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[发明专利]一种偏压电阻并联式发光二极管功率调整装置-CN202310124454.9在审
发明人：杨耀昇;王婷;谢亚伟;林文傑 -专利权人：江苏信息职业技术学院
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H05B45/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED灯技术领域，尤其涉及一种偏压电阻并联式发光二极管功率调整装置，包括驱动电源、第一至第n组LED模块、第一至第n组比较器、第一至第n组光耦器，其特征在于，所述驱动电源输出端连接至每一LED当该多个LED模块的其中之一故障时，通过所对应的比较器侦测到输出电压为0，则比较器产生一控制信号，该控制信号使所对应的光耦器不导通，使所对应的偏压电阻无法接地，呈现开路状状态，而无法于与其他偏压电阻并联，使得偏压电组的并联数目下降，而使总输出电流正比于并联偏压电组数目，而使提供至LED的总输出电流变小，不会使得过流而导致灯珠损毁。
一种偏压电阻并联发光二极管功率调整装置

[实用新型]一种等离子体增强制备精密涂层的电弧离子镀设备-CN201520057195.3有效
发明人：林国强;韩治昀;魏科科 -专利权人：大连理工常州研究院有限公司
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种等离子体增强制备精密涂层的电弧离子镀设备，属于材料表面改性技术领域，该设备中，包括真空腔室，真空腔室底部活动安装有旋转平台，旋转平台上放置工件，旋转平台与工件偏压电源负极相连，旋转平台与真空腔室绝缘，工件偏压电源正极与真空腔室相连；真空腔室壁上固定安装有热丝装置，热丝装置的负极与热丝偏压电源负极相连，热丝偏压电源正极与真空腔室相连，热丝装置与真空腔室绝缘；所述真空腔室上固定安装有增强过滤阴极弧源；
一种等离子体增强制备精密涂层电弧离子镀设备

[实用新型]一种低功耗静态存储器-CN201520168619.3有效
发明人：何佳;郑祺 -专利权人：上海工程技术大学
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低功耗静态存储器，其包括存储器阵列和多个自偏压电路，每个自偏压电路均由一个由字线控制的P型晶体管和一个栅极与漏极相连的N型晶体管组成；组成每个自偏压电路的P型晶体管的一端与动态电源相连接，另一端与存储器阵列电源相连接，组成每个自偏压电路的N型晶体管的一端与固定电源相连接，另一端与存储器阵列电源相连接。
一种功耗静态存储器

[发明专利]具有RCBC电极结构的单片电光调制器-CN201910822026.7有效
发明人：刘亚东;蔡鹏飞;苏宗一;潘栋 -专利权人：希烽光电科技（南京）有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：单片电光调制器包括有源区域，该有源区域包括多个p‑n结二极管，以及延伸通过有源区域的调制电极和偏压电极。单片电光调制器还包括电阻器‑电容器‑偏压电容器(RCBC)电极结构，其被配置为接收电调制信号，直流(DC)偏压电压和电源电压。具体地，RCBC电极结构包括耦合到调制电极的电阻器和两个电容器，每个电容器耦合到偏压电极的相应端。有利地，RCBC电极结构使得p‑n结二极管能够独立于电调制信号的DC电平而被偏压。
具有 rcbc 电极结构单片电光调制器

[发明专利]液体显影装置、液体显影方法、图像形成装置及方法-CN03160095.6无效
发明人：藤田徹;古贺欣郎;北泽淳宪;中村昌英 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-09-27 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： G03G15/10 文献下载
摘要：在显影辊(31)和橡皮辊(51、52、53)之间，分别连接有浓度调整偏压产生部(119)。浓度调整偏压产生部(119)包括正偏压电源部(61)、负偏压电源部(62)及短路线部(63)、以及根据来自CPU(113)的控制信号来切换各部(61～63)的连接的开关(64)。
液体显影装置方法图像形成

[实用新型]液体显影装置及图像形成装置-CN03282571.4无效
发明人：藤田徹;古贺欣郎;北泽淳宪;中村昌英 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-09-27 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： G03G15/10 文献下载
摘要：在显影辊(31)和橡皮辊(51、52、53)之间，分别连接有浓度调整偏压产生部(119)。浓度调整偏压产生部(119)包括正偏压电源部(61)、负偏压电源部(62)及短路线部(63)、以及根据来自CPU(113)的控制信号来切换各部(61～63)的连接的开关(64)。
液体显影装置图像形成

[实用新型]一种偏压辅助阳极装置及真空磁控溅射设备-CN202220472099.5有效
发明人：吴翔;赵晓健;王琪;李建根 -专利权人：四川南玻节能玻璃有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型属于材料表面改性领域，具体涉及一种偏压辅助阳极装置及真空磁控溅射设备。该偏压辅助阳极装置，应用于真空磁控溅射设备，所述真空磁控溅射设备包括镀膜腔体，所述镀膜腔体内设有传动辊道，所述传动辊道上方设有靶材；所述传动辊道两侧的空间内设有所述偏压辅助阳极装置，所述偏压辅助阳极装置包括辅助阳极和偏压电源；所述辅助阳极用于吸引传动辊道两侧的游离自由电子；所述偏压电源一端连接所述辅助阳极，另一端用于接地。针对靶材沿垂直于传动辊道输送方向的两端空间中的游离自由电子，偏压装置给辅助阳极施加一个固定的直流正偏压。改善游离自由电子积累一定程度后对玻璃表面放电的现象，消除静电斑纹。
一种偏压辅助阳极装置真空磁控溅射设备

[发明专利]自激式振荡电路-CN200780022869.4无效
发明人：北村浩康 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H02M3/28 文献下载
摘要：本发明提供一种自激式振荡电路，具备：断开晶体管(Tr1)，将晶体管(Q1)截止；断开电容(C3)，向断开晶体管(Tr1)的基极输出电压(Vb)；偏压电阻(R1)，以与晶体管(Q1)导通时流过的漏极电流(Id)相应大小的电压，对断开电容(C3)进行充电，其中，在断开电容(C3)与电源部(50)之间连接有电阻(R3)。由此，断开电容(C3)蓄积电荷以免电压(Vb)处于指定的偏压电压以下，可以减小偏压电阻(R1)，降低偏压电阻(R1)的能量损耗。
振荡电路

[发明专利]脉冲激光加热阴极电子枪、选区熔化装置和束流调控方法-CN202211491426.2有效
发明人：房卫萍;桑兴华;许海鹰;易耀勇 -专利权人：广东省科学院中乌焊接研究所
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01J29/48 文献下载
摘要：本发明涉及电子束选区熔化设备领域，提供了脉冲激光加热阴极电子枪、选区熔化装置和束流调控方法。脉冲激光加热阴极电子枪，包括：激光头、顶盖、壳体、束流导引件、以及设置于所述壳体内绝缘子、第一导电环、第二导电环、阴极、偏压杯、阳极和线圈组件。电子束选区熔化装置，包括激光头位置调控机构、测温单元、真空装置、真空室、高压电源、激光器、控制系统以及上述脉冲激光加热阴极电子枪；束流调控方法，红外测温探头检测的阴极温度作为反馈量，使激光加热阴极形成闭环控制本申请提供的装置能够满足大型复杂精密金属构件电子束选区熔化增材制造对电子枪阴极长寿命的需求，降低高压电源设计难度，提高装置整体性能。
脉冲激光加热阴极电子枪选区熔化装置调控方法

[发明专利]一种用于传感器的电编程直流—直流升压偏压电路-CN200510063367.9无效
发明人：乔东海;汤亮;田静 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2005-04-08 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H02M3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于传感器偏压的直流—直流(DC/DC)升压偏压电路。包括电源输入电路和依次连接的倍压电路、偏压输出电路；还包括电可编程电平控制电路，其输出端与倍压电路的输入端电连接；所述电可编程电平控制电路包括至少一个电可编程模拟元件。本发明的优点是：在制作成ASIC后，它的输出电压仍然可以通过电编程的方式在一定范围内进行调节，使得一种专用ASIC芯片可以应用于对偏压有不同要求的多种传感器，尤其适合对空间要求严格的场合；电源输入有很大的动态范围，即便由于误操作在电源输入端接入很高的电压，也不会产生破坏性结果；产品由于使用时间长而发生老化时，可以调节灵敏度，延长使用寿命。
一种用于传感器编程直流升压偏压电路

[实用新型]一种直流转换脉冲偏压电源水冷装置-CN201921757217.1有效
发明人：窦久存;窦立洋 -专利权人：唐山标先电子有限公司
申请日： 2019-10-19 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直流转换脉冲偏压电源水冷装置，包括外壳和水箱，所述水箱固定在外壳的左侧上端内壁上，所述外壳的左侧中部设置有进风网，所述水箱右侧的外壳内壁上固定有第一毛细管，所述进风网右侧的外壳内壁上固定有第二毛细管
一种直流转换脉冲偏压电源水冷装置

[发明专利]一种雪崩光电二极管的偏压电路及供电方法-CN202010591683.8有效
发明人：陈志强;陈序光;祝成军;王晶 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种雪崩光电二极管(APD)的偏压电路，该偏压电路包括：升压单元、控制单元和多组电压提供单元；其中，所述升压单元分别与所述多组电压提供单元中每组电压提供单元电连接，用于接收电源电压信号，将所述电源电压信号转换成目标偏压信号；向所述多组电压提供单元中的每组电压提供单元发送所述目标偏压信号；所述多组电压提供单元中的每组电压提供单元分别与所述控制单元、对应的单路APD电连接，用于接收所述控制单元发送的控制信号和所述升压单元发送的目标偏压信号，并基于所述控制信号和所述目标偏压信号确定向所述单路APD施加的工作电压信号，向所述单路APD施加所述工作电压信号。
一种雪崩光电二极管偏压电路供电方法

[发明专利]用于存储器件的内恒压控制电路-CN97116501.7无效
发明人：金柱汉 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1997-09-09 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种用于半导体存储器件的内恒压控制电路，其包括电流源，用以在电源接通时根据电流产生电压；偏压电路，用以在电源接通时输出第一偏压；第一电平移位器，用于接收电流源的输出电压，并输出第一电压；第二电平移位器，用于接收偏压电路的输出电压，并输出第二电压；和缓冲器，用以差动地放大第一电平移位器的输出电压和第二电平移位器的输出电压，并且产生内电压。
用于存储器件内恒压控制电路

[发明专利]一种关节轴承内圈外表面沉积类金刚石薄膜的方法-CN202011219357.0在审
发明人：王少峰;程大林;席少静;李长清;周岩;汪哲 -专利权人：河北汉光重工有限责任公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种关节轴承内圈外表面沉积类金刚石薄膜的方法，步骤如下：首先对关节轴承内圈表面进行清洗；将清洗后的关节轴承内圈放入真空腔内，抽真空至2×10‑3Pa；然后通入氩气，打开离子束，打开脉冲偏压，对关节轴承内圈表面进行离子清洗；向真空腔内通入氩气，对关节轴承内圈附加负偏压，磁控溅射钛靶沉积钛过渡层；之后向真空腔内通入氩气和乙炔，打开离子束和偏压电源，在钛过渡层表面磁控溅射碳靶沉积类金刚石薄膜；最后待真空腔内温度降到室温后把关节轴承内圈取出
一种关节轴承圈外表面沉积金刚石薄膜方法

[发明专利]基片刻蚀方法及基片处理设备-CN201110424013.8有效
发明人：韦刚;王春;李东三 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：所述基片刻蚀方法包括：S1：将待处理的基片放入反应腔室；S2：向所述反应腔室输入刻蚀气体；S3：开启激励电源以在所述反应腔室内产生等离子体；S4：开启偏压电源以向所述基片施加偏压功率；S5：关闭所述偏压电源且同时向所述反应腔室内输入沉积气体；S6：停止向所述反应腔室内输入沉积气体且同时开启所述偏压电源；和S7：重复步骤S5-S6直至完成刻蚀工艺。
刻蚀方法处理设备