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[发明专利]半导体装置-CN200810130476.1有效
发明人：古谷田靖 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： G09G5/36 文献下载
摘要：显示用存储器(12)通过电源(RVDD)而动作，根据来自逻辑部(11)的各种信号以预定的时序存储显示数据(WD)。偏压电路(14)检测出逻辑部(11)中的对显示用存储器(12)的存储器写入信号(MAW)、存储器读出信号(MAR)，根据检测结果控制存储器用电源部(13a)的偏压。存储器用电源部(13a)由模拟放大器构成，对电源端子(VCC)的电源降压并设定得恒定，作为电源(RVDD)提供到显示用存储器(12)。存储器用电源(13a)通过偏压电路(14)的控制切换偏压电流，从而使驱动能力可变。
半导体装置

[发明专利]一种聚焦极控制行波管阴极脉冲调制装置及方法-CN201811378578.5有效
发明人：王一农;陈永浩;徐晓荣 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01J25/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚焦极控制行波管阴极脉冲调制装置及方法，其装置包括高压电源、截尾开关管电路和开启开关管电路；高压电源具有两个输出端口A和B，输出端A连接截尾开关管电路的输入端，输出端B连接开启开关管电路的输出端和行波管的聚焦极其调制方法为将聚焦极始终维持在同步电位，通过使得阴极在截止正偏压和同步电位间摆动控制电子束电流的通断。行波管截止电压为正偏压,无需独立偏置电源控制聚焦极行波管电子注通断，电路简单使用器件少，降低了成本，使得电源的体积减小，大大提高了整个行波管发射机的可靠性和功率密度。
一种聚焦控制行波阴极脉冲调制装置方法

[发明专利]沉积设备及沉积方法-CN202111588509.9在审
发明人：王亘黼;董福庆;王庆钧 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开一种沉积设备及沉积方法，其中沉积设备包括腔体、平台、喷洒头、偏压电源、第一注入装置以及第二注入装置。平台及喷洒头配置于腔体内，且平台用以承载具有高深宽比结构的基材。偏压电源耦接于平台。当第一前驱物或第二前驱物注入腔体时，开启偏压电源。当第一惰性气体或第二惰性气体注入腔体时，关闭偏压电源。
沉积设备方法

[发明专利]接收器及控制接收器的方法-CN201710206245.3在审
发明人：陈俊嘉;许健丰;刘家驥 -专利权人：晨星半导体股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明揭露了一种接收器，其包含有一偏压电流源、一比较器以及一输出电路，其中该偏压电流源由一第一电压源供电，且根据一第二电压源产生一偏压电流，其中该第一电压源高于该第二电压源；该比较器耦接于该偏压电流源，且由该偏压电流源供电来对两个输入信号进行比较以产生一比较信号；以及该输出电路由该第二电压源供电来根据该比较信号产生一输出信号，其中该输出信号与该第二电压源具有相同电源域。
电压源偏压电流源比较信号输出电路输出信号接收器比较器供电控制接收器偏压电流电源域耦接

[发明专利]振荡器电路以及相关的振荡器装置-CN201811095760.X有效
发明人：郝报田;李超;王维铁 -专利权人：雅特力科技（重庆）有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：振荡器电路包含负温度系数偏压电流产生电路以及一组振荡器子区块电路，其中负温度系数偏压电流产生电路耦接于电源电压与接地电压之间，而该组振荡器子区块电路彼此耦接以形成振荡器。负温度系数偏压电流产生电路可用来产生负温度系数偏压电流。该组振荡器子区块电路中的每一振荡器子区块电路包含多个晶体管，其耦接于电源电压以及负温度系数偏压电流产生电路中的一节点之间，而负温度系数偏压电流产生电路以及所述每一振荡器子区块电路共享该多个晶体管中的至少一个晶体管
振荡器电路以及相关装置

[发明专利]一种InGaN/GaN LED纳秒脉冲驱动电路-CN201710044447.2有效
发明人：辛云宏;贺帆;马剑飞 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-01-21 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种InGaN/GaN LED纳秒脉冲驱动电路，利用电流脉冲峰值技术，肖特基二极管SBD1和SBD2和电容C构成的回路会产生电流峰值，从而可以使光脉冲的上升时间缩短几个纳秒，缩短了光脉冲的上升时间；第一电感L1连接在LED阴极与偏压电源Vcc之间，在电流脉冲下降的阶段，利用电感提供的反向电流回路，产生一个下冲电流，从而可减小光脉冲的下降时间，以加速LED熄灭，大大的改善光脉冲的下降时间；高速场效应管的开关电路主要是通过增加辅助开关给主开关的寄生输出电容快速充电，来缩短主开关的关闭时间，来提高场效应管的开关速率；将LED的阳极与直流偏压Vcc相连接，这样就可以在电流脉冲到来之前给等效电容充满电，从而较有效的缩短了LED导通的延时，较大改善LED的瞬态响应时间。
一种 ingan ganled 脉冲驱动电路

[发明专利]高压电源装置-CN201710161614.1有效
发明人：黄耀德;高振凯;胡志佳;林家庆 -专利权人：奕力科技股份有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高压电源装置，包括M个第一中压开关、M个第一开关串联组、第二开关串联组及L个第一电流源，M为大于或等于2的整数，且L＝M－1。M个第一开关串联组包括辅助开关串联组及L个偏压开关串联组。M个第一中压开关依序串接在电源电压与高压电源装置的输出端间，且分别受控于M个第一偏压电压以传输电源电压至输出端。各第一开关串联组的第一端耦接电源电压，且第二端产生对应的第一偏压电压。各第一电流源耦接在对应的偏压开关串联组的第二端与接地电压间。
高压电源装置

[发明专利]使用高中性密度等离子体植入的共形掺杂-CN200880100529.3无效
发明人：史帝文·R·沃特 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：一种等离子体掺杂设备包括等离子体源，所述等离子体源产生脉冲的等离子体。压板接近等离子体源而支撑基板以供等离子体掺杂。结构吸附薄膜，所述薄膜在被解吸附时提供多个中性。偏压电源产生偏压波形，所述偏压波形具有将等离子体中的离子吸引至基板以供等离子体掺杂的负电位。
使用中性密度等离子体植入掺杂

[发明专利]SPAD的控制电路、距离感应器模组及移动终端-CN201811443648.0有效
发明人：陈朝喜 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：所述控制电路包括：依次串联的分压电阻、SPAD和采样电阻；分压电阻的第一端与电源耦合；分压电阻的第二端与SPAD的阴极耦合；SPAD的阳极与采样电阻的第一端耦合；采样电阻的第二端接地；采样电阻的第一端与控制电路的输出端耦合本公开通过设置一种SPAD的控制电路，包括分压电阻、SPAD和采样电阻。分压电阻用于分压和限流，实现淬灭作用；采样电阻用来输出脉冲电压作为雪崩信号。该电路控制SPAD两端的反向偏压先小于雪崩击穿电压，中断SPAD的雪崩过程，保护SPAD器件，然后再使得SPAD两端的反向偏压大于雪崩击穿电压，实现对后续光子的探测。
spad 控制电路距离感应器模组移动终端

[发明专利]一种钕铁硼磁体表面防护的复合改性方法-CN201910314786.7有效
发明人：夏原;许亿;李光 -专利权人：中国科学院力学研究所
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了本发明提供了一种钕铁硼磁体表面防护的复合改性方法，包括如下步骤：对钕铁硼磁体进行前处理；将磁体置于真空室的工件架上，抽离真空室空气；通过外加电源给工件架提供负偏压，完成对磁体的辉光清洗；通过高功率脉冲磁控溅射电源给Al靶材提供负偏压产生高密度的Al等离子体，同时通过外加电源给工件架提供负高压，并匹配两者脉冲波形，完成对工件的Al等离子体浸没离子注入沉积过程；通过单极脉冲磁控溅射电源给Al靶材提供负偏压，同时通过外加电源给工件架提供负偏压在工件表面沉积Al膜；重复上述磁控溅射和等离子体浸没离子过程，得到位于工件基体表面的复合改性涂层，提高钕铁硼磁铁表面耐腐蚀性能。
一种钕铁硼磁体表面防护复合改性方法

[发明专利]绝缘栅器件的栅极驱动电路-CN200910236508.0有效
发明人：谭富传;姚淑珍 -专利权人：北京航星力源科技有限公司
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明涉及绝缘栅器件的栅极驱动电路及其工作方法，一种绝缘栅器件的栅极驱动电路，其特征在于，包括依次相连的控制器、同步电平移位电路、电流驱动器及绝缘栅器件接口电路；同时与电流驱动器相连的正稳压电源、负稳压电源，该负稳压电源还与同步电平移位电路相连；所述控制器和绝缘栅器件接口电路分别接地；本发明具有负偏压驱动、保持驱动脉冲同步、可正负大电流驱动、电路简洁的特点。
绝缘器件栅极驱动电路

[发明专利]脉冲式等离子体蚀刻方法及装置-CN201110196666.5无效
发明人：林智清;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-07-14 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种脉冲式等离子体蚀刻方法及装置，应用于产生较少沟壁内凹的沟槽结构。该脉冲式等离子体蚀刻装置包括一容置腔、一上电极板、一下电极板、一气体供应槽、一第一超高射频电源供应器、一射频偏压电源供应器以及一脉冲模块。当该脉冲模块提供一超高频电压于该上电极板及该下电极板之间时，一超高频电压则换接至关闭状态，此时大量的电子穿过等离子体并到达基板而于关闭状态时期中和大量的正电离子。本发明的脉冲式等离子体蚀刻方法及装置，能够减少沟槽结构的侧壁内凹或扭弯。
脉冲等离子体蚀刻方法装置

[发明专利]三极管在反向偏压安全工作区下的测试装置及测试方法-CN201010219663.4有效
发明人：张国光;王自鑫;李佳明;姚剑锋;李冠文;黄武洪 -专利权人：佛山市蓝箭电子有限公司
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种三极管在反向偏压安全工作区下的测试装置及测试方法，所述装置包括用于连接待测三极管三极的三个端子：基极端、集电极端和发射极端；可调电流脉冲模块，用于控制待测三极管开启或关断的电流脉冲；电压电流检测模块，用于检测集电极电流Ic和集电极与发射极之间的反向偏压VCE；钳位电路模块，用于设定集电极与发射极之间的反向偏压VCES；控制模块，用于接收电压电流检测模块检测到的集电极电流Ic和集电极与发射极之间的反向偏压VCE，并根据检测到的集电极电流Ic和集电极与发射极之间的反向偏压VCE之间的关系确定待测三极管在反向偏压安全工作区下是否合格。
三极管反向偏压安全工作测试装置方法

[发明专利]一种激光测距中APD偏压调节方法及电路-CN202210838560.9有效
发明人：虞静;唐海龙;黄陆君;黄贵余 -专利权人：四川吉埃智能科技有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01S7/4861 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光测距中APD偏压调节方法及电路，属于激光测距技术领域，APD偏压调节方法通过APD偏压调节电路实现。APD偏压调节电路包括：温度转换电路通过第一AD转换电路将APD光电探测器的温度转换为第一数字电平；APD光电探测器、自动增益放大电路和第二AD转换电路，将电脉冲信号转换为第二数字电平；FPGA控制电路通过第一DA转换电路将第一数字电平转换为第三模拟电平，使高压电源电路输出APD偏压，还通过第二DA转换电路将第二数字电平转换为第四模拟电平，使自动增益放大电路输出放大信号。
一种激光测距 apd 偏压调节方法电路

[发明专利]溅射装置以及成膜方法-CN200880116561.0有效
发明人：堀江邦明;吉冈润一郎 -专利权人：荏原优吉莱特株式会社
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：通过偏压电源(26)向工件(W)或者保持工件(W)的工件保持装置(8)施加负的偏压，从而吸附被离子化的溅射粒子。流过偏压电源(26)的电流被限制为不会立刻使附着的溅射粒子变为电中性。
溅射装置以及方法