专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果211872个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]石墨烯器件及其制造方法-CN201110360220.1有效
  • 梁擎擎;金智;钟汇才;朱慧珑;刘新宇 - 中国科学院微电子研究所
  • 2011-11-14 - 2013-05-15 - H01L21/28
  • 本发明实施例公开了一种石墨烯器件的制造方法,包括:提供衬底,所述衬底包括绝缘层以及其上的半导体层;在所述半导体层中形成栅极,以及在栅极上形成栅介质层、在栅介质层上形成石墨烯层,以及在所述栅极两侧形成与栅极电连接的栅接触层;在所述栅接触层上形成栅接触塞,以及在所述栅极上形成源漏接触塞。通过利用衬底中的半导体层形成栅极,从而实现自对准地形成栅结构的石墨烯器件,其制造方法简单,具有同现有CMOS工艺较好的兼容性。
  • 石墨器件及其制造方法
  • [发明专利]一种边缘浮栅晶体管的存储方法-CN202310886195.3在审
  • 任天令;田禾;吴凡 - 清华大学
  • 2023-07-18 - 2023-10-24 - H01L29/788
  • 本发明公开了一种边缘浮栅晶体管的存储方法,边缘浮栅晶体管包括栅极栅介质层、第二介质层、沟道层、第一电极和第二电极;栅介质层覆盖在栅极上;沟道层覆盖在第二介质层上,且第二介质层和沟道层均为台阶状的结构;第一电极和第二电极分别位于沟道层的下台阶面和上台阶面的上方;第二介质层的下台阶面覆盖在栅介质层上;第二介质层的上台阶面的下方与栅介质层之间,由下到上还依次层叠设置有第一栅极、第一介质层和第二栅极栅极、第一栅极及第二栅极各能够控制沟道层的一段沟道区域的选通;边缘浮栅晶体管通过使电子移动至第一栅极内完成写入操作;边缘浮栅晶体管通过使电子移动出第一栅极完成擦除操作。
  • 一种边缘晶体管存储方法
  • [发明专利]栅极场发射显示器的一种阴极结构及其制备方法-CN200610039301.0无效
  • 雷威;张晓兵;娄朝刚 - 东南大学
  • 2006-04-05 - 2006-08-30 - H01J29/04
  • 栅极场发射显示器的一种阴极结构及其制备方法涉及场致发射平板显示器件,采用一种新型的阴极结构,提高背栅极场发射显示器件的分辨率和亮度均匀性,降低制造成本。在阴极基板(1)上设有条状的栅极电极(2),在栅极电极(2)上设有绝缘介质层(3),在绝缘介质层上设有与栅极电极方向垂直的条状阴极电极(4);在阴极电极上以及两阴极电极之间的间隙上设有场发射体层(6),或在阴极电极上设有与对应栅极电极平行的条状场发射体层,增加大面积制作场发射体层时阴极电极之间的电阻;在阳极基板(7)上制备有彩色荧光粉图案(8);由阴极基板与阳极基板封接形成栅极场发射显示器。
  • 栅极发射显示器一种阴极结构及其制备方法
  • [实用新型]栅极场发射显示器的阴极结构-CN200920036714.2无效
  • 雷威;张晓兵;娄朝刚 - 东南大学
  • 2009-02-23 - 2009-11-11 - H01J29/04
  • 栅极场发射显示器的一种阴极结构涉及场致发射平板显示器件,采用一种新型的阴极结构,提高背栅极场发射显示器件的分辨率和亮度均匀性,降低制造成本。在阴极基板(1)上设有条状的栅极电极(2),在栅极电极(2)上设有绝缘介质层(3),在绝缘介质层上设有与栅极电极方向垂直的条状阴极电极(4);在阴极电极上以及两阴极电极之间的间隙上设有场发射体层(6),或在阴极电极上设有与对应栅极电极平行的条状场发射体层,增加大面积制作场发射体层时阴极电极之间的电阻;在阳极基板(7)上制备有彩色荧光粉图案(8);由阴极基板与阳极基板封接形成栅极场发射显示器。
  • 栅极发射显示器阴极结构
  • [发明专利]具有动态栅极偏置的自举二极管仿真器-CN200480033357.4无效
  • 德纳·威廉 - 国际整流器公司
  • 2004-11-10 - 2006-12-13 - G06F19/00
  • 所述自举二极管仿真器电路包括:具有栅极栅极、源极以及漏极的LDMOS晶体管,所述LDMOS晶体管的漏极耦合到高边电源节点,所述LDMOS晶体管的源极耦合到低边电源节点;电耦合到所述LDMOS晶体管栅极栅极控制电路;以及电耦合到所述LDMOS晶体管的栅极的动态栅极偏置电路。所述动态栅极偏置电路用于通过给所述LDMOS晶体管的栅极施加接近于但略低于所述LDMOS晶体管漏极电压的电压,而在所述LDMOS导通时,动态地给所述LDMOS晶体管的栅极施加偏压。
  • 具有动态栅极偏置二极管仿真器
  • [发明专利]半导体器件-CN202310315781.2在审
  • 郑文泳;李基硕;李相昊;卢亨俊 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-28 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 一种半导体器件包括:基板;在基板上的第一栅极结构和第二栅极结构;单个栅极结构,在第一栅极结构和第二栅极结构之间;第一结构,包括在垂直方向上延伸的第一垂直沟道区,第一垂直沟道区的至少一部分在第一栅极结构和单个栅极结构之间第二结构与第一结构间隔开,第二垂直沟道区的至少一部分在第二栅极结构和单个栅极结构之间。
  • 半导体器件
  • [发明专利]一种双栅SOI器件结构及其制作方法-CN201410509909.X在审
  • 胡志远;张正选;宁冰旭;毕大炜;彭超;邹世昌 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2014-09-28 - 2014-12-10 - H01L29/06
  • 本发明提供一种双栅SOI器件结构及其制作方法,该结构包括SOI衬底及形成于SOI衬底中并通过浅沟槽隔离结构隔离的MOS晶体管;所述MOS晶体管包括栅极、源极、漏极、栅极接触、源极接触及漏极接触;所述MOS晶体管还包括栅极接触;所述栅极接触设置于所述MOS晶体管正面,且穿通所述浅沟槽隔离结构及SOI衬底的埋氧层,与衬底接触。本发明的双栅SOI器件结构在工作时,可以通过在栅极接触端施加适当的电压,改变体区电势,从而改善浮体效应,并且该双栅SOI器件中存在两个控制沟道,增大了器件的有效沟道宽度及驱动电流。同时,栅极接触形成于MOS管正面,制作工艺更为简单,且栅极接触形成于浅沟槽隔离结构区域,不会对器件其它区域构成不良影响。
  • 一种soi器件结构及其制作方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top