专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]离子进入/离开装置-CN201580024551.4有效
  • 凯文·贾尔斯;大卫·J.·兰格里奇;詹森·李·维尔德古斯 - 英国质谱公司
  • 2015-04-13 - 2018-04-17 - H01J49/06
  • 在第一模式中操作所述装置,其中在第一方向DC电势连续施加到所述电极阵列(20、22)中的至少一个的连续电极,以使得电势势垒在所述第一方向沿着所述至少一个阵列移动,且在所述第一方向离子驱动到所述装置中和也在第二模式中操作所述装置,其中在第二不同方向DC电势连续施加到所述电极阵列(20、22)中的至少一个的连续电极,以使得电势势垒在所述第二方向沿着所述阵列移动,且在所述第二方向离子驱动到所述装置中和所述装置提供用于在多个方向操控离子的单个相对简单的装置。举例来说,所述装置可用以在第一方向离子载入到离子迁移率分离器中或从离子迁移率分离器射出离子,且接着可用以使得离子在所述第二方向移动穿过所述离子迁移率分离器,以便使得所述离子分离。
  • 离子进入离开装置
  • [发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201711269041.0有效
  • 黄诗涵;谢志宏 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2017-12-05 - 2023-06-16 - H01L29/78
  • 静态随机存取存储(SRAM)单元包括均在第一方向延伸的第一栅极和第二栅极。第一间隙在第一方向第一栅极与第二栅极分隔。SRAM单元包括在第一方向延伸的Vcc接触件。第二间隙在垂直于第一方向的第二方向Vcc接触件与第一栅极分隔。Vcc接触件的区段在第一方向没有与第一间隙重叠。SRAM单元包括在第一方向延伸的Vss接触件。第三间隙在第二方向Vss接触件与第一栅极分隔。Vss接触件的区段被设置为邻近第一间隙。Vss接触件在第二个方向小于Vcc接触件。
  • 半导体器件及其形成方法
  • [实用新型]一种定位工装及焊接工装-CN202320213742.7有效
  • 程勇军;谭嘉铭 - 科达制造股份有限公司
  • 2023-02-13 - 2023-09-08 - B23K37/04
  • 本实用新型公开了一种定位工装及焊接工装,该定位工装包括:定位座,其设有定位面;纵向固定机构,其设置在所述定位座上,用于在纵向方向工件固定在所述定位面上;横向固定机构,其设置在所述定位座上,用于在横向方向工件固定;位置调整机构,其设置在所述定位座上,用于调整所述定位座的相对位置;本申请的定位工装通过所述横向固定机构在横向方向对工件进行固定,并通过所述纵向固定机构在纵向方向工件固定在所述定位面上,从而完成工件的固定
  • 一种定位工装焊接
  • [发明专利]摄像机装置-CN201610092041.7有效
  • 小山辉宪 - 株式会社理光
  • 2016-01-07 - 2019-05-03 - H04N5/225
  • 该摄像机装置包括:保持部件,保持并排布置的多个摄像机;支撑部件,支撑保持部件;第一定位器,在摄像机的布置方向保持部件定位到支撑部件;以及第二定位器,在摄像机的光轴方向保持部件定位到支撑部件,该第二定位器能够在摄像机的布置方向移动第一定位器和第二定位器布置在摄像机的布置方向
  • 摄像机装置
  • [发明专利]一种激光合束方法和装置-CN201710694176.5有效
  • 余勤跃;程国军;扈金富 - 温州泛波激光有限公司
  • 2017-08-14 - 2020-06-23 - G02B27/10
  • 本发明提供了一种激光合束方法和装置,其方法包括步骤一:在快轴方向多个一字排列的发光点所对应的一束光进行扭转,并且形成发散的多束光;步骤二:对所述发散的多束光进行会聚,并且形成错开的多束平行光;步骤三:在快轴方向所述错开的多束平行光分别进行扭转,并且合束形成一束光;步骤四:对合束后的一束光进行会聚。本发明提供的激光合束方法和装置,通过在快轴方向多束光合束成一束光,同时,在慢轴方向分割重排发光束,以到达提高总光束质量的目的。
  • 一种激光方法装置
  • [发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201910684441.0在审
  • 坂田晃一;铃木和贵;芦立浩明;佐藤胜广;中冈聡 - 东芝存储器株式会社
  • 2019-07-26 - 2020-09-22 - H01L27/11551
  • 一实施方式的半导体存储装置具有:第1积层体,包含在第1方向积层,且在第2方向及第3方向延伸的多个第1电极层;第2积层体,包含在第1积层体的第1方向积层,且在第2方向及第3方向延伸的多个第2电极层;半导体膜,在第1积层体内及第2积层体内在第1方向延伸;电荷储存层,分别设置在多个第1电极层与半导体膜之间、及多个第2电极层与半导体膜之间;及分离构造,在第1方向及第2方向延伸,且在第3方向第1分离构造具有:第1分离膜,在第1方向延伸,在第3方向第1积层体分离;第2分离膜,第3方向的位置与第1分离膜不同,且在第1方向延伸,在第3方向第2积层体分离;及膜,设置在第1分离膜上,包含与第1方向延伸的第1分离膜相同的材料。
  • 半导体存储装置及其制造方法
  • [发明专利]粘合带-CN202210166681.3在审
  • 沼津靖弘 - 尼托母斯股份有限公司;日东电工株式会社
  • 2022-02-23 - 2022-08-30 - C09J7/21
  • 至少1条孔眼线(4)各自具有:多个分断部(41),其在粘合带(1)的长度方向一侧区域和另一侧区域分断开;连接部(42),其位于所述多个分断部中的在所述粘合带的宽度方向相邻的各两个所述分断部之间,在所述粘合带的长度方向所述一侧区域和所述另一侧区域相连;以及弱连接部(43),其在所述粘合带的长度方向所述一侧区域和所述另一侧区域相连,该弱连接部的断裂强度小于所述连接部的断裂强度,该粘合带具有至少1组由所述连接部和所述弱连接部在所述粘合带的宽度方向相邻而成的组
  • 粘合
  • [发明专利]像素和包括其的显示装置-CN202180051659.8在审
  • 赵义明;姜晧喆;尹锡泳;张大光 - 三星显示有限公司
  • 2021-08-25 - 2023-04-18 - G09G3/32
  • 在第一模式下,像素电路在第一电流流动方向第一驱动电流提供到发光单元,并且在第二模式下,像素电路在与第一电流流动方向不同的第二电流流动方向第二驱动电流提供到发光单元。发光单元包括:第一电极和第二电极,彼此间隔开;第一发光元件,在第一电流流动方向连接在第一电极与第二电极之间;以及第二发光元件,在第二电流流动方向连接在第一电极与第二电极之间。
  • 像素包括显示装置

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