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[发明专利]一种测试油井管抗应力腐蚀性能的方法-CN201910158595.6在审
发明人：钟彬;陈义庆;高鹏;李岩;艾芳芳;李琳;徐承明;王永明;孟凡磊;肖宇;杨洪刚 -专利权人：鞍钢股份有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G01N3/20 文献下载
摘要：本发明提供一种测试油井管抗应力腐蚀性能的方法，将试样加工成合适的尺寸，对其表面进行脱脂处理；按照名义屈服强度的70～80％比例进行四点弯曲加载，将夹具和试样整体放入密闭储罐中进行抗应力腐蚀试验，试验溶液为油田实际井液或nace标准A溶液，试验周期为360h～720h；将未失效的试样表面进行除锈处理；采用放大倍数为300～500的激光共聚焦显微镜对试样表面进行形貌分析和腐蚀坑深度测量。对弯曲加载试样表面进行除锈处理，将弯曲加载试验中未失效试样做进一步分析，不需要增加额外的试验，通过试样表面的形貌分析和拉应力侧表面的腐蚀坑的深度分析来进一步评价油井管的应力腐蚀敏感性，可量化评级油井管的耐硫化氢腐蚀性能
试样表面抗应力腐蚀测试油井除锈处理形貌分析腐蚀坑油井管激光共聚焦显微镜应力腐蚀敏感性夹具四点弯曲加载硫化氢腐蚀加载试验密闭储罐深度测量深度分析试验溶液试验周期试样加工试样整体脱脂处理侧表面拉应力试验放入加载井液评级屈服放大量化油田分析

[发明专利]一种表面粗糙化金刚石的超薄划片刀制备方法-CN202111203403.2在审
发明人：尹韶辉;洪秋 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C25D3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面粗糙化金刚石的超薄划片刀制备方法，包括以下步骤：步骤A、金刚石表面热腐蚀处理；将金刚石微粉与腐蚀剂压制成型的块体置入管式炉中加热保温处理，使腐蚀剂在热化学作用下在金刚石表面形成形状和大小可控的腐蚀坑本发明工艺方法简单，在金刚石表面形成形状和大小可控的腐蚀坑；利用金刚石表面的点洞腐蚀结构与结合剂之间形成“锚定连接”，电镀层对金刚石颗粒把持力高，工作层金刚石利用率高，有效延长划片刀的使用寿命。
一种表面粗糙金刚石超薄划片制备方法

[发明专利]碳化硅单晶片、晶体及制备方法、半导体器件-CN202011341347.4有效
发明人：刘春俊;娄艳芳;彭同华;王波;赵宁;郭钰;杨建;张平;邹宇;杨帆 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司;北京天科合达新材料有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：半导体器件，所述碳化硅单晶片表面为其法线方向与c向夹角为0度‑8度之间的表面，且该碳化硅单晶片上的聚集位错小于300个/cm2，所述聚集位错是指经过熔融KOH腐蚀后，得到的腐蚀坑中，任意两个腐蚀坑的几何中心之间的距离小于80微米的位错聚集情况。
碳化硅晶片晶体制备方法半导体器件

[发明专利]多层贴合膜用棱镜结构及其加工工艺-CN201911378905.1在审
发明人：沈渊;周鹏 -专利权人：凯鑫森(上海)功能性薄膜产业有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G02B5/04 文献下载
摘要：本发明属于光学薄膜技术领域，尤其涉及一种多层贴合膜用棱镜结构及其加工工艺；棱镜结构包括电镀在基辊表面的基层，所述基层表面经激光腐蚀、刀具雕刻形成有三角凸起和凸坑，所述三角凸起共有两圈，分别靠近靠近外端设置，且每圈中三角凸起等距分布，两圈所述三角凸起之间分布有若干凸坑；加工工艺步骤包括在基辊表面电镀基层、冷却、激光腐蚀雕刻出凸坑、刀具雕刻三角凸起和表面雾化处理。
多层贴合棱镜结构及其加工工艺

[发明专利]一种加载条件下不锈钢亚稳态点蚀模拟的方法-CN201210177818.1有效
发明人：王海涛;韩恩厚 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种加载条件下不锈钢亚稳态点蚀模拟的方法，属于不锈钢腐蚀技术领域，该方法通过元胞自动机实现不锈钢阳极溶解、钝化、氢离子扩散和盐膜水解，氢离子扩散采用萧邦区段方法提高扩散模拟的效率，在蚀坑生长过程中使用有限元实时分析蚀坑表面的应力和应变分布，再通过古特曼模型计算蚀坑表面各个微区的力学因素对腐蚀作用，以此作为元胞自动机的边界条件进行点蚀模拟。
一种加载条件下不锈钢亚稳态模拟方法

[发明专利]用于II－VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法-CN200810033251.4有效
发明人：赵守仁;陆修来;魏彦锋;陈新强;杨建荣;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2008-01-30 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： C23F11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于II－VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂，该腐蚀剂的成份配比为：H₂O∶HCl∶HNO₃∶HF∶K₂Cr_{2<腐蚀方法包括：被腐蚀样品的预处理，位错腐蚀和被腐蚀样品的后处理。它相比于目前Hg_1－xCd_xTe薄膜材料专用位错显示的两种常用Schaake和Chen腐蚀剂具有明显优势，体现在：腐蚀坑型较大、规则、背景清晰；又可以显示衬底材料Cd_1－yZn_yTe的位错腐蚀坑，这对于研究外延和衬底的位错对应关系具有重要意义。}
用于 ii vi 半导体材料显示腐蚀剂腐蚀方法

[发明专利]一种多晶硅片的制绒方法-CN201310340868.1有效
发明人：柳杉;黄治国;王鹏;梁晓静;梅超;包兵兵 -专利权人：上饶光电高科技有限公司
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅片的制绒方法，先对多晶硅片进行酸腐蚀的方式制绒，在表面形成腐蚀坑；然后再对多晶硅片进行碱腐蚀的方式制绒，在酸腐蚀形成的凹坑中腐蚀出金字塔的形貌，不仅可以降低多晶电池片的反射率，还可以提高类单晶太阳电池电的性能参数和转换效率
一种多晶硅片方法

[发明专利]一种KH2-CN202011045463.1在审
发明人：王圣来;徐龙云;余波;刘慧;张力元;王波 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种KH2PO4晶体{101}晶面产生清晰位错蚀坑的方法，属于晶体表征技术领域。配置74％～76％含水量的水‑乙醇混合溶液作为晶体腐蚀液，室温下将晶体样品置于该腐蚀液中并保持10～20s，取出后使用该腐蚀液对晶体表面抛光2～4s，抛光机转速设置在120～200r/min，将晶体表面的溶液擦拭干净并烘干，在光学显微镜和3D激光共聚焦显微镜下观察处理好的晶体表面，得到清晰的位错蚀坑照片。
一种 kh base sub

[发明专利]发动机皮带轮及其表面处理方法、车辆-CN202310688723.4在审
发明人：刘磊 -专利权人：一汽解放汽车有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：上述发动机皮带轮的表面处理方法，通过在发动机皮带轮上沉积TiAlN涂层，提高了发动机皮带轮的表面的耐磨性能和防腐蚀性能，从而减缓发动机皮带轮锈蚀形成腐蚀坑的速度，避免因腐蚀坑的边缘频繁切割发动机皮带导致发动机皮带容易断裂
发动机皮带轮及其表面处理方法车辆

[发明专利]一种提高时效硬化铝合金耐磨性能的处理方法-CN201710913146.9有效
发明人：王芝秀;李海;郑凯 -专利权人：常州大学
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： C22F1/04 文献下载
摘要：本发明属于铝合金热处理技术领域，提供了一种提高时效硬化铝合金耐磨性的处理方法，首先在略低于合金强化相溶解度线的温度进行固溶处理，在高温固溶体基体上形成一定尺寸和数量的残留强化相分布；随后进行淬火，获得过饱和固溶体；再进行腐蚀处理，围绕残留强化相发生溶解形成腐蚀坑，形成的腐蚀坑能起到储存润滑油的作用，以改善摩擦副接触面的润滑效果；最后进行峰时效处理，提高合金强度。
一种提高时效硬化铝合金耐磨性能处理方法

[发明专利]一种坑式耐酸反应槽的制作方法-CN89105928.8在审
发明人：杨大为 -专利权人：重庆市硅酸盐研究所
申请日： 1989-06-17 - 公布日： 1990-02-21 - 主分类号： B01J19/02 文献下载
摘要：一种坑式耐酸反应槽或贮槽及制造方法，其特征是在地下开挖一所需容量的坑，浇注钢筋混凝土层后再制作耐酸内层，为检查反应酸穿漏的现象，在坑开挖好后在坑底铺上一层方解石，坑壁布置上草绳层，当有穿漏情况发生时，反应酸与方解石反应有二氧化碳生成本发明制造的反应槽或贮槽方法简单，成本低廉，特别适用于制作固定式反应槽特别是耐腐蚀贮槽。
一种耐酸反应制作方法

[发明专利]晶体硅绒面的制备方法-CN201611192114.6在审
发明人：顾生刚;胡盛华;李剑;赵辰 -专利权人：北京市合众创能光电技术有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及光电技术领域，尤其是一种晶体硅绒面的制备方法，该方法利用光刻胶作为掩膜材料，对光刻胶曝光显影，形成特定图形，然后使用酸或者碱溶液对硅片进行腐蚀，在硅片表面形成坑状绒面，用这种方法制作的晶体硅绒面坑的形状和排列方式可以精确控制，这种绒面坑的陷光效果好，能有效降低光的反射率，从而提高晶体硅电池的转换效率。
晶体硅绒面制备方法

[实用新型]一种防撞地下升降式室外消防栓-CN201921259758.1有效
发明人：张细古 -专利权人：唐山微霖物业管理有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： E03B9/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种防撞地下升降式室外消防栓，包括：消防栓和保护坑，消防栓固定连接在保护坑内中间处，电机通过电线和插座电性连接，当需要使用该装置进行升降的时候，通过外接电源插上插座进行通电，形成闭合电路，使升降杆推动底座进行升降，使用起来更加便捷，达到更好的使用效果，通过在底座左右两侧均匀设有斜坡状的导水块，可以通过斜面将水引导至左右两侧便于排导回收，防止积水长时间累积在保护坑内腐蚀消防栓，达到对消防栓更好的保护效果，保护坑为凹槽状，通过保护坑为凹槽状将消防栓安装在保护坑内，使其低于路面水平高度，防止其受到外物的碰撞，达到更好的保护消防栓的效果。
一种地下升降室外消防栓

[发明专利]氧化锆种植体的表面处理方法-CN201710377775.4在审
发明人：刘光荣;朱爱萍 -专利权人：绍兴华晶科技有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化锆种植体的表面处理方法，属于缺失牙修复用的种植体加工技术领域，在注射成形的氧化锆种植体坯料排蜡之前，先对注射成形的氧化锆种植体坯料表面进行喷丸处理，然后进行排蜡，再进行烧结，最后进行酸腐蚀处理或其他方式的表面处理本发明氧化锆种植体的表面处理方法喷丸打坑效果好。本发明在注射成形的氧化锆种植体排蜡以前的坯料状态中（因为该状态的坯料还比较能通过喷丸打击出明显的凹凸坑），对其进行喷丸处理，使注射成形的氧化锆种植体坯料表面产生凹凸状坑，再去排蜡、烧结，使最终烧结成形后的氧化锆种植体表面具有明显的凹凸状坑，最后进行酸腐蚀处理或其他方式的表面处理。
氧化锆种植表面处理方法

[发明专利]一种具有原位SiN位错湮灭层的AlGaN薄膜及其外延生长方法-CN202011052794.8有效
发明人：张骏;岳金顺;梁仁瓅 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有原位SiN位错湮灭层的AlGaN薄膜及其外延生长方法，该方法步骤包括：在蓝宝石衬底上外延生长AlN膜层；在所述AlN膜层上外延生长第一AlGaN薄膜层；在所述第一AlGaN薄膜层上采用氢气腐蚀出位错坑；在所述位错坑表面原位沉积SiN位错湮灭层；在所述SiN位错湮灭层上外延生长第二AlGaN薄膜层。本发明通过在第一AlGaN薄膜层上先腐蚀出位错坑再进行SiN原位填补的方式，一方面能够使第二AlGaN薄膜层及后续膜层在生长过程中便同步进行了图形化处理，避免了将外延片取出进行复杂的刻蚀工艺，以及取出刻蚀时引入杂质的问题；另一方面，由于SiN位错湮灭层是同位错坑相对应的岛状分布结构，这种结构更利于第二AlGaN薄膜层的生长愈合。
一种具有原位 sin 湮灭 algan 薄膜及其外延生长方法