“绝缘硅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果887719个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于石墨烯-硅波导的带宽可调光带通滤波器-CN201810477685.7有效
发明人：陈伟伟;李仕琪;汪鹏君;张波豪;鲁昊;李文辉;杨建义 -专利权人：宁波大学
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯‑硅波导的带宽可调光带通滤波器，包括硅衬底、第一绝缘层、硅平板、波导层、调节层、第二绝缘层和相位调节器，第一绝缘层的材料和第二绝缘层的材料均为二氧化硅，第一绝缘层附着在硅衬底的上表面，硅平板附着在第一绝缘层的上表面，硅衬底、第一绝缘层和硅平板均为矩形，第一绝缘层的长度等于硅衬底的长度，第一绝缘层的宽度等于硅衬底的宽度，第一绝缘层的长度大于硅平板的长度，第一绝缘层的宽度大于硅平板的宽度，波导层附着在硅平板的上表面；优点是功耗较小，且具有较大的带宽调节范围。
基于石墨波导带宽调光带通滤波器

[发明专利]一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法-CN201511017174.X在审
发明人：俞文杰;刘强;刘畅;文娇;王翼泽;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法，该CMOS器件结构包括：绝缘体岛上硅衬底，所述绝缘体岛上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管栅极的位置具有贯穿所述顶层硅及底层硅之间或底部保留有部分绝缘层的凹槽；CMOS器件，制作于所述绝缘体岛上硅衬底上，且所述CMOS器件的沟道两侧制作于与所述凹槽对应的顶层硅中。本发明在绝缘体岛上硅衬底上制作CMOS器件，所述绝缘体岛上硅衬底的绝缘层对应于制备晶体管沟道两侧的位置具有贯穿所述顶层硅及底层硅之间或底部保留有部分绝缘层的凹槽，以在CMOS器件体区下方设置空洞或挖空区域
一种基于绝缘体岛上衬底 cmos 器件结构制备方法

[发明专利]绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测试结构-CN201310184389.5有效
发明人：孙超;周再发;黄庆安;李伟华 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G01N3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测试结构，包括：由绝缘衬底上的硅材料中的硅衬底形成的衬底，在衬底上设有由绝缘衬底上的硅材料中的绝缘层形成的第一绝缘区、第二绝缘区、第三绝缘区及第四绝缘区，在第一绝缘区、第二绝缘区、第三绝缘区及第四绝缘区上分别设有由绝缘衬底上的硅材料中的顶硅层形成的第一锚区、检测电极、第二锚区及激励电极，在检测电极与激励电极之间设有由绝缘衬底上的硅材料中的顶硅层形成的谐振梁本发明能够提高绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测量准确性。
绝缘衬底材料顶硅层杨氏模量测试结构

[实用新型]绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测试结构-CN201320271904.9有效
发明人：孙超;周再发;黄庆安;李伟华 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： G01N3/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测试结构，包括：由绝缘衬底上的硅材料中的硅衬底形成的衬底，在衬底上设有由绝缘衬底上的硅材料中的绝缘层形成的第一绝缘区、第二绝缘区、第三绝缘区及第四绝缘区，在第一绝缘区、第二绝缘区、第三绝缘区及第四绝缘区上分别设有由绝缘衬底上的硅材料中的顶硅层形成的第一锚区、检测电极、第二锚区及激励电极，在检测电极与激励电极之间设有由绝缘衬底上的硅材料中的顶硅层形成的谐振梁本实用新型能够提高绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测量准确性。
绝缘衬底材料顶硅层杨氏模量测试结构

[发明专利]一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法-CN201511018014.7在审
发明人：俞文杰;刘强;刘畅;文娇;王翼泽;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法，包括：图形化绝缘体上硅衬底，所述图形化绝缘体上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置形成有凹槽，所述凹槽与底层硅之间保留有部分的绝缘层；CMOS器件，制作于所述图形化绝缘体上硅衬底上，且所述CMOS器件的沟道制作于与所述凹槽对应的顶层硅中。本发明在图形化绝缘体上硅衬底上制作CMOS器件，所述图形化绝缘体上硅衬底的绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置形成有凹槽，所述凹槽与底层硅之间保留有部分的绝缘层，以在CMOS器件体区下方设置空洞，可以大大增加后续制备
一种基于图形绝缘体衬底 cmos 器件结构制备方法

[发明专利]一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法-CN201511018026.X在审
发明人：俞文杰;刘强;刘畅;文娇;王翼泽;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法，该CMOS器件结构包括：绝缘体岛上硅衬底，所述绝缘体岛上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置具有贯穿所述顶层硅及底层硅之间的凹槽；CMOS器件，制作于所述绝缘体岛上硅衬底上，且所述CMOS器件的沟道制作于与所述凹槽对应的顶层硅中。本发明在绝缘体岛上硅衬底上制作CMOS器件，所述绝缘体岛上硅衬底的绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置具有贯穿所述顶层硅及底层硅之间的凹槽，以在CMOS器件体区下方设置空洞，可以大大增加后续制备CMOS器件的可靠性
一种基于绝缘体岛上衬底 cmos 器件结构制备方法

[发明专利]绝缘体上硅及其制备工艺-CN200610028767.0无效
发明人：陈猛 -专利权人：上海新傲科技有限公司;国际O&A半导体制造有限公司
申请日： 2006-07-07 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种绝缘体上硅的制备工艺，包含如下步骤：在硅片上注入能与硅反应生成腐蚀阻挡材料的离子；将含有注入离子的硅片退火，并形成含有绝缘层、表面硅层、腐蚀阻挡层和衬底硅层的结构，其中绝缘层和衬底硅层位于硅片的外侧，表面硅层与绝缘层相邻，腐蚀阻挡层与衬底硅层相邻；在半导体晶片上形成第二绝缘层；将硅片和半导体晶片键合，其中硅片上的绝缘层和半导体晶片上的第二绝缘层相接触；加固键合后的硅片和半导体晶片；去除衬底硅层；去除腐蚀阻挡层上述方法生成的绝缘体上硅隐埋绝缘层质量高，绝缘性能好，厚度可随意调节，顶层硅厚度的均匀性好。
绝缘体及其制备工艺

[发明专利]绝缘涂料、电绝缘层、复合非晶纳米晶带材及制备方法-CN202211136526.3在审
发明人：孙小英;王艳;施利毅;杭建忠 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：本申请涉及绝缘涂料领域，尤其涉及绝缘涂料、电绝缘层、复合非晶纳米晶带材及制备方法；所述绝缘涂料包括聚硅氮烷树脂和有机硅类流平剂；其中，所述聚硅氮烷树脂的质量为所述绝缘涂料的质量的12％～85％，所述有机硅类流平剂的质量为所述绝缘涂料的质量的0.4％～0.7％；由于聚硅氮烷树脂能发生水解缩合反应，可以在非晶纳米晶带材的表面形成一层具有Si‑O‑Si结构的电绝缘层，因此使得聚硅氮烷树脂形成的电绝缘层具有良好的绝缘性和耐高温性能，但是聚硅氮烷树脂的流动性较差，通过聚硅氮烷树脂和有机硅类流平剂之间的相互配合，能够综合提高电绝缘层的绝缘性和耐高温性。
绝缘涂料复合纳米晶带材制备方法

[发明专利]具有基底接触的绝缘层上有硅的结构-CN01110319.1无效
发明人：林泓均;王是琦 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-04-03 - 公布日： 2002-11-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有基底接触的绝缘层上有硅的结构,包括一绝缘层上有硅的基底,而基底上具有一绝缘层,绝缘层上具有一硅层,硅层上形成有一栅极,且栅极侧边的硅层中分别形成一源极区与一漏极区,而在绝缘层与硅层的界面提供一基底接触,其中较佳的基底接触系位于源极区与栅极之间的绝缘层中。通过在绝缘层与硅层之间提供基底接触而降低颈结与基底效应等,以改善绝缘层上有硅芯片的组件特性。
具有基底接触绝缘层上有硅结构

[发明专利]有机硅导热绝缘片及其制备方法-CN201510191264.4有效
发明人：李云;张耀湘;覃剑 -专利权人：深圳市安品有机硅材料有限公司
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明公开一种有机硅导热绝缘片及其制备方法，有机硅导热绝缘片至少包括导热绝缘层，所述导热绝缘层由有机硅导热绝缘组合物经片材成型工艺制得，有机硅导热绝缘片可以包括基材，所述有机硅导热绝缘组合物由含链烯基的线型有机聚硅氧烷本发明的有机硅导热绝缘片具有高导热性能、良好的绝缘性能及抗刺穿、抗撕裂性能，且产品性能可灵活调节，制备方法简单，适应性广。
有机硅导热绝缘及其制备方法

[发明专利]硅粉基导热绝缘体-CN00105749.9无效
发明人：阎宝连 -专利权人：阎宝连
申请日： 2000-04-10 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01B3/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅粉基导热绝缘组合物，用于电子元器件之间的导热绝缘。以具有良好绝缘性能的硅粉作为主要绝缘组分，与硅油、硅橡胶、金属氧化物等其他必要组分有配合，并填加有偶联剂，得到硅粉基导热绝缘硅脂或硅板。
硅粉基导热绝缘体

[发明专利]一种具有双极应力的绝缘体上硅结构及其制造方法-CN201810286263.1有效
发明人：马雁飞;王昌锋;廖端泉 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有双极应力的绝缘体上硅结构及其制造方法，制造方法包括：提供复合衬底，复合衬底由下至上依次具有硅基体层、掩埋氧化物层和绝缘体上硅层；在绝缘体上硅层上表面外延生长硅锗层；沉积硬掩膜层以覆盖硅锗层对应N型MOS管区域的部分；沉积表面氧化物层以覆盖硅锗层和硬掩膜层；进行高温退火处理，以使绝缘体上硅层对应P型MOS管区域的部分转化为绝缘体上硅锗层，对应N型MOS管区域的部分转化为拉应力绝缘体上硅层；以及去除绝缘体上硅锗层和拉应力绝缘体上硅层表面多余的硅锗层
一种具有应力绝缘体结构及其制造方法

[发明专利]具有不同晶向硅层的绝缘体上硅半导体装置以及形成该绝缘体上硅半导体装置的方法-CN200580035898.5有效
发明人： A·M·韦特;J·奇克 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2005-10-12 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种包括具有第一晶向的衬底及在衬底上的绝缘层的半导体装置。在绝缘层上形成多个硅层。第一硅层包括具有第一晶向的硅而第二硅层包括具有第二晶向的硅。此外，本发明又提供一种方法以形成设有包括其上具有硅层的衬底及插置在衬底与硅层间的第一绝缘层的绝缘体上硅结构的半导体装置。通过移除硅层及第一绝缘层的一部分以曝露出衬底层的一部分而在绝缘体上硅结构的第一区域形成开孔。在此开孔中生长选择性外延硅。在生长于开孔中的硅中形成第二绝缘层以在开孔中生长的硅与衬底之间设置绝缘层。
具有不同绝缘体半导体装置以及形成方法

[发明专利]一种晶圆结构的制造方法-CN201910537572.6有效
发明人：胡杏;曾甜;占迪;刘天建;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆结构的制造方法，在第一晶圆和第二晶圆键合后，可以从第一晶圆的第一衬底进行刻蚀以形成硅通孔，然后进行绝缘层的沉积，使硅通孔的开口拐角处的绝缘层厚度大于硅通孔侧壁及底面上绝缘层的厚度，再进行绝缘层的各向异性刻蚀，直至去除硅通孔底面上的绝缘层，然后进行硅通孔的填充。硅通孔中的绝缘层对器件起到隔离和保护的作用，而硅通孔的开口拐角处的绝缘层厚度大于硅通孔的侧壁及底面上的绝缘层的厚度，在后续去除硅通孔底面上的绝缘层的过程中，即使对硅通孔的开口拐角处的绝缘层有所损耗，其厚度也不会偏薄，从而提高了硅通孔中绝缘层的可靠性，减少硅通孔的形成工艺对器件良率及性能的影响。
一种结构制造方法

[实用新型]具有硅通孔结构的半导体器件-CN201220604325.7有效
发明人：孙蓉;张国平;赵松方 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有硅通孔结构的半导体器件，包括：硅衬底，开设有自硅衬底上表面穿入内部的硅通孔；绝缘层，覆盖于所述硅衬底上表面、硅通孔的侧壁及硅通孔的底面；所述硅通孔的顶端与硅衬底上表面交界的拐角处覆盖的绝缘层厚度，大于所述拐角旁的硅衬底上表面覆盖的绝缘层及硅通孔的侧壁覆盖的绝缘层厚度。本实用新型在硅通孔的顶端与硅衬底上表面交界的拐角处覆盖的绝缘层较厚，保证了此处绝缘层的保型覆盖性，且因为厚度足够，不会因器件使用中的热应力导致绝缘层开裂，因此增强了器件的可靠性，提高了产品的良率。
具有硅通孔结构半导体器件

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条