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[发明专利]用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其制备方法-CN201010290302.9有效
发明人：顾溢;张永刚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-09-25 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其制备方法，其特征在于：采用能带梯度递变的n层材料作为倍增区结构，n为自然数，2≤x≤10；制备方法包括：在生长缓冲层、吸收层、数字递变超晶格过渡层和电荷层后，生长能带梯度递变的n层材料作为倍增区结构。本发明的能带递变倍增区结构可以从本质上提高电子与空穴电离率差，无需外加很高的偏压，从而有利于降低器件的过剩噪声。
用于雪崩光电二极管能带递变倍增结构及其制备方法

[发明专利]晶体对称性及能带路径确定方法及装置-CN202110626051.5在审
发明人：姜骏;王崇愚 -专利权人：北京市计算中心
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体对称性及能带路径确定方法及装置，其中，该方法包括：基于目标晶体的结构参数，确定所述目标晶体的标准晶体学晶胞；获取所述标准晶体学晶胞对应的初基元胞；基于所述初基元胞，确定目标晶体的点群。本发明实施例提供的晶体对称性及能带路径确定方法及装置，基于群表示理论，确定周期性材料所属的晶体点群，能更高效、准确地确定晶体的对称性，从而能在晶体的对称性的基础上，更高效、完整地确定高对称性的k点并连接形成标准化能带路径，能避免k点缺失，获得的能带路径能够完整地能够表示电子结构信息，避免因k点缺失和能带路径的不完善引起的能带结构的误判。
晶体对称性能带路径确定方法装置

[发明专利]一种高效四结太阳能电池及其制作方法-CN201110219051.X有效
发明人：吴志浩;林桂江;宋明辉;方妍妍;戴江南;陈长清;余金中;林志东 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效四结太阳能电池及其制作方法，提出在InP衬底上实现四结太阳能电池结构。高效四强太阳能电池包括：InP生长衬底；具有第一能带隙，晶格常数与衬底晶格匹配的第一子电池；具有比第一能带隙大的第二能带隙，晶格常数与衬底晶格匹配的第二子电池；具有比第二能带隙大的第三能带隙，晶格常数与衬底晶格匹配的第三子电池；形成于第三子电池上，且具有比第三能带隙大的第四能带隙的组分渐变层；形成于组分渐变层上，且具有比所述第三能带隙大的第五能带隙，晶格常数与衬底晶格失配的第四子电池。
一种高效太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种基于机器学习的二维过渡金属硫化物带隙和能带结构预测方法及装置-CN202110067791.X在审
发明人：刘勃;李述;田晓华 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：一种基于机器学习的二维过渡金属硫化物带隙和能带结构预测方法及装置，涉及过渡金属硫化物性能预测领域，用以解决不同的机器学习模型由于没有选择合适的特征而影响层状材料的性能预测精度的问题。本发明技术要点包括将材料属性电负性、第一电离势和原子半径作为预测带隙和能带结构的特征向量，并按照原子属性和结构属性设计多种特征组合；根据不同机器学习模型在多种特征组合中挑选对应的最优特征组合；将最优特征组合输入其对应的机器学习模型进行模型训练，分别获取带隙预测模型和能带结构预测模型；根据带隙预测模型和能带结构预测模型对未知的二维过渡金属硫化物带隙和能带结构进行预测。
一种基于机器学习二维过渡金属硫化物能带结构预测方法装置

[实用新型]一种极化电场调控二维半导体能带结构-CN201720838135.4有效
发明人：王建禄;王旭东;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本专利公开了一种极化电场调控二维半导体能带结构。该方法将极化材料与二维半导体直接接触，极化材料极化后所产生的极化电场可有效调控二维半导体的能带结构。所采用的器件结构自下而上依次为绝缘衬底、二维半导体、金属引出复合电极、极化材料和金属上电极。形成金属‑极化材料‑二维半导体器件结构，施加外加电场，使极化材料极化，随后撤去外加电场。区别于其它二维半导体能带调控方法，该方法利用极化保持特性，可实现无外场下对二维半导体能带结构调控。光致发光光谱结果表明，在极化电场的作用下，二维半导体的能带结构得到了有效调控，因此拓展了此类材料的应用。该方法同时具备极低功耗、操作简便、稳定性好等特点。
一种极化电场调控二维半导体能带结构

[实用新型]一种多功能游泳上衣-CN201720801391.6有效
发明人：廖丽容 -专利权人：广东都市丽人实业有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： A41D7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能游泳上衣，包括文胸本体及连接于文胸本体的功能带，文胸本体设有左罩杯、左侧比、右罩杯、右侧比及文胸后比，所述功能带包括第一功能带及第二功能带，二者一端为自由端，另一端为固定端，所述第一功能带的固定端以宽度方向连接于左侧比，所述第二功能带的固定端以宽度方向连接于右侧比。该多功能游泳上衣可通过改变功能带的连接位置，配置不同的泳衣穿戴方式，满足使用者不同的使用需求，提升用户体验，并且结构简单，无需另行设置肩带，功能带在兼顾美观、提升对穿戴者胸部的支撑聚拢效果的同时，还能够替代肩带
一种多功能游泳上衣

[发明专利]高效率光催化分解水的Z型异质结催化剂的设计方法-CN202111540841.8在审
发明人：李爽;程鹏;刘伟;俞鹏飞 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：其包括：（1）计算带极性材料的功函数和能带，提取能带中导带底、价带顶和真空能级；（2）根据带极性材料的功函数大小，以及导带底、价带顶和真空能级的相对位置构建带极性材料的异质结构，对其进行结构优化，并计算异质结的能带；（3）根据异质结的能带，得到异质结的能带弯曲方式，以能带弯曲最大的异质结作为Z型异质结。
高效率光催化分解型异质结催化剂设计方法

[发明专利]SONOS器件的氮化硅陷阱层橄榄形能带间隙结构及制造方法-CN200910057131.2有效
发明人：林钢;王函 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种SONOS器件的氮化硅陷阱层橄榄形能带间隙结构，该SONOS器件从下至上包括硅衬底、隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、高温氧化层和多晶硅电极，所述氮化硅陷阱层能带结构呈橄榄形，接近隧穿氧化层和高温氧化层的氮化硅陷阱层能带间隙宽度比中间的能带间隙宽度窄此外，本发明还公开上述SONOS器件结构的制造方法。本发明在提高SONOS闪存数据保存能力的同时，也可以提高写入/擦除后的阈值电压窗口。
sonos 器件氮化陷阱橄榄能带间隙结构制造方法

[发明专利]具有量子阱结构的光子晶体及其制备方法-CN00137208.4无效
发明人：资剑;乔峰;张淳;万钧;胡新华;韩得专;李乙洲;傅利民;王昕;许春;吴颖灏;高霞;王国忠 -专利权人：复旦大学
申请日： 2000-12-28 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明是一种光子晶体量子阱结构。本发明用两种不同的介电材料组成光子晶体，然后以光子晶体A/光子晶体B/光子晶体A排列制成光子晶体量子阱结构。选择适当的结构和介电常数配比，使量子阱即中间光子晶体的光子能带结构与势垒区即两端光子晶体的能带结构不同。由于两种光子晶体的光子能带结构不同，光波的传输特性可以得到调制，出现许多新的物理现象。
具有量子结构光子晶体及其制备方法

[发明专利]分体式多功能带扣结构-CN201810191374.4在审
发明人：温舒涵 -专利权人：温舒涵
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： A44B11/22 文献下载
摘要：分体式多功能带扣结构，包括带扣基座、带扣本体、柔性带；所述的带扣基座为环状件，在带扣基座上设有卡槽；所述的柔性带上从一端依次排列有多个定位孔，其另一端与带扣基座背离卡槽的一侧连接；所述的带扣本体上设有与柔性带的定位孔配合
带扣柔性带定位孔多功能带分体式扣结构卡槽背离服饰搭配个性需求依次排列凸出槽配合定位部环状件束缚物拉紧环绕穿过束缚配合

[实用新型]分体式多功能带扣结构-CN201820322850.7有效
发明人：温舒涵 -专利权人：温舒涵
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： A44B11/22 文献下载
摘要：分体式多功能带扣结构，包括带扣基座、带扣本体、柔性带；所述的带扣基座为环状件，在带扣基座上设有卡槽；所述的柔性带上从一端依次排列有多个定位孔，其另一端与带扣基座背离卡槽的一侧连接；所述的带扣本体上设有与柔性带的定位孔配合
带扣柔性带定位孔多功能带分体式扣结构卡槽背离服饰搭配个性需求依次排列凸出槽配合定位部环状件束缚物拉紧环绕穿过束缚配合

[发明专利]一种极化电场调控二维半导体能带结构及制备方法-CN201710563689.2有效
发明人：王建禄;王旭东;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种极化电场调控二维半导体能带结构及制备方法。该方法将极化材料与二维半导体直接接触，极化材料极化后所产生的极化电场可有效调控二维半导体的能带结构。所采用的器件结构自下而上依次为绝缘衬底、二维半导体、金属引出复合电极、极化材料和金属上电极。形成金属‑极化材料‑二维半导体器件结构，施加外加电场，使极化材料极化，随后撤去外加电场。区别于其它二维半导体能带调控方法，该方法利用极化保持特性，可实现无外场下对二维半导体能带结构调控。光致发光光谱结果表明，在极化电场的作用下，二维半导体的能带结构得到了有效调控，因此拓展了此类材料的应用。该方法同时具备极低功耗、操作简便、稳定性好等特点。
一种极化电场调控二维半导体能带结构制备方法

[发明专利]带边沿工程设计的Vt偏移器件、结构及其方法-CN200910222012.8无效
发明人： B·A·安德森;E·J·诺瓦克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：在这里提供带边沿工程设计的Vt偏移器件、用于带边沿工程设计的Vt偏移器件的设计结构及这种结构的制造方法。该结构包括第一FET，其具有第一原子比例和第一类型的第一化合物半导体的沟道，该第一原子比例导致第一能带结构。该结构还包括第二FET，其具有第二原子比例和第一类型的第二化合物半导体的沟道，该第二原子比例导致第二能带结构。第一化合物半导体不同于第二化合物半导体，使得第一FET具有不同于第二能带结构的第一能带结构，产生与第二FET的阈值电压不同的阈值电压。
边沿工程设计 vt 偏移器件结构及其方法

[发明专利]多功能带-CN200810185125.0无效
发明人：英格丽德·巴伦 -专利权人：圣保罗帆布鞋子公司
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： A45C13/30 文献下载
摘要：本发明描述了一种多功能带，包括：细长主体(2)，该细长主体(2)易弯曲并能借助于结合于至少一个连接狭口(4)的至少一个连接扣(3)呈现多种形状并承担多种功能；以及设置在细长主体(2)上的连接扣(3)和连接狭口
多功能

[实用新型]多功能带-CN201020524106.9无效
发明人：巫天彩;黄诗勇 -专利权人：巫天彩;黄诗勇
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G03B17/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多功能带，包括：背带、与背带固定连接的织带、与织带可拆连接的扣件、与扣件固定连接的织带、存储包，所述与扣件固定连接的织带与所述存储包可拆连接。本实用新型的目的是提供一种多功能带，功能多样，方便安装和拆卸。
多功能