腔滴口室上盖模具-CN200920260319.2有效
发明人：张鹏;雷建平;黄冬 -专利权人：贝恩医疗设备(广州)有限公司
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： B29C45/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种一出多腔滴口室上盖模具，属于模具技术领域，包括上模套，下模套，热流道固定板，所述的上模套与下模套为可拆卸连接，所述的下模套与热流道固定板可拆卸紧固连接；所述下模套设有4～8个模仁，该模仁设置有3～6个第一模芯，所述上模套设置有与第一模芯对应的第二模芯。本实用新型所述的一出多腔滴口室上盖模具，采用了热流道技术：由于通常使用的UPVC原材料的流动性不好，多腔模具用普通流道成型给生产带很大不良影响，采用了热流道技术后一方面减少水口费料的产生，减少了成型不良影响
一出多腔滴口室上盖模具

[实用新型]腔室盖装置、传送腔室装置以及用于提升盖的装置-CN201520914718.1有效
发明人：栗田真一;稻川真;H·H·林 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： B65G35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种腔室盖装置、传送腔室装置以及用于提升盖的装置，提供腔室盖装置。所述腔室盖装置可以包括：盖体；一个或多个臂，所述一个或多个臂耦接至所述盖体；以及一个或多个齿轮箱，所述一个或多个齿轮箱通过一个或多个第一轴耦接至所述一个或多个臂。还公开了传送腔室装置以及用于提升盖的装置。
腔室盖装置传送以及用于提升

[发明专利]腔室盖组件及清洁处理腔室的方法-CN201580054256.3有效
发明人：崔安青;法鲁克·京格尔;吴典晔;维卡斯·詹格拉;穆罕默德·M·拉希德;唐薇;杨义雄;枭雄·袁;夫景浩;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;雨·常;威廉·W·光 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文提供用于清洁原子层沉积腔室的方法及设备。在一些实施方式中，腔室盖组件包含：外壳，外壳围绕中央通道，中央通道沿着中心轴延伸且具有上部分及下部分；盖板，盖板耦接至外壳且具有轮廓底表面，轮廓底表面从中央开口向下及向外延伸至盖板的周边部分，中央开口耦接至中央通道的下部分
腔室盖组件清洁处理方法

[发明专利]腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备-CN201810305925.5有效
发明人：白志民;李强;耿宏伟;彭文芳;魏延宝;丁培军;王伟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖用于透光，包括盖本体和吸收层，盖本体具有受光表面，吸收层设置在受光表面的预定区域，用于吸收照射至所述预定区域的部分光，以使预定区域的透光率满足预定值。通过在受光表面上的预定区域所设置的吸收层，改变腔室盖在预定区域的透光率，可以使得晶圆各位置处的介电常数和硬度基本相同，提高片内均匀性，改善晶圆的性能。同时，本发明的腔室盖，结构简单，并不需要为了提高片内均匀性所引入复杂的光路设计的结构，因此，可以有效降低制作成本，提高经济效益。
腔室盖工艺半导体处理设备

[其他]腔室盖和真空腔室装置-CN201590001100.4有效
发明人：克里斯托夫·霍伊斯勒;约亨·克劳瑟;罗尼·博切尔 -专利权人：冯·阿登纳资产股份有限公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：，真空腔室(1002a至1002e)在运输方向上借助横向于运输方向延伸的真空腔室侧壁(104a，104b，1304a，1304b)彼此分开；其中每个真空腔室都具有腔室盖开口(104o)；多个腔室盖，其中每个腔室盖配设于一个腔室盖开口(104o)，用于真空密封地封闭相应的真空腔室；其中所述多个腔室盖的至少一个腔室盖(102)具有多个高真空泵连接开口(106a，106b，106c)，用于分别连接一个高真空泵；其中所述多个真空腔室(1002a至1002e)的至少一个真空腔室设定为气体分离腔室(100)并且具有：设置在所述气体分离腔室(100)中的气体分离结构(312)，所述气体分离结构限界气体分离通道(311)，其中所述气体分离结构(312)具有多个气体分离面元件(112，322，412)，所述气体分离面元件设置在所述气体分离腔室(100)中，使得其在运输方向上将至少三个区域(111a，111b，111c)彼此气体分离，其中所述至少三个区域(100)配设于具有多个高真空泵连接开口(106a，106b，106c)的腔室盖(102)。
气体分离真空腔室腔室盖腔室气体分离通道高真空泵运输方向延伸连接开口运输系统穿过开口彼此分开穿通开口方向上将元件设置真空密封中部区域侧壁衬底限界封闭延伸

[发明专利]化学气相沉积装置以及基板处理装置-CN201010238929.X有效
发明人：李在珷 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种化学气相沉积装置，其包括：腔室，构成用于在基板上形成薄膜的处理空间；喷淋头，向上述处理空间喷射工艺气体；腔室盖，开闭上述腔室；铰接部，用于将上述腔室盖的一侧结合在上述腔室上，使得上述腔室盖可转动；夹具部，对上述腔室盖的另一侧施加压力，使上述腔室盖接合在上述腔室上；以及倾斜调节部，在上述夹具部对上述腔室盖的另一侧施加压力的状态下，使上述腔室盖的一侧上升，以此调节上述腔室盖的倾斜。
化学沉积装置以及处理

[发明专利]高温处理腔室盖体-CN201480013391.9有效
发明人：利克尔·杜鲁坎;乔尔·M·休斯顿;吴典晔;高建德;张镁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本文公开了用于处理腔室的盖体组件及包括盖体组件的处理腔室。盖体组件包括高温盖体模块及外壳。高温盖体模块设置成邻近处理腔室的处理衬里。柔性外壳设置在高温盖体模块的周围，且使用弹性环连接到所述高温盖体模块。
高温处理腔室盖体

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条