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[其他]半导体元件-CN101987000006746在审
发明人： C·克里斯蒂安·阿巴斯;延斯·戈布雷希特;霍斯特·格吕宁;扬·福博利尔 -专利权人： BBC勃朗·勃威力有限公司
申请日： 1987-10-01 - 公布日： 1989-07-05 - 主分类号：文献下载
摘要：对一种在半导体衬底中具有各种不同掺杂层（２，３，４，５）的半导体元件进行了电气性能方面的改进，方法是用深腐蚀坑（１０）局部减少载流区衬底的厚度，同时基本上保持半导体衬底原有的机械稳定性。
半导体元件

[发明专利]半导体元件-CN87106746.3无效
发明人： C·克里斯蒂安·阿巴斯;延斯·戈布雷希特;霍斯特·格吕宁;扬·福博利尔 -专利权人： BBC勃朗·勃威力有限公司
申请日： 1987-10-01 - 公布日： 1989-07-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：对一种在半导体衬底中具有各种不同掺杂层(2，3，4，5)的半导体元件进行了电气性能方面的改进，方法是用深腐蚀坑(10)局部减少载流区衬底的厚度，同时基本上保持半导体衬底原有的机械稳定性。
半导体元件

[发明专利]经济型抗H2-CN202010765899.1在审
发明人：钟彬;陈义庆;高鹏;李琳;艾芳芳;伞宏宇;苏显栋;沙楷智;肖宇 -专利权人：鞍钢股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01N3/20 文献下载
摘要：本发明公开一种经济型抗H2S‑CO2油井管的应力腐蚀性能测试方法，将试样加工和表面预处理，计算表面积和原始质量，按照名义屈服强度进行四点弯曲加载，将夹具和试样整体放入密闭储罐中进行抗应力腐蚀试验，完成试验周期后，将未失效的试样进行表面除锈处理，记录试验后的质量，进行腐蚀速率分析，并进行表面形貌观察和腐蚀深度的测量，将试样拉应力侧表面的腐蚀腐蚀深度作为最后的测试结果，通过腐蚀形貌观察和计算腐蚀坑的深度来评价油井管材料的抗应力腐蚀性能，结合腐蚀速率评价油井管的耐蚀性能。
经济型 base sub

[发明专利]一种碳化硅晶体的位错识别方法-CN202010042808.1在审
发明人：张九阳;李霞;高宇晗;高超 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶体的位错识别方法，所述方法包括以下步骤：(1)将碳化硅晶体在碱性腐蚀剂中进行腐蚀；(2)腐蚀完成后，观察位错腐蚀坑形貌，从而将碳化硅晶体中刃位错、螺位错和基平面位错识别；所述碳化硅晶体包括高纯碳化硅和氮掺杂碳化硅，其中，高纯碳化硅的腐蚀时间为5～7min，氮掺杂碳化硅的腐蚀时间为7～9min。本发明通过优化碱性腐蚀的腐蚀时间，将高纯碳化硅和氮掺杂碳化硅的腐蚀时间控制在少于10min，就能将高纯碳化硅或氮掺杂碳化硅中的刃位错、螺位错和基平面位错三种位错准确区别开来；腐蚀时间短且能将晶体中的三种位错准确识别出来
一种碳化硅晶体识别方法

[实用新型]一种碳化硅晶片微管缺陷检测装置-CN201420003761.8有效
发明人：宁敏;刘云青;张红岩;高玉强 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2014-01-03 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶片检测领域，具体涉及一种腐蚀后碳化硅晶片微管缺陷检测装置。本实用新型结构简单，实现了碳化硅晶片微管缺陷腐蚀坑的放大和传递，使其分辨更清晰，计数更加准确、快速，可以广泛推广和应用。
一种碳化硅晶片微管缺陷检测装置

[发明专利]一种油井管材料沉积硫腐蚀试验方法及其试验用夹具-CN201310391252.7有效
发明人：周庆军;杨建强;张忠铧;王炜;吴玮巍 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：一种油井管材料沉积硫腐蚀试验方法，包括(1)沉积硫腐蚀环境模拟方法，1)采用分析纯单质硫粉，经研钵研磨后用标准筛筛分，取‑400目的硫粉使用；2)模拟油气井地层水成分配制溶液，溶液的Cl‑浓度范围0～150g碾压，使硫粉润湿；4)将套筒一端的顶头拧紧，把圆柱试样立于套筒中央，向试样周围填充调成糊状的硫并压紧填实，拧上另一端顶头，使锥形顶头顶在试样两端的锥形孔上，以使试样固定并处于套筒的中心；(2)高温高压腐蚀试验，(3)测量试样的失重及局部腐蚀坑的深度，计算均匀腐蚀速率和局部腐蚀速率。根据本发明，可有效模拟沉积硫作用下材料的腐蚀行为，试验结果可靠。
一种油井材料沉积腐蚀试验方法及其夹具

[发明专利]存储器、金属点蚀过程识别方法、装置及设备-CN202110172983.7在审
发明人：邱枫;白永忠;李明骏;屈定荣 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属点蚀过程识别方法及装置，该方法包括如下步骤：A、采集试件点蚀过程中的点蚀坑表面图像，获取金属点蚀过程的表面变形和应变分布情况，并同步采集相应的声发射信号；B、对表面变形和应变分布情况的图像进行识别；C、依据识别的图像，将同步采集到的声发射信号分阶段进行截取，将气泡产生、膜破裂以及蚀坑生长三个阶段的声发射信号与所述图像相对应；D、提取不同温度、腐蚀强度以及应力大小情况下的声发射信号的特征参数，作为点蚀声发射识别神经网络模型的输入变量并进行模型训练；通过模型的气泡产生、膜破裂以及蚀坑生长的声发射输出变量对金属点蚀过程进行识别。本发明可同步采集点蚀坑表面图像数据和声发射信号，通过分析声发射信号，为金属材料受到点蚀损伤时进行及时的识别与预警。
存储器金属过程识别方法装置设备

[实用新型]杜仲茶发酵用喷淋水蓄水池-CN202022921811.9有效
发明人：罗云霄 -专利权人：灵宝市天地科技生态有限责任公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： A23F3/34 文献下载
摘要：本实用新型属于发酵技术领域，具体涉及杜仲茶发酵用喷淋水蓄水池;包括水箱、第一水池坑、第二水池坑、第一水池和第二水池，第一水池设置在第一水池坑内，第二水池设置在第二水池坑内，水箱、第一水池和第二水池均为顶部设置有可开启密封盖的空腔体第一水池和第二水池底部分别设置有第三出液管和第四出液管，第一出液管、第二出液管、第三出液管和第四出液管上分别设置有电磁阀，并且水箱、第一水池和第二水池均为不锈钢材质构成;采用不锈钢池体，能够减少池体的腐蚀
杜仲发酵喷淋蓄水池

[发明专利]一种高强耐腐蚀钢筋及其热处理方法-CN201810164763.8有效
发明人：张贺佳;张俊粉;胡心光;张晓磊;房超;张志华 -专利权人：河钢股份有限公司承德分公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C22C38/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强耐腐蚀钢筋及其热处理方法，所述高强耐腐蚀钢筋的化学成分组成及质量百分含量如下：C：0.041～0.075%，Si≤0.56%，Mn≤0.45%，Cr：5.2～6.3%，Ni：0.5～1.1%，Cu：0.13～0.27%，P≤0.05%，Nb：0.01～0.14%，Zn：0.01～0.15%，Sn：0.01～0.14%，其余为Fe和不可避免的杂质；所述热处理方法将需要热处理的高强耐腐蚀钢筋与刚下线的热轧钢筋一同放入缓冷坑中堆冷本发明钢筋具有较高的耐腐蚀性能和优异的力学性能，生产成本低，应用前景广阔。
一种高强腐蚀钢筋及其热处理方法

[发明专利]CdSiP₂晶体的腐蚀剂与腐蚀方法-CN201610453782.3有效
发明人：赵北君;何知宇;林莉;陈宝军;黄巍;朱世富 -专利权人：四川大学
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明所述CdSiP₂晶体的腐蚀剂，由溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水配制而成，溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水的体积比为：溴素:甲醇:硝酸:盐酸:纯净水＝(0.003～0.005):本发明所述CdSiP₂晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，步骤依次如下：(1)将抛光、清洗、干燥处理后的CdSiP₂晶片浸入腐蚀剂中，在常压、室温下超声振荡腐蚀5～10分钟取出；(2)将从腐蚀剂中取出的CdSiP₂晶片浸入质量浓度为5％的NaOH溶液中清洗以终止反应，再用纯净水清洗至中性；(3)将清洗后的CdSiP₂晶片在常压下自然干燥或烘干使用上述腐蚀剂和腐蚀方法对CdSiP₂晶体进行腐蚀具有很好的择优腐蚀性，腐蚀后的CdSiP₂晶片在扫描电镜下可以清晰地显示出某一晶面的腐蚀坑形貌。
cdsip sub 晶体腐蚀剂腐蚀方法

[发明专利]一种多晶硅太阳能电池的制绒液-CN201010283970.9有效
发明人：裴骏;刘绍军;林育琼;王坤霞 -专利权人：上海神舟新能源发展有限公司
申请日： 2010-09-16 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：与现有技术相比，本发明在酸腐蚀液中添加了NaF，从而使表面的张力及润湿效果产生变化，还可以导致溶液整体pH值增加，使得溶液中起氧化作用的活性离子浓度降低，腐蚀速率降低，通过在酸腐蚀中使用此制绒液，硅片腐蚀速度平缓，从而制得适合工业生产的多晶硅绒面，绒面中腐蚀坑分布均匀。
一种多晶太阳能电池制绒液

[发明专利]一种微坑阵列的制作方法-CN201810016919.8有效
发明人：秦歌;刘凯瑞;曲海军;闫亮;张云燕;周奎 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B23H3/00 文献下载
摘要：本发明公布了一种微坑阵列的制作方法，包括以下几个步骤：（1）制备磁性胶体粒子悬浮液。（2）在工件表面制备磁性胶体粒子膜。在电解槽的阴极和阳极外侧加平行于电极的磁极，磁性胶体粒子在所加磁极产生的磁场作用力下被牢固地压在工件表面上，以表面覆有磁性胶体粒子的工件为阳极，以工件表面上的磁性胶体粒子为掩膜，在磁性胶体粒子之间的间隙中对工件进行电解腐蚀加工（4）去除磁性胶体粒子，得到微坑结构。本发明利用磁场力对磁性胶体粒子的作用，有效解决了粒子掩膜电解过程中作为掩膜的胶体粒子和基底之间黏附力不足的问题，其掩膜固定方式简单、操作简单，可保证掩膜电解加工微坑阵列工艺地顺利进行。
一种阵列制作方法

[实用新型]一种城市行道树树坑防护砖-CN201320035950.9有效
发明人：罗小林;王文响;于文博 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： A01G13/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种城市行道树树坑防护砖，属于道路工程技术领域。本实用新型包括无纺土工布层、鹅暖石层、透水砖；无纺土工布层通过树根铺设在树坑土层上，鹅暖石层铺设在无纺土工布层上，透水砖铺设在鹅暖石层上，其特征在于：透水砖侧部设有燕尾块，透水砖上开设有孔，且其侧部还设有圆弧槽本实用新型渗透性好、价格低、抗老化、抗腐蚀、阻尘，施工工艺简单；铺设在树坑土层面上的无纺土工布层能有效阻止灰尘产生，且能反滤、排水，即保证了树木刚移植期的生长，又利于城市园林环境的保护，且便于后期的维护
一种城市行道树防护

[实用新型]一种垃圾坑悬吊膜异味密闭装置-CN201821150862.2有效
发明人：姜同先;王永仪 -专利权人：青岛金海晟环保设备有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： B65F7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垃圾坑悬吊膜异味密闭装置，包括位于垃圾坑四周的混凝土墙和架设于混凝土墙上方的钢桁架，所述钢桁架下方铺设有密封膜，所述密封膜两端密封固定于混凝土墙顶端，所述密封膜中部固定于钢桁架上；所述密封膜包括聚酯纤维基材，位于聚酯纤维基材两侧由内至外依次设置的粘合层、PVC涂层和改性PVDF涂层/UV光固化层，本实用新型所公开的垃圾坑悬吊膜异味密闭装置气密性好，可以有效防止臭气外溢，膜材采用环保专用膜材，本身具有耐腐蚀
垃圾坑密封膜密闭装置钢桁架膜材悬吊异味聚酯纤维基材本实用新型混凝土墙原有建筑结构臭气外溢荷载设计抗菌防霉两端密封气密性好使用寿命依次设置荷载固化层抗老化耐腐蚀原有的粘合层改性混凝土架设铺设环保

[实用新型]一种室外盲沟排水集水坑结构-CN201920904526.0有效
发明人：张志军 -专利权人：重庆基准方中建筑设计有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： E03F5/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种室外盲沟排水集水坑结构，包括集水坑主体，所述集水坑主体剖面呈“凸”形，其顶面的人孔上设置检修盖板；所述集水坑主体内壁中间位置设置检修平台，所述检修平台将集水坑主体分为上部坑和下部坑；在人孔位置从上往下沿着集水坑主体内壁设置多个爬梯，位于所述集水坑主体底部耦合式安装潜污泵；位于所述下部坑内壁上设置盲沟孔，所述盲沟孔内设置铸铁管，所述铸铁管与盲沟贯通，所述盲沟的高度小于检修平台的高度。本实用新型结构新颖，设计巧妙，对现有技术中第三种处理方式的集水坑进行深化改造，增加人员检修平台，规避了由于集水坑过深容易造成人员伤亡和阀门长期暴露在潮湿环境中容易腐蚀的问题。
一种室外排水集水结构