“朱世富”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果31个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种电视背板斜F型边框成型模具-CN202221672218.8有效
发明人：郝建广;黄国强;全洪杰;梁文俏;曾敬;易向飞;朱世富;朱世贵;杨良科;陈永奎;胡天旭;莫悔;黄琬婷;黄炫竣;程鹏;孙永配;谈月凤;王君;肖祖求;廖基洪 -专利权人：东莞市豪顺精密科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B21D37/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及电视背板加工设备技术领域，具体涉及一种电视背板斜F型边框成型模具，所述模具包括上模、下模和侧成型机构，所述背板主体位于上模和下模之间且被上模和下模压紧，所述侧成型机构包括上压块、侧滑动块和下固定块，所述上压块位于所述水平段的上方且可随上模上下移动，所述侧滑动块设在所述侧V型边框的内侧且可水平滑动，所述下固定块位于所述竖直段的下方，合模时，所述侧滑动块朝向所述侧V型边框滑动，所述上压块跟随上模向下移动，使得上压块、侧滑动块和下固定块三者对接并将侧V型边框成型为斜F型边框。该模具能够减少配合结构的移动，通过简单的结构配合将侧V型边框加工成型斜F型边框，有利于提高良品率。
一种电视背板边框成型模具

[实用新型]一种电视背板侧V型边框成型模具-CN202221670953.5有效
发明人：郝建广;黄国强;全洪杰;梁文俏;曾敬;易向飞;朱世富;朱世贵;杨良科;陈永奎;胡天旭;莫悔;黄琬婷;黄炫竣;程鹏;孙永配;谈月凤;王君;肖祖求;廖基洪 -专利权人：东莞市豪顺精密科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B21D5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及电视背板加工设备技术领域，具体涉及一种电视背板侧V型边框成型模具，包括上模、下模和侧成型机构，所述背板主体位于上模和下模之间且被上模和下模压紧，所述侧成型机构包括内折弯块、可水平滑动的上滑动块和插刀，所述内折弯块位于所述水平边框的下方，所述上滑动块位于所述水平边框的上方并可跟随所述上模上下移动，且所述上滑动块位于所述内折弯块的外侧，所述下模设有朝向上模的插刀，所述插刀位于所述上滑动块的外侧以便合模时推动所述上滑动块朝向内折弯块滑动，所述上滑动块与所述内折弯块对接将所述水平边框成型为侧V型边框。
一种电视背板边框成型模具

[发明专利]一种硒硫化镉多晶的合成方法-CN202010233397.4有效
发明人：黄巍;何知宇;陈宝军;赵北君;朱世富;伍俊 -专利权人：四川大学
申请日： 2020-03-29 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：一种硒硫化镉多晶的合成方法，所述硒硫化镉多晶为CdSxSe1‑x多晶或Cr:CdSxSe1‑x多晶，合成CdSxSe1‑x多晶时，以高纯度的CdSe和CdS为原料，合成Cr:CdSxSe1‑x多晶时，以高纯度的CdSe、CdS和CrSe为原料，工艺步骤：(1)合成容器的清洗与干燥，(2)装料与封结，(3)合成，合成容器为双层石英安瓿，合成在可倾斜和转动的两区域加热管式炉中进行，采用双温区气相合成与温度振荡相结合的工艺，合成完成后将合成炉倾斜使合成容器中的合成产物位于合成容器下端并进行降温，降温过程中控制合成容器上端的温度高于合成容器下端的温度。上述方法可大幅度提高硒硫化镉多晶的单次合成量，得到化学结构单一无杂峰的硒硫化镉多晶。
一种硫化多晶合成方法

[发明专利]四元硫锂化合物多晶体的合成容器与合成方法-CN201911285498.X有效
发明人：黄巍;何知宇;陈宝军;朱世富;赵北君 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了四元硫锂化合物多晶体的合成容器与合成方法。所述合成容器由第一PBN坩埚、第二PBN坩埚、内层石英坩埚和外层石英坩埚组合而成。所述合成方法以高纯度的Li2S、单质S和四元硫锂化合物的其它两种元素的高纯度单质为原料，工艺步骤：(Ⅰ)合成容器的清洗与干燥；(Ⅱ)装料；(Ⅲ)多晶体的合成，在可倾斜和转动的两区域加热管式炉中进行，两区域加热管式炉倾斜放置，将装有原料并封结的合成容器放入两区域加热管式炉内，装有原料的一端位于高温区，未装原料的一端位于低温区。使用本发明所述合成容器和方法，在保证合成安全性的条件下可得到单相的四元硫锂化合物多晶体，并增大单次合成四元硫锂化合物多晶体的原料量。
四元硫锂化合物多晶体合成容器方法

[发明专利]一种单相黄铜矿结构CdGeAs₂晶体材料的合成方法-CN201910198369.0在审
发明人：何知宇;赵北君;朱世富;黄巍;陈宝军 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种单相黄铜矿结构CdGeAs₂晶体材料的合成方法，包括以下步骤：S1：安瓿清洗，制作好的安瓿在使用前依次用碱、自来水、5％氢氟酸洗液对合成安瓿进行清洗，然后采用超声波进行振荡清洗，最后用高阻去离子水反复冲洗合成安瓿，直到清洗后用水的电阻达到2MΩ以上为止，然后将清洗后的合成安瓿放置于真空烘箱中烘干，封口待用。优点在于：本方法中，采用分步合成和熔体温度振荡与机械振荡等手段，合成过程简单，合成快速，不仅能够减小了合成反应爆炸的危险，有效地提高Ge与CdAs₂固相反应速率，确保了合成反应的充分进行，而且能够在反应最后阶段将部分残余As、Cd蒸汽从熔体中驱赶出来，进一步提高合成产物的纯度。
合成安瓿清洗黄铜矿结构合成反应晶体材料熔体封口氢氟酸洗液安瓿清洗固相反应合成产物合成过程机械振荡去离子水温度振荡真空烘箱振荡清洗最后阶段超声波有效地烘干电阻高阻减小冲洗蒸汽驱赶自来水爆炸制作

[发明专利]CdSiP₂晶体的腐蚀剂与腐蚀方法-CN201610453782.3有效
发明人：赵北君;何知宇;林莉;陈宝军;黄巍;朱世富 -专利权人：四川大学
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明所述CdSiP₂晶体的腐蚀剂，由溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水配制而成，溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水的体积比为：溴素:甲醇:硝酸:盐酸:纯净水＝(0.003～0.005):2:4:4:2。本发明所述CdSiP₂晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，步骤依次如下：(1)将抛光、清洗、干燥处理后的CdSiP₂晶片浸入腐蚀剂中，在常压、室温下超声振荡腐蚀5～10分钟取出；(2)将从腐蚀剂中取出的CdSiP₂晶片浸入质量浓度为5％的NaOH溶液中清洗以终止反应，再用纯净水清洗至中性；(3)将清洗后的CdSiP₂晶片在常压下自然干燥或烘干。使用上述腐蚀剂和腐蚀方法对CdSiP₂晶体进行腐蚀具有很好的择优腐蚀性，腐蚀后的CdSiP₂晶片在扫描电镜下可以清晰地显示出某一晶面的腐蚀坑形貌。
cdsip sub 晶体腐蚀剂腐蚀方法

[实用新型]一种用于单晶生长的石英防爆容器-CN201220493905.3有效
发明人：赵北君;朱世富;樊龙;杨辉;何知宇;陈宝军 -专利权人：四川大学
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：一种用于单晶生长的石英防爆容器，由内层坩埚和外层坩埚组成；内层坩埚为内壁镀有碳膜的石英管，其初始状态由单晶生长段和分别位于单晶生长段两端的进料段、籽晶淘汰段组成，进料段的端部为进料口，单晶生长段的外壁设置有定位突起，籽晶淘汰段的端部封闭且连接有导热杆；外层坩埚的初始状态为一端开口、一端封闭的石英管，所述石英管分为主体部段和籽晶袋与导热杆放置段；内层坩埚装于外层坩埚内，内层坩埚的单晶生长段位于外层坩埚的主体部段，内层坩埚的籽晶淘汰段及与籽晶淘汰段端部连接的导热杆位于外层坩埚的籽晶袋与导热杆放置段，内层坩埚的外壁与外层坩埚的内壁围成环形腔室。
一种用于生长石英防爆容器

[发明专利]一种磷硅镉单晶体的生长方法与生长容器-CN201210360981.1有效
发明人： 朱世富;赵北君;樊龙;杨辉;何知宇;陈宝军 -专利权人：四川大学
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种磷硅镉单晶体的制备方法，以富磷CdSiP2多晶粉末为原料，工艺步骤为：（1）生长容器的清洗与干燥；（2）装料；（3）将装有生长原料并封结的双层坩埚放入三温区管式晶体生长炉，然后将生长炉的高温区和低温区以30~60℃/h的速率分别升温至1150~1180℃、950~1050℃，并保持该温度，继后调节梯度区的温度，使温度梯度为10~20℃/cm，当所述生长原料在高温区保温12~36h后，控制双层坩埚以3~6mm/day匀速下降，当双层坩埚下降到低温区并完成单晶生长后，使其停止下降，在低温区保温24~72h，保温时间届满，将高温区、梯度温区、低温区的温度同时以20~60℃/h降至室温。一种单晶体生长容器，由内层坩埚和外层坩埚组成，内层坩埚与外层坩埚之间的环形腔室内加有调压用CdSiP2多晶粉末。
一种磷硅镉单晶体生长方法容器

[发明专利]一种磷硅镉多晶体的合成方法与合成容器-CN201110167404.6有效
发明人： 朱世富;赵北君;樊龙;何知宇;陈宝军 -专利权人：四川大学
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C01B25/08 文献下载
摘要：一种磷硅镉多晶体的合成方法，以高纯度的磷、硅、镉为原料，配料的摩尔比为硅∶镉∶磷＝1∶1∶2，并适当富磷。工艺步骤如下：(1)合成容器的清洗与干燥；(2)装料；(3)采用两区域适时温度监控、低温气相输运分离原料和高温熔体机械与温度振荡相结合的方法进行合成，合成结束后用梯度冷却方式抑制产物分解。所述合成容器由内层坩埚和外层坩埚组合而成，内层坩埚的工作状态为两端封闭的石英管，其两封闭端端部均设置有支撑杆，外层坩埚的工作状态为两端均由支撑套封闭的石英管，内层坩埚位于外层坩埚内，其两封闭端端部设置的支撑杆分别插入外层坩埚两端的支撑套，内层坩埚的外壁与外层坩埚的内壁围成环形气室。
一种磷硅镉多晶体合成方法容器

[实用新型]可调压合成容器-CN201120210437.X无效
发明人：赵北君;朱世富;樊龙;何知宇;陈宝军 -专利权人：四川大学
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：一种可调压合成容器，由内层坩埚和外层坩埚组合而成，内层坩埚的初始状态为一端开口、一端封闭的石英管，其封闭端端部设置有支撑杆，外层坩埚的初始状态为一端开口、一端由支撑套封闭的石英管，其内径大于内层坩埚的外径，其长度大于内层坩埚的长度，其支撑套的内径和长度与内层坩埚设置的支撑杆相匹配，内层坩埚的工作状态为两端封闭的石英管，其两封闭端端部均设置有支撑杆，外层坩埚的工作状态为两端均由支撑套封闭的石英管，内层坩埚位于外层坩埚内，其两封闭端端部设置的支撑杆分别插入外层坩埚两端的支撑套，内层坩埚的外壁与外层坩埚的内壁围成环形气室。
调压合成容器

[发明专利]一种铜单晶的定向方法-CN200910164398.1无效
发明人：赵北君;朱世富;肖怀安;唐世红;何知宇;陈宝军 -专利权人：四川大学
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： B23P17/04 文献下载
摘要：一种铜单晶的定向方法，步骤如下：(1)将铜单晶锭放入质量浓度35～45％的硝酸中浸蚀，浸蚀时间以铜单晶锭表面出现至少一组取向一致的反光面为限，以一组反光面为参考面，在铜单晶锭上磨出一个平行于所述参考面的平面，定义该平面为初平面；(2)用X射线衍射仪对铜单晶锭上的初平面进行X射线衍射θ-2θ联动扫描分析，将其X射线衍射谱图中最强峰对应的晶面指数(hkl)确定为定向晶面的晶面指数；(3)采用X射线衍射回摆法对铜单晶锭上的初平面进行修正，获法线平行于定向晶面(hkl)法线的最终修正面；(4)将所述最终修正面通过研磨与物理化学抛光去除表面的扰乱原子层，即获得准确定向的铜单晶晶面(hkl)。
一种铜单晶定向方法

[发明专利]ZnGeP₂晶体的腐蚀剂与腐蚀方法-CN200910060126.7无效
发明人： 朱世富;赵北君;陈宝军;何知宇;张羽;程江 -专利权人：四川大学
申请日： 2009-07-28 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：一种ZnGeP₂晶体的腐蚀剂，由冰醋酸、氢氟酸、硝酸、碘和纯净水配制而成，冰醋酸、氢氟酸、硝酸、纯净水的体积比为：冰醋酸∶氢氟酸∶硝酸∶纯净水＝1∶2∶2∶1，碘的质量∶冰醋酸体积＝4∶1。一种ZnGeP₂晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，工艺步骤依次为：(1)腐蚀，将ZnGeP₂晶片浸入腐蚀剂中，在超声波振荡下于常压、室温腐蚀4～16分钟取出；(2)清洗，将从腐蚀剂中取出的ZnGeP₂晶片浸入反应终止液中摆动清洗终止反应，再用纯净水清洗至中性，所述反应终止液由质量浓度5％的NaOH和质量浓度为3％的Na₂S₂O₃配制而成，NaOH与Na₂S₂O₃的体积比＝1∶1；(3)干燥。
zngep sub 晶体腐蚀剂腐蚀方法

[发明专利]黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法-CN200910058228.5有效
发明人：赵北君;朱世富;何知宇;陈宝军 -专利权人：四川大学
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法，步骤包括：(1)根据黄铜矿类负单轴晶体解理面{112}和{101}，利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和X射线衍射仪θ-2θ连续扫描确定晶体的C轴方向；(2)将已确定C轴方向的晶体置于切割机上，根据光学元件所需的相位匹配角θm朝远C轴方向转动样品台Δθ后进行切割，获得光学元件初样，Δθ＝θm-θ₍₁₁₂₎；(3)将光学元件初样置于X射线衍射仪样品台上，测定光学元件初样切割面的回摆谱，获得衍射峰位值θ′及Δθ′，Δθ′＝|θ′-θ′₍₁₁₂₎|；(4)光学元件的精加工，对光学元件初样切割面进行修正，直至Δθ′＝Δθ。
黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件定向切割方法

[发明专利]黄铜矿类正单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法-CN200910058229.X无效
发明人： 朱世富;赵北君;陈宝军;何知宇 -专利权人：四川大学
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种黄铜矿类正单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法，步骤包括：(1)根据黄铜矿类正单轴晶体解理面{101}和{112}，利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和X射线衍射仪θ-2θ连续扫描确定晶体的C轴方向；(2)将已确定C轴方向的晶体置于切割机上，根据光学元件所需的相位匹配角θm朝近C轴方向转动样品台Δθ后进行切割，获得光学元件初样，Δθ＝θ₍₁₀₁₎-θm；(3)将光学元件初样置于X射线衍射仪样品台上，测定光学元件初样切割面的回摆谱，获得衍射峰位值θ′及Δθ′，Δθ′＝|θ′-θ′₍₁₀₁₎|；(4)光学元件的精加工，对光学元件初样切割面进行修正，直至Δθ′＝Δθ。
黄铜矿类正单轴晶体制备红外非线性光学元件定向切割方法

[实用新型]用于单晶生长装置的结晶区温度梯度调节器-CN200820062849.1无效
发明人：赵北君;朱世富;何知宇;陈宝军;唐世红;王立苗 -专利权人：四川大学
申请日： 2008-04-10 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种用于单晶生长装置的结晶区温度梯度调节器，由保温隔热材料制作的座板和保温隔热材料制作的动板组成；座板上设置有一底部为平面的凹槽，凹槽的中心部位开设有大于坩埚套外径的通孔I，凹槽的环面上开设有调温孔I；动板的形状和径向尺寸与座板上设置的凹槽相匹配，动板中心部位开设有与通孔I尺寸相同的通孔II，动板环面上开设有调温孔II，调温孔II与调温孔I形状、尺寸、数量、间距相同；动板放置在座板所设置的凹槽中，其与凹槽为动配合，座板固定在坩埚下降法单晶生长装置炉体上。此种调节器结构简单，使用方便，调节单晶生长炉结晶区温度梯度时灵敏度高，使结晶区温度梯度可在大范围内调整，易于获得窄温区、大温梯的温场分布。
用于生长装置结晶温度梯度调节器

1
2
3
下一页»
尾页
共 31 条